抗回流焊高温的锡保护药水、电镀工艺的制作方法

本发明涉及半导体封装，具体涉及一种抗回流焊高温的锡保护药水、电镀工艺。

背景技术：

1、半导体封装行业，在半导体器件电镀后处理工艺中，广泛使用弱酸性锡保护药水。

2、现有的锡保护药水能使半导体器件的镀层表面生成一层保护膜，增强镀层抗湿能力，可抑制镀层因存储时间长，湿度大导致镀层表面氧化发黄的速度。

3、但是现有锡保护药水浸泡过的产品，在回流焊高温条件下，镀层发黄严重，严重影响镀层外观和易焊性。

4、因此，如何克服锡保护药水在回流焊高温条件下镀层发黄是本领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本发明提供了一种抗回流焊高温的锡保护药水、电镀工艺。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供了一种抗回流焊高温的锡保护药水，包括如下质量份数的组分：第一组分：植酸 0.5～2份；edta-2na 2～5份；磷酸盐 0.2～2.5份；第二组分：硫酸 1～2份；苯并三氮唑 0.1～0.5份。

3、进一步的，所述锡保护药水的ph值为5.5～6.5。

4、进一步的，所述磷酸盐为有机磷酸及其盐类、多元醇磷酸酯类中的任意一种。

5、进一步的，所述多元醇磷酸酯为含有二元醇至六元醇的磷酸酯。

6、又一方面，本发明还提供了一种电镀工艺，依次包括如下步骤：去氧化、预浸、镀锡、水洗、锡保护、水洗、烘干；其中所述锡保护采用如前所述的抗回流焊高温的锡保护药水。

7、进一步的，所述锡保护包括如下步骤：步骤s1，调节ph，将第二组分加入至反应体系内，静置片刻；步骤s2，将第一组分加入至反应体系内，静置片刻；步骤s3，升温加热至25～35℃，完成反应。

8、进一步的，所述步骤s1中磷酸与苯并三氮唑在镀锡层表面形成惰性保护膜并提供第一络合物。

9、进一步的，所述步骤s2中edta-2na在惰性保护膜上方与第一络合物结合形成防湿热功能保护膜，并提供第二络合物。

10、进一步的，所述步骤s3中磷酸盐在防湿热功能保护膜上方与第二络合物结合形成防高温功能保护膜。

11、第三方面，本发明还提供了一种半导体器件，采用如前所述的电镀工艺制备，所述半导体器件在锡保护后表面依次附着有惰性保护膜、防湿热功能保护膜和防高温功能保护膜。

12、本发明的有益效果是，本发明的抗回流焊高温的锡保护药水、电镀工艺通过改进配方，组分中的植酸、edta-2na和磷酸盐均可清除半导体器件表面残留的电镀液成分，同时在第二组分形成初步的惰性保护膜后，edta-2na可与其反应得到的第一络合物进一步形成防湿热功能保护膜，同时在加热反应后磷酸盐进一步结合第二络合物形成防高温功能保护膜，从而实现在保持现有锡保护药水基本功能的基础上，实现抗回流焊高温的效果，改良了镀层的外观和易焊性。

13、本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

14、为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种抗回流焊高温的锡保护药水，其特征在于，包括如下质量份数的双组分：

2.如权利要求1所述的锡保护药水，其特征在于，

3.如权利要求1所述的锡保护药水，其特征在于，

4.如权利要求3所述的锡保护药水，其特征在于，

5.一种电镀工艺，其特征在于，依次包括如下步骤：

6.如权利要求5所述的电镀工艺，其特征在于，所述锡保护包括如下步骤：

7.如权利要求6所述的电镀工艺，其特征在于，

8.如权利要求7所述的电镀工艺，其特征在于，

9.如权利要求7所述的电镀工艺，其特征在于，

10.一种半导体器件，采用如权利要求5-9任一项所述的电镀工艺制备，其特征在于，所述半导体器件在锡保护后表面依次附着有惰性保护膜、防湿热功能保护膜和防高温功能保护膜。

技术总结
本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种抗回流焊高温的锡保护药水、电镀工艺，包括如下质量份数的组分：第一组分：植酸0.5～2份；EDTA‑2Na 2～5份；磷酸盐0.2～2.5份；第二组分：硫酸1～2份；苯并三氮唑0.1～0.5份；本发明的抗回流焊高温的锡保护药水、电镀工艺通过改进配方，组分中的植酸、EDTA‑2Na和磷酸盐均可清除半导体器件表面残留的电镀液成分，同时在第二组分形成初步的惰性保护膜后，EDTA‑2Na可与其反应得到的第一络合物进一步形成防湿热功能保护膜，同时在加热反应后磷酸盐进一步结合第二络合物形成防高温功能保护膜，从而实现在保持现有锡保护药水基本功能的基础上，实现抗回流焊高温的效果，改良了镀层的外观和易焊性。

技术研发人员：唐克伟,李友,武华飞,王路
受保护的技术使用者：常州银河世纪微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/20