一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶的制作方法

本技术涉及平面硅靶领域，尤其是涉及一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶，可应用于以下行业或工艺，包括：真空溅射镀膜、光学真空镀膜、半导体、液晶面板、光学通信、汽车玻璃、信息产业集成电路、平板显示器、太阳能电池、光学器件、装饰镀膜等。

背景技术：

1、磁控溅射靶有两种基本结构，分别是平面靶和圆柱靶。其采用气相原位掺杂的物理气相沉积技术，用平面硅靶或圆柱硅靶固态靶材和多种离子态掺杂气体源同时或分别溅射到基片上实现原位掺杂；具体来说，是把硅靶材从冷凝相中溅射到硅基片上，同时引入一定浓度的离子态的磷烷(ph4 )，凝结到原子尺度的清洁的硅基片或sio2二氧化硅薄膜上，形成掺杂硅薄膜的成核和生长。

2、目前市面上现有的平面靶和圆柱靶都是由多个硅片排列拼接形成靶面，再将其靶面绑定于背板或圆柱面上，如中国实用新型专利中（公开号：cn 216107170 u，公开日：2022.03.22）公开了一种新型磁控溅射旋转圆柱n型硅靶，由于其没有冷却结构，在采用喷涂法、烧结法或硅棒加工法进行加工时，靶面容易开裂，导致产品的镀膜效率和良品率都不佳。

技术实现思路

1、本实用新型为克服上述情况不足，提供了一种能解决上述问题的技术方案。

2、一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶，包括背板、治具和靶材；

3、所述背板的侧边固定安装有进水口和出水口，所述进水口和所述出水口分别设置在所述背板的前后两端，所述进水口和所述出水口之间连接有冷却水路；

4、所述治具可拆卸固定安装在所述背板的上侧边沿，所述靶材间隙配合安装在所述治具内，所述靶材覆盖住所述背板和所述冷却水路设置。

5、作为本实用新型进一步的方案：所述冷却水路一体成型设置在所述背板内。

6、作为本实用新型进一步的方案：所述治具采用方框型结构，所述靶材安装在所述治具的方框型结构内。

7、作为本实用新型进一步的方案：所述背板的表面设置有喷砂层。

8、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

9、1、在靶材的底侧设置冷却水路，冷却水路能够起到一定的冷却效果，避免过热导致靶面开裂，实现高效镀膜，良品率提高；

10、2、治具能够遮挡住背板的边沿，防止喷涂操作时喷涂到背板的周围，喷涂后卸下背板周围的治具，然后对产品进行清洁检验和表面打磨平整，最终形成平面喷涂硅靶。

11、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶，其特征在于：包括背板、治具和靶材；

2.根据权利要求1所述的一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶，其特征在于：所述冷却水路一体成型设置在所述背板内。

3.根据权利要求1所述的一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶，其特征在于：所述治具采用方框型结构，所述靶材安装在所述治具的方框型结构内。

4.根据权利要求1所述的一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶，其特征在于：所述背板的表面设置有喷砂层。

技术总结
本技术公开了一种用于真空溅射镀膜机上的平面硅靶，涉及平面硅靶领域，包括背板、治具和靶材；所述背板的侧边固定安装有进水口和出水口，所述进水口和所述出水口分别设置在所述背板的前后两端，所述进水口和所述出水口之间连接有冷却水路；所述治具可拆卸固定安装在所述背板的上侧边沿，所述靶材间隙配合安装在所述治具内，所述靶材覆盖住所述背板和所述冷却水路设置；所述背板的表面设置有喷砂层；与现有技术相比，本技术的有益效果是：在靶材的底侧设置冷却水路，冷却水路能够起到一定的冷却效果，避免过热导致靶面开裂，实现高效镀膜，良品率提高。

技术研发人员：侯俊男,牛中奇
受保护的技术使用者：东莞市兆广电子材料有限公司
技术研发日：20230310
技术公布日：2024/1/13