一种进气结构及气相沉积设备的制作方法

本技术涉及气相沉积，具体而言，涉及一种进气结构及气相沉积设备。

背景技术：

1、高密度电浆化学气相沉积(high density plasma chemical vapor deposition，hdpcvd)设备在进行工艺加工时，不同种类的工艺气体需要从腔室侧面均匀的流入反应腔内，且在进入反应腔内部之前不允许互相接触。

2、目前hdpcvd设备主要的进气结构分为两种，第一种是在腔体上加工一个环形气道，但该方法会增大加工难度并增大加工成本。第二种是将匀气、进气通道集成到一个独立的进气环中，进气环结构包括若干个匀气道和进气道，但匀气道和进气道连通需要通过在进气环的一侧钻孔，贯穿匀气道和进气道的侧壁实现，匀气道和进气道连通后还需将进气环侧壁上的孔堵焊，焊后热应力极易造成虚焊，产生漏孔。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种进气结构及气相沉积设备，其具有较高的气密性和较低的加工成本。

2、本实用新型的实施例是这样实现的：

3、本实用新型实施例提供一种进气结构，包括进气主体、第一密封条和第二密封条，进气主体具有相对设置的两个加工端面，两个加工端面分别用于在进气主体内加工匀气槽和出气槽，第一密封条将匀气槽的槽口密封以形成匀气道，第二密封条将出气槽的槽口密封以形成出气道，匀气道和出气道的底部通过连接孔连通。

4、可选地，匀气道的底面平行于出气道的底面，连接孔分别垂直于匀气道和出气道的底面。

5、可选地，进气主体上设有与匀气道连通的进气孔和多个与出气道连通的出气孔，多个出气孔在进气主体上均匀分布。

6、可选地，匀气道和出气道均包括至少两个且一一对应设置，每个出气道均与多个出气孔连通。

7、可选地，对应不同出气道的全部出气孔位于同一分布线上。

8、可选地，进气主体和出气道均呈闭合环状，匀气道呈未闭合环状。

9、可选地，出气孔设置在进气主体的内环壁上，并沿进气主体的圆周方向均匀分布。

10、可选地，匀气道的环角为270°～330°。

11、可选地，进气主体内还设有第一气道和第二气道，第一气道的一端与匀气道连通、另一端与进气孔连通，第二气道的一端与出气道连通、另一端与出气孔连通。

12、本实用新型实施例还提供一种气相沉积设备，包括如上任意一项的进气结构。

13、本实用新型实施例的有益效果包括：

14、本实用新型实施例提供的进气结构，包括进气主体、第一密封条和第二密封条，进气主体具有相对设置的两个加工端面，两个加工端面分别用于在进气主体内加工匀气槽和出气槽，第一密封条将匀气槽的槽口密封以形成匀气道，第二密封条将出气槽的槽口密封以形成出气道，匀气道和出气道的底部通过连接孔连通。该进气结构的匀气道和出气道的底部通过连接孔连通，实际加工中，钻孔刀具可以经匀气槽的槽口伸入匀气槽内部，在匀气槽的槽底钻孔至出气槽的槽底，以形成连接孔。该结构对应的加工方式仅在匀气槽和出气槽之间形成了加工孔，待第一密封条和第二密封条将匀气槽和出气槽密封后，无需在进气主体的其他部位进行堵焊以确保匀气道和出气槽的密封性，也不会因虚焊而产生漏孔。因此，该进气结构具有较高的气密性和较低的加工成本。

技术特征：

1.一种进气结构，其特征在于，包括进气主体(110)、第一密封条(120)和第二密封条(130)，所述进气主体(110)具有相对设置的两个加工端面(111)，两个所述加工端面(111)分别用于在所述进气主体(110)内加工匀气槽和出气槽，所述第一密封条(120)将所述匀气槽的槽口密封以形成匀气道(1121)，所述第二密封条(130)将所述出气槽的槽口密封以形成出气道(1122)，所述匀气道(1121)和所述出气道(1122)的底部通过连接孔(113)连通。

2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述匀气道(1121)的底面平行于所述出气道(1122)的底面，所述连接孔(113)分别垂直于所述匀气道(1121)和所述出气道(1122)的底面。

3.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述进气主体(110)上设有与所述匀气道(1121)连通的进气孔(116)和多个与所述出气道(1122)连通的出气孔(117)，多个所述出气孔(117)在所述进气主体(110)上均匀分布。

4.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述匀气道(1121)和所述出气道(1122)均包括至少两个且一一对应设置，每个所述出气道(1122)均与多个所述出气孔(117)连通。

5.根据权利要求4所述的进气结构，其特征在于，对应不同所述出气道(1122)的全部所述出气孔(117)位于同一分布线上。

6.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述进气主体(110)和所述出气道(1122)均呈闭合环状，所述匀气道(1121)呈未闭合环状。

7.根据权利要求6所述的进气结构，其特征在于，所述出气孔(117)设置在所述进气主体(110)的内环壁上，并沿所述进气主体(110)的圆周方向均匀分布。

8.根据权利要求6所述的进气结构，其特征在于，所述匀气道(1121)的环角为270°～330°。

9.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述进气主体(110)内还设有第一气道(118)和第二气道(119)，所述第一气道(118)的一端与所述匀气道(1121)连通、另一端与所述进气孔(116)连通，所述第二气道(119)的一端与所述出气道(1122)连通、另一端与所述出气孔(117)连通。

10.一种气相沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的进气结构。

技术总结
一种进气结构及气相沉积设备，涉及气相沉积技术领域。该进气结构，包括进气主体、第一密封条和第二密封条，进气主体具有相对设置的两个加工端面，两个加工端面分别用于在进气主体内加工匀气槽和出气槽，第一密封条将匀气槽的槽口密封以形成匀气道，第二密封条将出气槽的槽口密封以形成出气道，匀气道和出气道的底部通过连接孔连通。该进气结构的匀气道和出气道的底部通过连接孔连通，对应的加工方式仅在匀气槽和出气槽之间形成了加工孔，待第一密封条和第二密封条将匀气槽和出气槽密封后，无需在进气主体的其他部位进行堵焊以确保匀气道和出气槽的密封性，也不会因虚焊而产生漏孔。因此，该进气结构具有较高的气密性和较低的加工成本。

技术研发人员：战勇,杨晓楠,姜宏亮,李钦波
受保护的技术使用者：拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
技术研发日：20230506
技术公布日：2024/1/14