一种物理气相沉积设备的制作方法

本技术涉及半导体制造设备，具体涉及一种物理气相沉积设备。

背景技术：

1、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)是一种表面处理技术，通过在真空条件下，将薄膜材料转换成粒子状态，然后使粒子状态的薄膜材料快速的沉积在衬底上，从而在衬底表面形成薄膜。其中，利用电子束对薄膜材料进行加热，使薄膜材料成为气体的方法具有很多优点。但是，利用电子束加热的装置组成复杂，操作难度大，而且只适用于对单个薄膜材料进行加热，存在着使用不方便和不能满足衬底表面形成多层薄膜的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种物理气相沉积设备，通过本实用新型中的物理气相沉积设备，有效的改善了利用电子束加热的装置组成复杂，操作难度大，而且只适用于对单个薄膜材料进行加热，存在着使用不方便和不能满足衬底表面形成多层薄膜的问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本实用新型提供一种物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备包括：

3、真空腔室；

4、固定台，设置在真空腔室的底板上；

5、膜料池，设置在所述固定台上；

6、电子束发生装置，设置在所述固定台的内部，且所述电子束发生装置的开口与所述真空腔室导通；

7、电子束偏转装置，设置在所述固定台一侧，且所述电子束偏转装置与所述电子束发生装置的开口间隔预设距离设置，且所述电子束偏转装置可改变所述电子束发生装置发射的电子的运动轨迹；以及

8、加热装置，设置在所述真空腔室的顶板上。

9、在本实用新型一实施例中，所述物理气相沉积设备还包括盖板，所述盖板与所述膜料池的开口固定连接。

10、在本实用新型一实施例中，所述电子束发生装置包括功率调节单元和第一电极板，所述功率调节单元的输出端电性连接于所述第一电极板的一侧。

11、在本实用新型一实施例中，所述电子束发生装置还包括电子枪，所述电子枪的输入端电性连接于所述第一电极板的另一侧。

12、在本实用新型一实施例中，所述电子束发生装置还包括第二电极板，所述第二电极板和所述第一电极板相对设置，且靠近所述电子枪的输出端设置。

13、在本实用新型一实施例中，在所述第二电极板上设置有开口，所述电子枪的输出端发射的电子束通过所述开口进入所述真空腔室。

14、在本实用新型一实施例中，所述电子束偏转装置的一端与所述固定台的一侧固定连接，且靠近所述第二电极板设置。

15、在本实用新型一实施例中，所述物理气相沉积设备还包括隔板，所述隔板与所述固定台间隔预设距离设置，且在所述隔板上设置有出气孔。

16、在本实用新型一实施例中，所述物理气相沉积设备还包括挡板，所述挡板贴合所述出气孔设置。

17、在本实用新型一实施例中，所述物理气相沉积设备还包括挡板控制装置，所述挡板控制装置的输出端与所述挡板固定连接。

18、综上所述，本实用新型提供的一种物理气相沉积设备，通过在固定台上设置多个膜料池，可以根据需求使用电子束对多个薄膜材料依次进行加热，提高了镀膜的质量，满足了镀膜需求。并通过电子束发生装置控制电子束的能量和精确的导向以及聚焦，提高了薄膜材料加热的速度和均匀性，提高了镀膜厚度的均匀性，简化了组成装置且操作简单。且通过电子束偏转装置改变电子束的运动轨迹，使得电子束可以进入多个膜料池，实现了对多个膜料池的加热，提高了pvd的工作效率。并且通过隔板和挡板对薄膜材料的分子束进行调节和过滤，提高了薄膜材料的分子束的能量、准直性和纯度，提高了镀膜的质量、精度和效率，也增强了薄膜与衬底的结合强度。

19、当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

技术特征：

1.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述物理气相沉积设备还包括盖板，所述盖板与所述膜料池的开口固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述电子束发生装置包括功率调节单元和第一电极板，所述功率调节单元的输出端电性连接于所述第一电极板的一侧。

4.根据权利要求3所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述电子束发生装置还包括电子枪，所述电子枪的输入端电性连接于所述第一电极板的另一侧。

5.根据权利要求4所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述电子束发生装置还包括第二电极板，所述第二电极板和所述第一电极板相对设置，且靠近所述电子枪的输出端设置。

6.根据权利要求5所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，在所述第二电极板上设置有开口，所述电子枪的输出端发射的电子束通过所述开口进入所述真空腔室。

7.根据权利要求5所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述电子束偏转装置的一端与所述固定台的一侧固定连接，且靠近所述第二电极板设置。

8.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述物理气相沉积设备还包括隔板，所述隔板与所述固定台间隔预设距离设置，且在所述隔板上设置有出气孔。

9.根据权利要求8所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述物理气相沉积设备还包括挡板，所述挡板贴合所述出气孔设置。

10.根据权利要求9所述的一种物理气相沉积设备，其特征在于，所述物理气相沉积设备还包括挡板控制装置，所述挡板控制装置的输出端与所述挡板固定连接。

技术总结
本技术提供一种物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备包括：真空腔室；固定台，设置在真空腔室的底板上；膜料池，设置在所述固定台上；电子束发生装置，设置在所述固定台的内腔中，所述电子束发生装置的开口与所述真空腔室导通；电子束偏转装置，设置在所述固定台一侧，且所述电子束偏转装置与所述电子束发生装置的开口间隔预设距离设置，且所述电子束偏转装置可改变所述电子束发生装置发射的电子束的运动轨迹；以及加热装置，设置在所述真空腔室的顶板上。本技术提供的一种物理气相沉积设备，提高了镀膜的质量和可控性。

技术研发人员：陈卫军,欧阳增图,刘凌海
受保护的技术使用者：苏州辰华半导体技术有限公司
技术研发日：20231225
技术公布日：2024/9/26