ALD装置反应腔室的密封结构及ALD装置的制作方法

本公开涉及ald设备，尤其涉及一种ald装置反应腔室的密封结构及ald装置。

背景技术：

1、原子层沉积(atomic layer deposition,ald)，也称为原子层外延(atomic layerepitaxy，ale)或者原子层化学气相沉积(atomie laverchemical vapor deposition,alcvd)。原子层沉积最初由芬兰科学家在1974年提出，具有单原子层逐次沉积，沉积层厚度极均匀，三维保形性高的优点，已成为先进半导体工艺技术发展的关键环节。在原子层沉积工艺中，新原子层的化学反应直接与之前层关联。原子层沉积通过将两种以上的气相前驱体源交替地通入反应器，并在沉积衬底表面进行化学吸附反应形成沉积薄膜。利用化学键交替吸附a、b两种物质，实现面反应生长，适当的过程温度可以阻碍分子在表面的物理吸附。原子层沉积具有自限制的特点，即在每一个脉冲周期内，气相前驱体都只能在沉积衬底表面的原子成键位发生反应，并恰好以饱和量覆盖村底表面，能够在非常宽的工艺窗口中逐原子层重复生长。

2、现在的原子层沉积设备反应腔室大部分使用的是单o圈密封腔体，单o圈在高压高温长时间使用下可能会产生疲劳，或者人为操作不当产生一些磨损，一旦单o圈损坏产生泄露，会让腔体内的真空度达不到实验的标准，导致实验的暂停。更严重的是单o圈细微损坏无法一下子发现，会在实验过程中不断泄露空气进入腔内，影响实验的结果。

技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

2、为此，在本公开的第一方面提供了一种ald装置反应腔室的密封结构，包括反应内腔本体、第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所述第二密封圈设置在所述反应内腔本体的一表面上，所述第一密封圈设置在所述第二密封圈的围绕范围内，且所述第一密封圈和所述第二密封圈之间形成抽真空通道，所述抽真空通道开设有抽真空气孔。

3、在一种可行的实施方式中，所述抽真空通道开设有导气槽，所述导气槽与所述抽真空气孔连通，所述导气槽开设置在所述抽真空通道的中心位置。

4、在一种可行的实施方式中，所述导气槽的深度设置为1.5至2.5毫米，所述导气槽的宽度设置为2.5毫米至3.5毫米。

5、在一种可行的实施方式中，所述抽真空气孔设置有两个，两个所述抽真空气孔沿所述抽真空通道的延伸方向间隔设置。

6、在一种可行的实施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈的间隔设置为1至2厘米。

7、在一种可行的实施方式中，所述抽真空气孔通过气管连接于反应腔室的抽气管路，所述抽气管路连接于第一抽气泵。

8、在一种可行的实施方式中，所述抽气管路上设置有vf阀。

9、在一种可行的实施方式中，所述抽气管路上设置有切换阀，所述切换阀用于切换第一抽气泵抽取所述抽气管路中的气体或所述气管中的气体。

10、在一种可行的实施方式中，所述抽真空气孔通过气管连接于第二抽气泵。

11、在本公开的第二方面提供了一种ald装置，包括上述的ald装置反应腔室的密封结构。

12、相比现有技术，本公开至少包括以下有益效果：本公开将第一密封圈外设置第二密封圈，达到双重密封，并且在两个密封圈之间能够二次排真空，在相同泵抽相同时间下，单密封圈真空度能达到0.0046torr，本公开能达到0.0025torr，真空度提升46％；而且密封圈损坏情况下，现有技术设备在密封圈损坏后真空无法抽下去，本公开在第二密封圈损坏的情况下，真空度能抽到0.0037torr，在第一密封圈损坏的情况下，真空度可以抽到0.0051torr，整体的真空度并不会受第一密封圈损坏而造成太大影响。而且第一密封圈和第二密封圈的破损虽然影响不大，但是在真空计读数中也能知道哪个o圈可能出现了问题，第一密封圈破损情况下，腔内真空度会比第二密封圈破损情况下展现的真空度略高一些，若实验中某次真空出现上述情况，可以简单判断出第一密封圈或者第二密封圈可能产生了问题。

技术特征：

1.一种ald装置反应腔室的密封结构,其特征在于，包括反应内腔本体、第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所述第二密封圈设置在所述反应内腔本体的一表面上，其中，

2.根据权利要求1所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述抽真空通道开设有导气槽，所述导气槽与所述抽真空气孔连通，所述导气槽开设置在所述抽真空通道的中心位置。

3.根据权利要求2所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述导气槽的深度设置为1.5至2.5毫米，所述导气槽的宽度设置为2.5毫米至3.5毫米。

4.根据权利要求1所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述抽真空气孔设置有两个，两个所述抽真空气孔沿所述抽真空通道的延伸方向间隔设置。

5.根据权利要求1所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述第一密封圈和所述第二密封圈的间隔设置为1至2厘米。

6.根据权利要求1所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述抽真空气孔通过气管连接于反应腔室的抽气管路，所述抽气管路连接于第一抽气泵。

7.根据权利要求6所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述抽气管路上设置有vf阀。

8.根据权利要求6所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述抽气管路上设置有切换阀，所述切换阀用于切换第一抽气泵抽取所述抽气管路中的气体或所述气管中的气体。

9.根据权利要求1所述的ald装置反应腔室的密封结构，其特征在于，所述抽真空气孔通过气管连接于第二抽气泵。

10.一种ald装置，其特征在于，包括上述权利要求1至9中任一项所述的ald装置反应腔室的密封结构。

技术总结
本公开涉及ALD设备技术领域，尤其涉及一种ALD装置反应腔室的密封结构及ALD装置。本公开提供了一种ALD装置反应腔室的密封结构，包括反应内腔本体、第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所述第二密封圈设置在所述反应内腔本体的一表面上，所述第一密封圈设置在所述第二密封圈的围绕范围内，且所述第一密封圈和所述第二密封圈之间形成抽真空通道，所述抽真空通道开设有抽真空气孔。通过实施本公开的技术方案，能够得到更好的抽真空效果，并且能够在单一密封圈破损的情况之下也能够继续实现真空效果，并且通过抽真空的数据判断出密封圈的破损情况。

技术研发人员：戴昕童,明帅强,李明,王浙加,张亦哲,李国庆,闻梦瑶,车睿远
受保护的技术使用者：嘉兴科民电子设备技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19