一种半导体处理设备及其气体输送系统的制作方法

本发明涉及半导体制造设备，尤其涉及一种半导体处理设备及其气体输送系统。

背景技术：

1、cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)反应腔是进行化学气相沉积的关键设备，通过气体管路将来自气体源的反应气体输送入反应腔中，对位于反应腔中的基片进行沉积处理。在设备安装过程中可能由于操作不当令气体管路发生歪斜，或者在沉积处理过程中，气体管路由于自重原因或其他原因发生歪斜，导致气体分布不均匀，沉积速率不一致，反应效率降低，设备维护难度增加，工艺稳定性受影响，并存在安全隐患。

2、这里的陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体处理设备及其气体输送系统，令进气管路保持竖直状态，确保进气管路不会发生歪斜，避免进气管路与反应腔内壁接触生成固体颗粒物，简化了安装过程，提升了进气管路的稳定性和反应腔内基片的安全性，确保了半导体设备稳定运行，提高了设备运行效率，提高了产量。

2、为了达到上述目的，本发明提供一种半导体处理设备，包含：

3、反应腔；

4、晶舟，其设置在所述反应腔内，所述晶舟上承载有多个沿竖直方向设置的基片；

5、进气管路，所述进气管路沿着竖直方向从所述反应腔的底部延伸至所述反应腔的顶部；

6、固定装置，所述固定装置包含至少两个固定块，所述固定块设置在所述反应腔的内壁上，所述固定块分别位于所述进气管路的两侧，所述固定块与所述进气管路紧密贴合。

7、所述进气管路的进气端连通至外部气体源，所述进气管路的出气端呈u型结构，所述出气端的末尾设置出气口。

8、所述固定块与所述反应腔一体成型，所述反应腔和所述固定块的材质均采用石英。

9、位于所述进气管路两侧的所述固定块处于同一水平面，且两个所述固定块之间的距离等于所述进气管路的外径。

10、所述固定块的长度设置为2mm，宽度设置为2mm，厚度设置为所述进气管路的外径的二分之一。

11、所述进气管路的材质采用石英。

12、本发明还提供一种用于半导体处理设备的气体输送系统，所述半导体处理设备的反应腔内设置晶舟，所述晶舟上承载有多个沿竖直方向设置的基片，所述气体输送系统包含：

13、进气管路，所述进气管路沿着竖直方向从所述反应腔的底部延伸至所述反应腔的顶部；

14、外部气体源，其连通至所述进气管路的进气端；

15、固定装置，所述固定装置包含至少两个固定块，所述固定块设置在所述反应腔的内壁上，所述固定块分别位于所述进气管路的两侧，所述固定块与所述进气管路紧密贴合。

16、所述进气管路的出气端呈u型结构，所述出气端的末尾设置出气口。

17、所述固定块与所述反应腔一体成型，所述反应腔和所述固定块的材质均采用石英。

18、位于所述进气管路两侧的所述固定块处于同一水平面，且两个所述固定块之间的距离等于所述进气管路的外径。

19、所述固定块的长度设置为2mm，宽度设置为2mm，厚度设置为所述进气管路的外径的二分之一。

20、所述进气管路的材质采用石英。

21、本发明通过增设固定装置来安装和固定进气管路，令进气管路保持竖直状态，确保进气管路不会发生歪斜，也不会因晃动而与反应腔内壁发生碰撞和摩擦，避免生成固体颗粒物，简化了安装过程，提升了进气管路的稳定性和反应腔内基片的安全性，确保了半导体设备稳定运行，提高了设备运行效率，提高了产量。

技术特征：

1.一种半导体处理设备，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气管路的进气端连通至外部气体源，所述进气管路的出气端呈u型结构，所述出气端的末尾设置出气口。

3.如权利要求2或3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定块与所述反应腔一体成型，所述反应腔和所述固定块的材质均采用石英。

4.如权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，位于所述进气管路两侧的所述固定块处于同一水平面，且两个所述固定块之间的距离等于所述进气管路的外径。

5.如权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定块的长度设置为2mm，宽度设置为2mm，厚度设置为所述进气管路的外径的二分之一。

6.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气管路的材质采用石英。

7.一种用于半导体处理设备的气体输送系统，所述半导体处理设备的反应腔内设置晶舟，所述晶舟上承载有多个沿竖直方向设置的基片，其特征在于，所述气体输送系统包含：

8.如权利要求7所述的气体输送系统，其特征在于，所述进气管路的出气端呈u型结构，所述出气端的末尾设置出气口。

9.如权利要求7或8所述的气体输送系统，其特征在于，所述固定块与所述反应腔一体成型，所述反应腔和所述固定块的材质均采用石英。

10.如权利要求9所述的气体输送系统，其特征在于，位于所述进气管路两侧的所述固定块处于同一水平面，且两个所述固定块之间的距离等于所述进气管路的外径。

11.如权利要求10所述的气体输送系统，其特征在于，所述固定块的长度设置为2mm，宽度设置为2mm，厚度设置为所述进气管路的外径的二分之一。

12.如权利要求8所述的气体输送系统，其特征在于，所述进气管路的材质采用石英。

技术总结
一种半导体处理设备及其气体输送系统，连接外部气体源的进气管路沿着竖直方向从半导体处理设备的反应腔的底部延伸至反应腔的顶部，反应腔的内壁上设置至少两个分别位于进气管路两侧的固定块，固定块与进气管路紧密贴合。本发明令进气管路保持竖直状态，确保进气管路不会发生歪斜，避免进气管路与反应腔内壁接触生成固体颗粒物，简化了安装过程，提升了进气管路的稳定性和反应腔内基片的安全性，确保了半导体设备稳定运行，提高了设备运行效率，提高了产量。

技术研发人员：钟伟峰,朱红群,钟佑恺
受保护的技术使用者：芯恺半导体设备（徐州）有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/30