具有汲取管的化学源容器的制作方法

本公开大体上涉及一种用于处理半导体晶片的设备。更具体地，本公开涉及一种设备中的容器，用于从液体源提供汽化的气体前体，该液体源用于在例如原子层沉积(ald)工艺、化学气相沉积(cvd)工艺，或外延沉积工艺中将膜沉积在半导体晶片上。

背景技术：

1、在膜沉积系统中，气体在半导体晶片上流动，由此气体可与其它气态前体反应以便形成特定膜。气体可以由容器中的蒸发液体产生。

2、容器可以包括再填充管线以确保容器具有提供必需量的气态前体所需的足够量的液体源。容器可以填充有附接到汲取管的入口阀。容器还可以具有出口阀，气体或液体可以通过该出口阀离开容器。这样的容器的实例可能在标题为“用于化学气相沉积的试剂供应容器(reagent supply vessel for chemical vapor deposition)”的美国专利号6,077,356中公开，该专利以引用的方式并入本文中。容器可包含汲取管以及液位传感器。

3、图1中示出了本领域已知的化学容器100。化学容器100包括容器壳体110、液位传感器管120、多个液位传感器130a-130d、汲取管140、阀150以及气体或真空源160。在容器壳体110内，形成凹口170。化学容器100可以用于存储液体化学物质，所述液体化学物质随后可以汽化成气体以用于膜沉积过程。

4、多个液位传感器130a-130d可位于沿着液位传感器管120的特定点处，以指示容器壳体110内部的液体处于特定液位。例如，液位传感器130a的读数可以指示容器壳体110内的液体处于75％液位，液位传感器130b的读数可以指示容器壳体110内的液体处于65％液位，液位传感器130c的读数可以指示容器壳体110内的液体处于15％的液位，并且液位传感器130d的读数可以指示容器壳体110内的液体处于10％的液位。

5、液位传感器管120可以延伸到凹口170中，但汲取管140不延伸到凹口中。因为汲取管140不延伸到凹口170中，所以在真空或气体源160推动液体向下通过汲取管140之后，这可能导致容器中有大量液体。

6、另外，与汲取管相同管线的再填充管线(连同附接到容器的其它管线和管)可能经历通过施加输入气体和真空来移除液体源的过程。当施加真空时，需要确保汲取管不含此管内部和下方的任何液体，因为汲取管中的任何液体的存在将导致液体流过泵。然后，泵可能会受损，并给操作人员造成安全问题。

7、因此，需要一种用于处理半导体晶片的容器，其防止容器中的液体通过汲取管抽回。另外，还需要一种用于验证液位在汲取管下方的方法。

技术实现思路

1、根据本发明的一个实施例，公开了一种用于提供化学前体的化学容器，所述化学前体用于将半导体膜沉积在衬底上。所述化学容器包括：容器壳体；内置于容器壳体的底部中的沉孔；从容器壳体顶部基本上延伸到沉孔中的液位传感器管，液位传感器管包括指示容器壳体内的化学前体液位的多个液位传感器；从容器壳体的顶部基本延伸到沉孔的顶部的汲取管；联接到汲取管的真空源；以及将真空源连接到汲取管的真空阀；其中所述真空源构造为从容器壳体移除化学前体的蒸气。

2、提供此
技术实现要素：
来以简化形式介绍一系列概念。下文在本公开的实例实施例的详细描述中更详细地描述这些概念。此发明内容并非旨在标识所要求的主题的关键特征或基本特征，也并非旨在用于限制所要求的主题的范围。

技术特征：

1.一种用于提供化学前体的化学容器，所述化学容器包括：

2.根据权利要求1所述的化学容器，其中所述液位传感器管包括多个液位传感器，其指示化学前体在容器壳体内的液位。

3.根据权利要求2所述的化学容器，其中，多个液位传感器的每一个设置在所述液位传感器管上的不同位置处。

4.根据权利要求3所述的化学容器，其中，所述多个液位传感器中的一个设置在所述沉孔中。

5.根据权利要求4所述的化学容器，其中，所述多个液位传感器中的一个设置在所述沉孔的顶部。

6.根据权利要求1所述的化学容器，其还包括：

7.根据权利要求1所述的化学容器，其还包括

8.一种反应系统，所述反应系统包括：

9.一种化学容器，包括：

10.根据权利要求9所述的化学容器，其中，所述至少一个液位传感器的液位传感器设置在沉孔内。

11.根据权利要求9所述的化学容器，还包括：

技术总结
公开了一种化学容器，所述化学容器包括布置在结合到化学容器的壳体中的细长沉孔中的汲取管和液位传感器管。化学容器可以构造成允许进行推回程序，由此化学容器中的液体液位降低到汲取管在汲取管内部或汲取管底部处没有液体的点。一旦汲取管没有液体，则可使用真空源来吹扫化学容器内的蒸气，而没有损坏真空源的风险。

技术研发人员：A·M·耶德纳克三世,T·R·邓恩
受保护的技术使用者：ASM IP私人控股有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/9