反应前体蒸发器和含彼的原子层沉积系统的制作方法

本申请涉及一种半导体设备，包括其元件的设计和制造。

背景技术：

1、原子层沉积(ald)是一种薄膜沉积技术，它允许以精确控制的方式沉积几纳米厚的超薄膜。它基于气相化学过程的顺序使用。大多数ald反应使用两种称为前驱体的化学物质。这些前驱体以顺序的、自限制的方式与材料表面反应。通过反复暴露于不同的前驱体，慢慢地沉积出薄膜。

2、在原子层沉积过程中，通过将其表面暴露于交替的气态物种(通常称为前驱体或反应物)来在基板上生长膜。与化学气相沉积不同，前驱体在反应器中从未同时存在，而是作为一系列顺序的、不重叠的脉冲插入。在每一个脉冲中，前驱体分子以自限制的方式与表面反应，因此一旦表面上所有可用的位点被消耗，反应就会终止。

3、因此，所有前驱体(所谓的ald周期)单次暴露后在表面沉积的最大物质量由前驱体-表面相互作用的性质决定。通过改变周期数，可以在任意复杂和大的基板上均匀地并且高精度地生长材料。

4、ald是制造半导体器件的关键过程，也是合成纳米材料工具集的一部分。它是一个活跃的研究领域，有数百种不同的过程发表在科学文献中。ald是一种具有巨大潜力的沉积方法，可以在原子级别控制薄膜的厚度和组成。

技术实现思路

1、以下概括说明本申请的基本特点，以便基本理解本申请的一些面向。

技术特征：

1.一种反应前体蒸发器，其包括：

2.根据权利要求1所述的反应前体蒸发器，其中所述超声波振荡器与所述空间接触。

3.根据权利要求1所述的反应前体蒸发器，其中在大体上沿所述第1方向的方向上，所述空间与所述超声波振荡器经由所述蒸发器主体区隔。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的反应前体蒸发器，其中所述超声波振荡器包括大体上沿所述第1方向的方向上产生移动的震荡子。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的反应前体蒸发器，其进一步包括超声波耦合层，其中在大体上沿所述第1方向的方向上，所述蒸发器主体与所述超声波振荡器经由所述超声波耦合层区隔。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的反应前体蒸发器，其进一步包括超声波耦合层，其中在大体上沿垂直于所述第1方向的方向上，所述蒸发器主体与所述超声波振荡器经由所述超声波耦合层区隔。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的反应前体蒸发器，其中所述导管沿所述第1方向的投影与所述超声波振荡器重叠。

8.一种原子层沉积系统，其包括：

9.根据权利要求8所述的原子层沉积系统，其另包括载气源，所述载气源与所述导管流体连接。

10.根据权利要求8或9所述的原子层沉积系统，其中所述处理室包括反应物分配器，所述反应物分配器与所述反应前体蒸发器流体连接。

11.一种反应前体蒸发器，其包括：

12.根据权利要求11所述的反应前体蒸发器，其中所述底部经组态以暴露所述超声波振荡器于所述开口。

13.根据权利要求11所述的反应前体蒸发器，其中在大体上沿所述第1方向的方向上，所述开口与所述超声波振荡器经由所述底部区隔。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的反应前体蒸发器，其中所述底部包含大体上沿所述第1方向沿伸的突出部'。

15.根据权利要求11至13中任一项所述的反应前体蒸发器，其中所述底部包含：

16.根据权利要求15所述的反应前体蒸发器，其中所述第1层经组态以暴露所述超声波振荡器于所述开口。

17.根据权利要求15所述的反应前体蒸发器，其中所述第3层经组态以暴露所述超声波振荡器于所述所述第1层。

18.根据权利要求17所述的反应前体蒸发器，其中所述第3层与所述超声波振荡器接触。

19.根据权利要求15所述的反应前体蒸发器，其中所述第2层经组态以暴露所述超声波振荡器于所述所述第3层。

20.根据权利要求19所述的反应前体蒸发器，其中所述超声波振荡器包括大体上沿所述第1方向的方向上产生移动的震荡子。

技术总结
本申请是关于一种反应前体蒸发器和含彼的原子层沉积系统，所述的反应前体蒸发器包括：顶盖；蒸发器主体，其与所述顶盖连接，所述蒸发器主体与所述顶盖定义空间；导管，其位于所述空间中并与所述顶盖连接，所述导管大体上沿第1方向延伸；及超声波振荡器，其与所述蒸发器主体接触。这样的设计能够进一步提升原子层沉积的每周期生长。

技术研发人员：谭华强
受保护的技术使用者：拓荆科技（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5