一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置的制作方法

本技术涉及陶瓷基板，具体为一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置。

背景技术：

1、陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像pcb板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

2、但是在传统的陶瓷基板磁控溅射镀铜生产过程中缺少适配功能，不能对不同大小的陶瓷基板起到很好的固定作用，不仅如此，传统的陶瓷基板磁控溅射镀铜在生产过程中陶瓷基板固定，使得镀铜不能均匀覆盖陶瓷基板，导致使用时功效性不强。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，包括

4、底板，所述底板的顶端固定连接有电机，所述电机的顶端驱动连接有第一电动升缩杆，所述第一电动升缩杆的顶端固定连接有电动转轴，所述电动转轴的外侧壁固定连接有转盘；

5、所述转盘的顶端固定连接有固定架，所述固定架的一端开设有孔洞，所述孔洞内部滑动连接有第一电动收缩杆，所述第一电动收缩杆的顶端固定连接有限位块，所述固定架的顶端固定连接有第二电动升缩杆，所述第二电动升缩杆的顶端固定连接有顶部固定组件。

6、优选的，所述底板的顶端固定连接有外壳体，所述外壳体的顶端固定连接有电动板，所述电动板的相对一侧固定连接有橡胶密封条。

7、优选的，所述外壳体的一侧固定连接有进气管，所述外壳体的另一侧固定连接有磁控调节器。

8、优选的，所述外壳体的内侧壁固定连接有真空抽气泵。

9、优选的，所述顶部固定组件包括矩形块、伸缩杆和橡胶矩形块，所述矩形块内部开设有槽孔，所述槽孔内部滑动连接有伸缩杆，所述伸缩杆的远离矩形块的一端固定连接有橡胶矩形块。

10、优选的，所述限位块的相对一侧均 固定连接有橡胶防滑垫。

11、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

12、1. 该一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，通过固定架、第一电动收缩杆、限位块、第二电动升缩杆和顶部固定组件的设置，使用时，通过第一电动收缩杆带动限位块移动到合适位置，第二电动升缩杆带动顶部固定组件带动到适合陶瓷基板大小的位置，再通过固定架和顶部固定组件的配合使用，从而达到了能对不同大小的陶瓷基板起到很好的固定作用的效果。

13、2. 该一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，通过电机、电动转轴、转盘和固定架的设置，使用时，通过启动电机，电机驱动电动转轴转动，电动转轴带动转盘转动，再通过转盘和固定架的配合使用，从而达到了使得镀铜能均匀覆盖陶瓷基板的效果，避免了镀铜分布不均导致使用时功效性不强的情况。

技术特征：

1.一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，其特征在于：包括

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，其特征在于：所述底板（1）的顶端固定连接有外壳体（11），所述外壳体（11）的顶端固定连接有电动板（12），所述电动板（12）的相对一侧固定连接有橡胶密封条（13）。

3.根据权利要求2所述的一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，其特征在于：所述外壳体（11）的一侧固定连接有进气管（14），所述外壳体（11）的另一侧固定连接有磁控调节器（15）。

4.根据权利要求2所述的一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，其特征在于：所述外壳体（11）的内侧壁固定连接有真空抽气泵（16）。

5.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，其特征在于：所述顶部固定组件（10）包括矩形块（101）、伸缩杆（102）和橡胶矩形块（103），所述矩形块（101）内部开设有槽孔，所述槽孔内部滑动连接有伸缩杆（102），所述伸缩杆（102）的远离矩形块（101）的一端固定连接有橡胶矩形块（103）。

6.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，其特征在于：所述限位块（8）的相对一侧均固定连接有橡胶防滑垫（17）。

技术总结
本技术涉及陶瓷基板技术领域，具体为一种陶瓷基板磁控溅射镀铜装置，包括，底板，所述底板的顶端固定连接有电机，所述电机的顶端驱动连接有第一电动升缩杆，所述第一电动升缩杆的顶端固定连接有电动转轴，所述电动转轴的外侧壁固定连接有转盘，所述转盘的顶端固定连接有固定架。本技术通过固定架、第一电动收缩杆、限位块、第二电动升缩杆和顶部固定组件的设置，使用时，通过第一电动收缩杆带动限位块移动到合适位置，第二电动升缩杆带动顶部固定组件带动到适合陶瓷基板大小的位置，再通过固定架和顶部固定组件的配合使用，从而达到了能对不同大小的陶瓷基板起到很好的固定作用的效果。

技术研发人员：支建明
受保护的技术使用者：太仓市金鹿电镀有限公司
技术研发日：20231204
技术公布日：2024/8/26