一种腔体及MPCVD设备的制作方法

本技术涉及微波等离子体，具体而言，涉及一种腔体及mpcvd设备。

背景技术：

1、微波等离子体化学气相沉积法，是当今制备高质量金刚石膜的先进方法，该方法需要用到微波等离子体化学气相沉积设备（简称mpcvd），mpcvd是将微波发生器产生的微波经波导传输系统导入反应腔，并通入甲烷与氢气的混合气体，在微波的激励下，反应腔内产生辉光放电，使反应气体的分子离化、产生等离子体，在样品台上沉积从而得到金刚石膜。

2、现有技术的mpcvd，当需要更换反应腔内的约束环时，需先将反应腔内的气压调节至大气压，待更换新的约束环后，重新将反应腔内的气压抽成负压，如此一调一抽的调压操作，势必耗费大量的人力，延长设备检修时间，不利于提高生产效率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的，在于克服现有技术的不足，提供了一种无需上述调压操作，便可直接更换约束环的腔体。

2、本实用新型的另一目的，在于提供了一种mpcvd设备，其采用了上述腔体。

3、本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

4、一种腔体，所述腔体包括上腔体和下腔体，所述上腔体与下腔体之间设置有允许电磁波通过的隔板，所述隔板与下腔体之间密封连接，所述上腔体与下腔体之间可拆卸的连接。

5、进一步的，所述隔板与下腔体之间设置有第一垫圈；或者/并且，所述隔板与上腔体之间设置有第二垫圈；或者/并且，所述上腔体与下腔体之间设置有密封圈。

6、优选的，所述隔板的材质为石英。

7、进一步的，所述上腔体与下腔体之间设置有凹槽，所述隔板设置在所述凹槽中。

8、进一步的，所述上腔体设置有与电磁波发生系统连接的同轴部，所述同轴部包括外导体和内导体，所述外导体与上腔体连接，所述内导体的一端伸入上腔体内，所述内导体设置有用于向上腔体内通入冷却气体的气道，所述上腔体的腔壁设置有排气孔。

9、进一步的，所述排气孔以气道的出风口为中心均匀设置。

10、进一步的，所述下腔体包括外壳和内胆，所述外壳和内胆之间设置有容纳腔，所述外壳设置有第一接头和第二接头，所述第一接头和第二接头均与容纳腔连通。

11、进一步的，所述第一接头设置在靠近上腔体的一端，所述第二接头设置在远离上腔体的一端，所述第一接头和第二接头不在的外壳的同一侧。

12、一种mpcvd设备，所述mpcvd设备包括所述腔体。

13、一种mpcvd设备，所述mpcvd设备包括所述腔体，所述第二接头与冷却介质输入端连接，所述第一接头与冷却介质输出端连接，所述内导体的另一端与冷却系统连通。

14、本实用新型具有以下优点：

15、上腔体与下腔体之间通过隔板隔断，从而使下腔体成为密封的反应腔，需要更换约束环时，可直接打开上腔体更换，省去了将反应腔内的气压调节至大气压、再重新抽成负压的调压操作，节省了人力，缩短了设备检修时间，提高了生产效率。

技术特征：

1.一种腔体，其特征在于：所述腔体包括上腔体（1）和下腔体（2），所述上腔体（1）与下腔体（2）之间设置有允许电磁波通过的隔板（3），所述隔板（3）与下腔体（2）之间密封连接，所述上腔体（1）与下腔体（2）之间可拆卸的连接。

2.根据权利要求1所述的腔体，其特征在于：所述隔板（3）与下腔体（2）之间设置有第一垫圈（17）；或者/并且，所述隔板（3）与上腔体（1）之间设置有第二垫圈（18）；或者/并且，所述上腔体（1）与下腔体（2）之间设置有密封圈（14）。

3.根据权利要求2所述的腔体，其特征在于：所述隔板（3）的材质为石英。

4.根据权利要求1所述的腔体，其特征在于：所述上腔体（1）与下腔体（2）之间设置有凹槽，所述隔板（3）设置在所述凹槽中。

5.根据权利要求1至4任一项所述的腔体，其特征在于：所述上腔体（1）设置有与电磁波发生系统连接的同轴部（4），所述同轴部（4）包括外导体（5）和内导体（6），所述外导体（5）与上腔体（1）连接，所述内导体（6）的一端伸入上腔体（1）内，所述内导体（6）设置有用于向上腔体（1）内通入冷却气体的气道（7），所述上腔体（1）的腔壁设置有排气孔（8）。

6.根据权利要求5所述的腔体，其特征在于：所述排气孔（8）以气道（7）的出风口为中心均匀设置。

7.根据权利要求6所述的腔体，其特征在于：所述下腔体（2）包括外壳（9）和内胆（10），所述外壳（9）和内胆（10）之间设置有容纳腔（11），所述外壳（9）设置有第一接头（12）和第二接头（13），所述第一接头（12）和第二接头（13）均与容纳腔（11）连通。

8.根据权利要求7所述的腔体，其特征在于：所述第一接头（12）设置在靠近上腔体（1）的一端，所述第二接头（13）设置在远离上腔体（1）的一端，所述第一接头（12）和第二接头（13）不在的外壳（9）的同一侧。

9.一种mpcvd设备，其特征在于：所述mpcvd设备包括权利要求1至8任一项所述的腔体。

10.一种mpcvd设备，其特征在于：所述mpcvd设备包括权利要求7或8任一项所述的腔体，所述第二接头（13）与冷却介质输入端连接，所述第一接头（12）与冷却介质输出端连接，所述内导体（6）的另一端与冷却系统连通。

技术总结
本技术涉及微波等离子体技术领域，具体而言，涉及一种腔体及MPCVD设备，所述腔体包括上腔体和下腔体，所述上腔体与下腔体之间设置有允许电磁波通过的隔板，所述隔板与下腔体之间密封连接，所述上腔体与下腔体之间可拆卸的连接，提供了一种无需调压操作，便可直接更换约束环的腔体。

技术研发人员：黄春林,刘文科,胡宗义,李俊宏,李东亚
受保护的技术使用者：成都沃特塞恩电子技术有限公司
技术研发日：20230307
技术公布日：2024/1/13