真空镀膜工艺室及真空镀膜装置的制作方法

本技术涉及真空镀膜，尤其涉及一种真空镀膜工艺室及真空镀膜装置。

背景技术：

1、物理气相沉积是指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面的过程。真空镀膜是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发的物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积于工件上。

2、真空镀膜工艺室是真空镀膜设备的核心部件，各种真空镀膜工艺都必须在真空室中进行。在真空镀膜室中安装不同的功能部件，真空镀膜设备就能实现不同的镀膜工艺。

3、现有技术中的真空镀膜工艺室的结构布局是固定不变的，主要根据设备整体布局确定泵盖的位置和溅射镀膜阴极的位置，限制了真空镀膜时温度等工艺参数调试的范围。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种真空镀膜工艺室及真空镀膜装置，用以解决现有技术中工艺腔室结构布局不变限制了镀膜时温度等工艺参数调试范围的缺陷。

2、本实用新型提供一种真空镀膜工艺室，包括：

3、腔体，具有多个结构尺寸相同的安装工位；

4、第一泵盖和第二泵盖，均至少有一个；

5、温控装置，具有多个，与至少一个所述第一泵盖和至少一个所述第二泵盖连接，且所述温控装置位于所述腔体内；

6、向上溅射镀膜阴极和向下溅射镀膜阴极，用于对靶材双面镀膜；

7、所述第一泵盖、所述第二泵盖、所述向上溅射镀膜阴极和所述向下溅射镀膜阴极任意设置于所述安装工位上，且位置能够互换；

8、分子泵，用于为所述腔体提供真空。

9、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述第一泵盖具有多个，且所述第一泵盖分布于所述向上溅射镀膜阴极的两侧。

10、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述分子泵至少设置于所述向上溅射镀膜阴极的其中一侧的所述腔体的底部。

11、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述第二泵盖具有多个，且所述第二泵盖分布于所述向下溅射镀膜阴极的两侧。

12、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述分子泵至少设置于所述向下溅射镀膜阴极的其中一侧的所述第二泵盖的内侧的顶部。

13、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述温控装置包括：

14、加热装置，用于提升所述腔体内的温度；

15、水冷装置，用于给所述加热装置降温。

16、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述第二泵盖的内侧的顶部至少设置有一个所述分子泵。

17、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述分子泵与所述腔体之间设置有抽真空用的管路系统。

18、根据本实用新型提供的一种真空镀膜工艺室，所述第一泵盖、所述第二泵盖、所述向上溅射镀膜阴极和所述向下溅射镀膜阴极通过导向杆设置在所述腔体的密封面上，且所述第一泵盖、所述第二泵盖、所述向上溅射镀膜阴极和所述向下溅射镀膜阴极与所述腔体之间的缝隙之间设置有真空用密封圈。

19、本实用新型还提供一种真空镀膜装置，包括如上所述的真空镀膜工艺室。

20、本实用新型提供的真空镀膜工艺室，通过温控装置用于对腔体内实现温度调整，分子泵为腔体提供真空；腔体具有多个结构尺寸相同的安装工位，第一泵盖、第二泵盖、向上溅射镀膜阴极和向下溅射镀膜阴极的外形尺寸一致，安装尺寸相同，可按任意顺序设置于安装工位上，且位置能够互换，不同的位置布局可以设定调试工艺腔体在相同的时间内快速加热到不同的温度，大大地扩大了工艺参数调试范围，有利于找到最合适的设备工艺参数，进一步提高镀膜的质量和效率。

21、本实用新型提供的真空镀膜装置，由于包括如上所述的真空镀膜工艺室，因此具备如上所述的各种优势。

技术特征：

1.一种真空镀膜工艺室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述第一泵盖(2)具有多个，且所述第一泵盖(2)分布于所述向上溅射镀膜阴极(5)的两侧。

3.根据权利要求2所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述分子泵(7)至少设置于所述向上溅射镀膜阴极(5)的其中一侧的所述腔体(1)的底部。

4.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述第二泵盖(3)具有多个，且所述第二泵盖(3)分布于所述向下溅射镀膜阴极(6)的两侧。

5.根据权利要求4所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述分子泵(7)至少设置于所述向下溅射镀膜阴极(6)的其中一侧的所述第二泵盖(3)的内侧的顶部。

6.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述温控装置(4)包括：

7.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述第二泵盖(3)的内侧的顶部至少设置有一个所述分子泵(7)。

8.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述分子泵(7)与所述腔体(1)之间设置有抽真空用的管路系统。

9.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺室，其特征在于，所述第一泵盖(2)、所述第二泵盖(3)、所述向上溅射镀膜阴极(5)和所述向下溅射镀膜阴极(6)通过导向杆(8)设置在所述腔体(1)的密封面上，且所述第一泵盖(2)、所述第二泵盖(3)、所述向上溅射镀膜阴极(5)和所述向下溅射镀膜阴极(6)与所述腔体(1)之间的缝隙之间设置有真空用密封圈。

10.一种真空镀膜装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的真空镀膜工艺室。

技术总结
本技术涉及真空镀膜技术领域，提供一种真空镀膜工艺室及真空镀膜装置，其中真空镀膜工艺室包括：腔体，具有多个结构尺寸相同的安装工位；第一泵盖和第二泵盖，均至少有一个；温控装置，具有多个，与第一泵盖和第二泵盖连接；第一泵盖、第二泵盖、向上溅射镀膜阴极和向下溅射镀膜阴极任意设置于安装工位上，且位置能够互换；分子泵，用于为腔体提供真空。本技术中，第一泵盖、第二泵盖、向上溅射镀膜阴极和向下溅射镀膜阴极的外形尺寸一致，安装尺寸相同，位置能够互换，不同的位置布局可以设定调试工艺腔体在相同的时间内快速加热到不同的温度，大大地扩大了工艺参数调试范围，有利于找到最合适的设备工艺参数。

技术研发人员：李琦,请求不公布姓名,请求不公布姓名
受保护的技术使用者：三一硅能（株洲）有限公司
技术研发日：20230302
技术公布日：2024/1/13