成膜装置和成膜方法与流程

本公开涉及一种成膜装置和成膜方法。

背景技术：

1、在利用原子层沉积(ald：atomic layer deposition)法进行的成膜中，通常，处理容器内的成膜温度越高，则原料气体、反应气体等处理气体越活性化，层叠于基板的膜的膜质量越高。但是，在成膜装置中，当增大处理容器整体的加热量以提高膜质量时，制造成本和基板的热历程(热预算)变高。

2、另一方面，在专利文献1中公开了一种在处理气体用的供给喷嘴内事先将处理气体加热并在处理容器内使处理气体活性化的技术。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利第5017913号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够在抑制成膜的制造成本和基板的热历程的同时，使膜质量进一步提高的技术。

3、用于解决问题的方案

4、根据本公开的一个方式，提供一种成膜装置，所述成膜装置包括：处理容器；基板保持部，其在所述处理容器内保持基板；气体供给部，其能够向所述处理容器内供给处理气体和吹扫气体；以及控制部，其控制所述气体供给部的动作，其中，所述气体供给部具备向所述处理容器内供给所述吹扫气体的气体供给喷嘴，所述气体供给喷嘴具有能够对所述吹扫气体进行加热的加热机构，在向所述处理容器供给所述吹扫气体的工序中，所述控制部使所述加热机构动作，来对将从所述气体供给喷嘴喷出的所述吹扫气体进行加热。

5、发明的效果

6、根据一个方式，能够抑制成膜的制造成本和基板的热历程并且使膜质量进一步提高。

技术特征：

1.一种成膜装置，包括：

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的成膜装置，其中，

6.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，

7.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，

8.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，

9.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，

10.根据权利要求9所述的成膜装置，其中，

11.一种成膜装置的成膜方法，

技术总结
本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够抑制成膜的制造成本和基板的热历程并且使膜质进一步提高。成膜装置包括：处理容器；基板保持部，其在所述处理容器内保持基板；气体供给部，其能够向所述处理容器内供给处理气体和吹扫气体；以及控制部，其控制所述气体供给部的动作。所述气体供给部具备向所述处理容器内供给所述吹扫气体的气体供给喷嘴。所述气体供给喷嘴具有能够对所述吹扫气体进行加热的加热机构。在向所述处理容器供给所述吹扫气体的工序中，所述控制部使所述加热机构动作，来对将从所述气体供给喷嘴喷出的所述吹扫气体进行加热。

技术研发人员：村上博纪
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/9/9