一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法与流程

本发明涉及微波件镀覆，更具体地讲，涉及一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法。

背景技术：

1、微波组件越来越多地采取二次集成技术，应越来越高的小型化、轻量化、集成化要求，在微波腔体内集成更多的芯片与器件，涉及复杂的微组装工艺，有软钎焊、导电胶粘接、激光封焊等，这些组装必须在镀层上实现。

2、而通常微波腔体采用的是化学镀镍工艺，在8～10微米的镍层表面进行焊接与粘贴，因为要兼顾化学镍镀层的三防可靠性，故行业内选择的基本是中磷镍(镍含量6～9％)，虽然一定含量的磷元素能够有效提高镀层耐蚀性，但降低镀层表面电阻并成为阻焊因子，导致焊接失效而返工和报废现象长期存在，化学镍镀层的可焊性问题成了困扰业内人士的一大难题；

3、行业内均大量采用中磷化学镍体系，因其适中的耐磨性、耐蚀性、硬度、磁性，在许多应用场所无法被低磷镍替代，但磷含量导致了其可焊性受限。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是，提供一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法；

2、本发明解决技术问题所采用的解决方案是：

3、一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，具体包括以下步骤：

4、采用弱碱性处理剂进行调制，形成处理溶液；

5、处理溶液升温及保温；

6、将化学镀镍后的产品浸渍在升温后的处理溶液中；

7、将微波件进行高温烘烤，处理溶液在微波组件表面固化成膜。

8、在一些可能的实施方式中，所述弱碱性处理剂为n i 315水性封闭剂。

9、在一些可能的实施方式中，所述处理溶液包括水和弱碱性处理剂，其中弱碱性处理剂在水中的体积百分比为4％-7％。

10、在一些可能的实施方式中，所述保温的温度为45℃-55℃。

11、在一些可能的实施方式中，在将产品浸渍在升温后的处理溶液中前，还将对产品进行化学镀镍、水洗。

12、在一些可能的实施方式中，化学镀镍后的产品浸渍在升温后的处理溶液中的时间为1min-5min。

13、在一些可能的实施方式中，在化学镀镍后的产品浸渍完成后，对其采用去离子水进行水洗；其中，水电导率0.5-10μs/cm。

14、在一些可能的实施方式中，高温烘烤的温度为100±5℃，烘烤时间为10±1min。

15、在一些可能的实施方式中，还包括在固化成膜后，进行继续烘烤、除氢或局部镀金。

16、与现有技术相比，本发明的有益效果：

17、本发明在不改变中磷镍镀液体系、不改变现有化学镀镍工艺的前提下，延长镀液使用周期，降低镀液报废成本；同时避免金脆、金层焊料流布现象，替代部分局部镀金需求，降低镀金成本；

18、本发明能够提高焊接性能，镀镍层表面、绝缘子孔的焊料铺展均匀平滑，一次焊接合格率明显提高；

19、采用本发明制备的产品与微波腔体其他器件的微组装工艺兼容良好，对导电胶流布、焊料流布的无副作用。

技术特征：

1.一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，所述弱碱性处理剂为ni 315水性封闭剂。

3.根据权利要求1所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，所述处理溶液包括水和弱碱性处理剂，其中弱碱性处理剂在水中的体积百分比为4％-7％。

4.根据权利要求1所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，所述保温的温度为45℃-55℃。

5.根据权利要求1所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，在将产品浸渍在升温后的处理溶液中前，还将对产品进行化学镀镍、水洗。

6.根据权利要求5所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，化学镀镍后的产品浸渍在升温后的处理溶液中的时间为1min-5min。

7.根据权利要求1所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，在化学镀镍后的产品浸渍完成后，对其采用去离子水进行水洗；其中，水电导率0.5-10μs/cm。

8.根据权利要求1所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，高温烘烤的温度为100±5℃，烘烤时间为10±1min。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，其特征在于，还包括在固化成膜后，进行继续烘烤、除氢或局部镀金。

技术总结
本发明涉及微波件镀覆技术领域，具体公开了一种提高微波件封装质量的镀覆处理方法，具体包括以下步骤：采用弱碱性处理剂进行调制，形成处理溶液；处理溶液升温及保温；将化学镀镍后的产品浸渍在升温后的处理溶液中；将微波件进行高温烘烤，处理溶液在微波组件表面固化成膜。本发明在不改变中磷镍镀液体系、不改变现有化学镀镍工艺的前提下，延长镀液使用周期，降低镀液报废成本；同时避免金脆、金层焊料流布现象，替代部分局部镀金需求，降低镀金成本；本发明能够提高焊接性能，镀镍层表面、绝缘子孔的焊料铺展均匀平滑，一次焊接合格率明显提高；采用本发明制备的产品与微波腔体其他器件的微组装过程兼容良好，对导电胶流布、焊料流布无副作用。

技术研发人员：廖彦格,赵鸣霄,杨显涛,王智红,李蜀非,付银辉
受保护的技术使用者：成都四威高科技产业园有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/30