成膜装置的制作方法

本发明涉及成膜装置。

背景技术：

1、例如，专利文献1提出一种基板处理装置，具有处理容器内可升降的载置台、与所述载置台相面对，与载置台之间形成处理空间的部件、向处理容器内供给原料气体及反应气体的气体供给部、可调整开度的压力调整阀。形成处理空间的部件与载置台的间隙的调整，对处理空间中执行的工艺有影响。

2、【现有技术文献】

3、【专利文献】

4、【专利文献1】特开2020-200510号公报

技术实现思路

1、【发明要解决的课题】

2、本发明提供一种成膜装置，可正确测定形成处理空间的喷淋头与台面间的间隙。

3、【解决课题的手段】

4、根据本发明的一个方式，提供一种成膜装置，其具有：处理容器，在所述处理容器内设为可升降的台面，与所述台面相面对、具有多个气孔的喷淋头，成膜时使所述台面上升、在所述喷淋头和所述台面之间形成处理空间的升降机构，测定所述喷淋头和所述台面间的间隙的测定部。

5、【发明的效果】

6、根据一个侧面，可正确测定形成处理空间的喷淋头与台面间的间隙。

技术特征：

1.一种成膜装置，具有，

2.根据权利要求1所述的成膜装置，所述测定部具有，在所述喷淋头上设置的涡电流传感器，和在所述台面或所述台面的外周配置的外周部件上设置的金属部件。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，所述涡电流传感器设于突出部上，所述突出部在所述喷淋头的形成有所述多个气孔的区域的外周面上圆环状地突出。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，所述突出部的内径侧的侧面为向外侧扩大的锥形面，

5.根据权利要求4所述的成膜装置，在所述锥形面和所述涡电流传感器之间具有针对所述涡电流传感器防止气体附着用的檐。

6.根据权利要求2所述的成膜装置，所述金属部件为金属电极，其设置于与所述台面或所述外周部件的所述涡电流传感器相面对的位置。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，所述金属电极为网状电极或板状电极，其埋设于所述台面内部或所述外周部件内部。

8.根据权利要求6所述的成膜装置，所述金属电极为金属膜，其在所述台面或所述外周部件的表面上形成。

9.根据权利要求2所述的成膜装置，具有绝缘体的覆盖部件，其至少覆盖所述涡电流传感器的侧面。

10.根据权利要求2所述的成膜装置，具有排气机构，其对所述喷淋头内的所述涡电流传感器的周边空间进行真空排气。

11.根据权利要求1～10的任意一项所述的成膜装置，所述成膜装置为原子层沉积装置。

技术总结
本发明提供一种成膜装置，其具有，处理容器，在所述处理容器内设置为可升降的台面，与所述台面相面对、具有多个气孔的喷淋头，成膜时使所述台面上升，在所述喷淋头和所述台面之间形成处理空间的升降机构，测定所述喷淋头与所述台面间的间隙的测定部。

技术研发人员：高木辽平,川崎裕雄
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2025/1/28