一种硅棒、硅片、电池片以及光伏组件的制作方法

本申请属于光伏，具体涉及一种硅棒、硅片、电池片以及光伏组件。

背景技术：

1、在太阳能硅棒加工过程中，单晶硅棒开方后形成毛坯方棒，需要对毛坯方棒进行打磨抛光，以将硅棒加工为需要的尺寸。然而，在对毛坯硅棒进行打磨抛光的过程中，很容易在硅棒上形成线痕。

2、现有技术中，硅棒上的线痕通常平行或近似平行于硅棒的轴线。而在硅棒切割成硅片的过程中，线痕容易在硅片上形成凹坑。在后续电池片扩散工序中，在对硅片表面的杂质例如磷硅玻璃进行清理时，难以清除凹坑内的杂质，对硅片的性能造成影响，降低了硅片的光电转换效率。

技术实现思路

1、本申请旨在提供一种硅棒、硅片、电池片以及光伏组件，以解决现有的硅片容易形成凹坑，降低光电转换效率的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、第一方面，本申请公开了一种硅棒，所述硅棒包括：硅棒本体；

4、所述硅棒本体具有切割面，所述切割面与所述硅棒本体的轴线方向垂直；

5、所述硅棒本体与切割面相邻的至少一个表面上具有朝向第一方向延伸的线痕；

6、其中，所述第一方向与切割面之间的夹角小于或者等于第一阈值。

7、可选地，所述硅棒为方形硅棒，所述硅棒与所述切割面相邻的表面包括四个侧面以及四个棱边面，所述棱边面设置在相邻的两个所述侧面之间；其中，

8、所述线痕设置在所述棱边面上；

9、和/或，所述线痕设置在所述侧面上。

10、可选地，所述棱边面为倒角状棱边面。

11、可选地，所述第一阈值为45度。

12、可选地，所述第一阈值为15度。

13、可选地，所述硅棒本体的表面粗糙度小于或者等于ra0.1。

14、第二方面，本申请还公开了一种硅片，所述硅片采用上述任一项所述的硅棒切片而成，所述硅片所在的平面为切割面，所述切割面与所述硅棒的线痕延伸方向之间的夹角小于第一阈值。

15、可选地，所述硅片的表面粗糙度小于或者等于ra0.1。

16、第三方面，本申请还公开了一种电池片，所述电池片包括：上述任一项所述的硅片。

17、第四方面，本申请还公开了一种光伏组件，所述光伏组件包括：上述电池片。

18、本申请实施例中，所述硅棒本体具有切割面，所述硅棒本体与所述切割面相邻的至少一个表面上具有朝向第一方向延伸的线痕，所述第一方向与所述切割面之间的夹角小于或者等于第一阈值。这样，在沿所述切割面将所述硅棒切割成硅片之后，可以在一定程度上避免所述线痕在硅片表面上形成凹坑。进而，可以解决电池片扩散工序中硅片表面的凹坑内的杂质难以清除影响硅片性能的问题，提高了硅片的光电转换效率。

19、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种硅棒，其特征在于，所述硅棒包括：硅棒本体；

2.根据权利要求1所述的硅棒，其特征在于，所述棱边面为倒角状棱边面。

3.根据权利要求1所述的硅棒，其特征在于，所述第一阈值为45度。

4.根据权利要求1所述的硅棒，其特征在于，所述第一阈值为15度。

5.根据权利要求1所述的硅棒，其特征在于，所述硅棒本体的表面粗糙度小于或者等于ra0.1。

6.一种硅片，其特征在于，所述硅片采用权利要求1至5任一项所述的硅棒切片而成，所述硅片所在的平面为切割面，所述切割面与所述硅棒的线痕延伸方向之间的夹角小于第一阈值。

7.根据权利要求6所述的硅片，其特征在于，所述硅片的表面粗糙度小于或者等于ra0.1。

8.一种电池片，其特征在于，所述电池片包括：权利要求6至7任一项所述的硅片。

9.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括：权利要求8所述的电池片。

技术总结
本申请实施例提供了一种硅棒、硅片、电池片以及光伏组件。所述硅棒包括：硅棒本体；所述硅棒本体具有切割面，所述切割面与所述硅棒本体的轴线方向垂直；所述硅棒本体与所述切割面相邻的至少一个表面上具有朝向第一方向延伸的线痕；其中，所述第一方向与切割面之间的夹角小于或者等于第一阈值。本申请实施例中，在沿所述切割面将所述硅棒切割成硅片之后，可以在一定程度上避免所述线痕在硅片表面上形成凹坑。进而，可以解决电池片扩散工序中硅片表面的凹坑内的杂质难以清除影响硅片性能的问题，提高了硅片的光电转换效率。

技术研发人员：马晓康,梁永生,王一淳,付泽华,王猛,张济蕾,徐森炀
受保护的技术使用者：隆基绿能科技股份有限公司
技术研发日：20230531
技术公布日：2024/1/15