一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备的制作方法

本发明涉及半导体设备，尤其涉及一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备。

背景技术：

1、原子层沉积技术(ald)是一种制备高质量薄膜的方法，该方法可以在纳米或亚纳米尺度上对材料的厚度进行控制，有效避免了材料晶体缺陷、失调等问题。ald反应需在限定的温度区间中进行，不同反应的温度区间不相同。一般地，ald反应的温度区间在80-300度之间，过低或者过高温度都会影响反应。

2、相关技术中，在进行原子层沉积工艺时，反应腔内温度各部分的不同会对整体的膜厚均匀性能产生较大的影响。然而，在靠近腔室出气口的地方，由于气流的流动较快，从而热量流失较快，温度相对于其他地方会偏低，导致靠近腔室出气口处的样品的膜厚差异较大，影响样品整体的均匀性。

技术实现思路

1、本申请提供了一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备，一定程度上解决了相关技术中靠近腔室出气口处的膜厚差异较大，影响样品整体的均匀性的技术问题。

2、第一方面，本申请实施例提供的一种原子层沉积反应腔室，包括：

3、腔体，具有出气口；

4、加热载盘，设置于所述腔体中，用于承载样品且对所述样品加热；

5、转动件，可转动地设置于所述腔体底部，且所述转动件的驱动端伸入所述腔体中与所述加热载盘连接，以带动所述加热载盘转动。

6、在一些实施方式中，所述转动件能够匀速转动，所述转动件的转速为30～45r/min。

7、在一些实施方式中，所述腔体的底面设有限位槽，所述加热载盘安装于所述限位槽中。

8、在一些实施方式中，所述转动件为电机，所述电机的驱动轴伸入所述腔体中与所述加热载盘连接。

9、在一些实施方式中，所述电机的驱动轴焊接于所述加热载盘。

10、在一些实施方式中，所述设备还包括加热套，所述加热套装配于所述驱动轴，以对所述驱动轴加热。

11、在一些实施方式中，所述加热套的加热温度等于或高于所述腔体中的温度。

12、在一些实施方式中，所述设备还包括真空泵，所述反应腔室的底面具有抽气口，所述真空泵与所述抽气口连接，以对所述腔体抽真空。

13、在一些实施方式中，所述腔体的底面还具有进源口，所述进源口和所述抽气口分设于所述加热载盘的两侧。

14、第二方面，本申请实施例还提供了一种原子层沉积设备，包括如以上所述的原子层沉积反应腔室。

15、本申请有益效果如下：

16、本申请提供的一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备，由于在腔体的底部设置了可转动的转动件，且转动件的驱动端伸入所述反应腔室中与所述加热载盘连接，以带动所述加热载盘转动，加热载盘又带动样品转动，从而样品的各个区域均会依次经过腔体的出气口，一定程度上避免了样品的局部区域一直位于靠近腔体出气口的位置，导致温度较其他区域更低的情况发生，使得整个样品表面的温度更加均匀，保证了样品整体的均匀性。

技术特征：

1.一种原子层沉积反应腔室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述转动件能够匀速转动，所述转动件的转速为30～45r/min。

3.根据权利要求1所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述腔体的底面设有限位槽，所述加热载盘安装于所述限位槽中。

4.根据权利要求1所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述转动件为电机，所述电机的驱动轴伸入所述腔体中与所述加热载盘连接。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述电机的驱动轴焊接于所述加热载盘。

6.根据权利要求4所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述设备还包括加热套，所述加热套装配于所述驱动轴，以对所述驱动轴加热。

7.根据权利要求6所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述加热套的加热温度等于或高于所述腔体中的温度。

8.根据权利要求1所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述设备还包括真空泵，所述反应腔室的底面具有抽气口，所述真空泵与所述抽气口连接，以对所述腔体抽真空。

9.根据权利要求1所述的原子层沉积反应腔室，其特征在于，所述腔体的底面还具有进源口，所述进源口和所述抽气口分设于所述加热载盘的两侧。

10.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的原子层沉积反应腔室。

技术总结
本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备。本申请实施例提供了一种原子层沉积反应腔室，包括腔体和加热载盘。腔体具有出气口，作业人员可通过该出气口拿放样品。加热载盘设置于腔体中，用于承载样品且对样品加热，即样品放置于加热载盘上。转动件可转动地设置于腔体底部，且转动件的驱动端伸入腔体中与加热载盘连接，以带动加热载盘转动，加热载盘又带动样品转动，从而样品的各个区域均会依次经过腔体的出气口，一定程度上避免了样品的局部区域一直位于靠近腔体出气口的位置，导致温度较其他区域更低的情况发生，使得整个样品表面的温度更加均匀，保证了样品整体的均匀性。

技术研发人员：戴昕童,明帅强,李明,王浙加,张亦哲,李国庆,闻梦瑶,车睿远
受保护的技术使用者：嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15