一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法与流程

本发明涉及半导体制造，特别涉及一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法。

背景技术：

1、半导体的加工工序分切割、研磨、刻蚀、抛光等，其中切割后的工序为研磨，研磨的主要作用移除晶片的一定的厚度来修整切割后的晶片表面平整度，并去除切割的线痕以及切割损伤，在工业制造生产过程中，需要定义研磨时厚度移除量的具体数值，才能进行工业化生产。

2、目前各硅片生产厂商，在定义研磨时厚度移除量时，没有一个有效计算公式方法来计算研磨所需的厚度移除量。通常采用选取固定厚度移除量，然后往后加工，根据加工后晶片表面状况及良率来判断前期制定的移除量值是否正确，这样的方法周期长，且重复大量的晶片来进行验证，如果遇切割条件变更时，又需要重新做大量实验来验证，需要消耗大量人力、物力。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，以解决现有计算晶片研磨所需厚度移除量的方法所存在的一个或多个问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，包括：

3、收集基于同一目标切割厚度生产得到的多个晶片作为样本晶片，以计算切割后晶片表面需要被移除的总厚度值x1及计算研磨后晶片的厚度波动值x2；以及，

4、根据计算的所述总厚度值x1及所述厚度波动值x2计算实际研磨时晶片厚度的总移除量x。

5、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，计算所述总厚度值x1的方法包括：

6、对多个所述样本晶片做以下计算中的一种或多种，以用于计算得到所述总厚度：

7、计算所有所述样本晶片的厚度方差σs；

8、计算所有所述样本晶片厚度极差值的均值及方差σttv(s)；

9、计算一所述样本晶片上各测量区域最大线痕深度的平均深度及方差σd；

10、计算一所述样本晶片上各测量区域最大损伤深度的平均深度及方差σd。

11、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，多个所述样本晶片利用不同切割机台和/或不同切割导轮生产得到；和/或，

12、多个所述样本晶片选自晶棒头中尾三个部分。

13、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，，在计算所述样本晶片各测量区域最大线痕深度的平均深度及最大损伤深度的平均深度时，所述样本晶片上所选取的各所述测量区域遍布所述样本晶片。

14、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，各所述测量区域的面积为(0.5～1.5)cm2，各所述测量区域与所述晶片边缘之间的距离小于5mm。

15、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，利用如下公式计算所述总厚度值x1：

16、

17、其中，m为3～6之间的自然数。

18、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，计算研磨后晶片的厚度波动值x2的方法包括：

19、基于以下计算结果中的至少一个计算所述厚度波动值：

20、计算所有所述样本晶片研磨后的厚度方差σg；

21、计算所有所述样本晶片研磨后厚度极差值的均值及方差σttv(g)。

22、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，利用如下公式计算所述厚度波动值x2：

23、

24、其中，m为3～6之间的自然数。

25、可选的，在所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法中，m的取值为3或6。

26、综上所述，本发明提供的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，包括：收集基于同一目标切割厚度生产得到的多个晶片作为样本晶片，以计算切割后晶片表面需要被移除的总厚度值x1及计算研磨后晶片的厚度波动值x2；以及根据计算的所述总厚度值x1及所述厚度波动值x2之和计算实际研磨时晶片厚度的总移除量x。即，本发明直接通过公式计算获得切割后晶片在研磨时需要的具体厚度移除量，节省了验证成本，也减少了人力、物力的消耗。

技术特征：

1.一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，计算所述总厚度值x1的方法包括：

3.如权利要求2所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，多个所述样本晶片利用不同切割机台和/或不同切割导轮生产得到；和/或，

4.如权利要求2所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在——

5.如权利要求4所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，各所述测量区域的面积为(0.5～1.5)cm*(0.5～1.5)cm。

6.如权利要求4所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，位于所述晶片边缘区域的所述测量区域与所述晶片边缘线之间的距离小于5mm。

7.如权利要求2所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，利用如下公式计算所述总厚度值x1：

8.如权利要求1所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，计算研磨后晶片的厚度波动值x2的方法包括：

9.如权利要求8所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，利用如下公式计算所述厚度波动值x2：

10.如权利要求7或9所述的切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，其特征在于，m的取值为3或6。

技术总结
本发明提供一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法，包括：收集基于同一目标切割厚度生产得到的多个晶片作为样本晶片，以计算切割后晶片表面需要被移除的总厚度值X<subgt;1</subgt;及计算研磨后晶片的厚度波动值X<subgt;2</subgt;；以及根据计算的所述总厚度值X<subgt;1</subgt;及所述厚度波动值X<subgt;2</subgt;之和计算实际研磨时晶片厚度的总移除量X。即，本发明直接通过公式计算获得切割后晶片在研磨时需要的具体厚度移除量，节省了验证成本，也减少了人力、物力的消耗。

技术研发人员：翁海统,林明献
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/2