蒸镀速率监测装置、蒸镀系统和蒸镀方法与流程

本申请涉及蒸镀，并且更具体地，涉及蒸镀速率监测装置、蒸镀系统和蒸镀方法。

背景技术：

1、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)器件的制作主要采用蒸镀设备在高真空环境下加热蒸镀材料，使蒸镀材料在高温状态下气化，沉积在oled器件的待蒸镀基板表面。

2、为了确保基板表面蒸镀成膜的准确性，需要对材料蒸发过程进行实时监测，所以提出了通过晶振系统，将系统中的晶振片引入到材料蒸镀的环境中，使得晶振片的表面也逐渐蒸镀上一层材料层，通过利用晶振片的压电效应和电致伸缩效应实现蒸镀速率的监测。

3、但是为了实现蒸镀速率监测的功能，会直接影响蒸镀设备的蒸镀效率，导致蒸镀效率下降。

技术实现思路

1、本申请提供一种蒸镀速率监测装置、蒸镀系统和蒸镀方法，对晶振系统中已有的元件进行较为简单的结构改进，以较低的难度和成本，实现基于一个晶振片进行蒸镀速率监测的同时，对另一个晶振片同步进行预蒸镀，在进行蒸镀速率监测晶振片被完成预蒸镀的晶振片替换后，该完成预蒸镀的晶振片可以直接参与到蒸镀速率监测，有助于增加蒸镀设备的蒸镀效率。

2、第一方面，提供了一种蒸镀速率监测装置，该蒸镀速率监测装置包括晶振片托盘和第一挡板，晶振片托盘的第一表面用于固定n个晶振片，n大于2，第一挡板遮盖于晶振片托盘的第一表面之上，第一挡板包括第一开孔和第二开孔，第一开孔用于暴露n个晶振片中的一个晶振片，第二开孔用于暴露n个晶振片中的另一个晶振片，蒸镀速率监测装置还包括：第一转盘，第一转盘的至少部分遮盖于第一挡板的至少部分之上，第一转盘包括第一开口，第一开口用于暴露第二开孔。

3、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一挡板的至少部分为第一开孔和第二开孔，或者第一挡板的至少部分为第二开孔。

4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在第一挡板的至少部分为第二开孔时，蒸镀速率监测装置还包括：第二转盘，第二转盘的至少部分遮盖第一开孔，第二转盘包括第二开口，第二开口用于暴露第一开孔，第一开口的开口角度小于第二开口的开口角度。

5、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，晶振片用于蒸镀材料膜，蒸镀速率监测装置还包括：膜厚检测器，膜厚检测器被配置为：检测位于第一开孔的晶振片的第一表面膜厚，或者检测位于第二开孔的晶振片的第二表面膜厚；换片器，换片器与晶振片托盘连接，换片器被配置为：在第一表面膜厚的增加量达到第一膜厚阈值，或者第一表面膜厚达到最大成膜厚度，或者第二表面膜厚达到第二膜厚阈值时，将位于第二开孔的晶振片切换至第一开孔的位置，并将位于第一挡板下的晶振片切换至第二开孔的位置，第一膜厚阈值大于或者等于第二膜厚阈值，且第一膜厚阈值小于或者等于最大成膜厚度，在第一表面膜厚达到最大成膜厚度时，晶振片无法用于检测蒸镀速率。

6、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在第一膜厚阈值等于第二膜厚阈值的情况下，第一膜厚阈值小于或者等于晶振片的最大成膜厚度的50％；或者，在第一膜厚阈值大于第二膜厚阈值的情况下，第一膜厚阈值等于最大成膜厚度。

7、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一开口的开口角度在[10°,50°]区间内。

8、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一转盘的转速在[80r/s,150r/s]区间内。

9、第二方面，提供了一种蒸镀系统，包括蒸镀源和如上述第一方面的蒸镀速率监测装置设计中任意一种可能实现方式中的蒸镀速率监测装置，且该蒸镀速率监测装置的第一开孔和第二开孔与蒸镀源相对设置。

10、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，蒸镀系统还包括蒸镀控制器；蒸镀速率检测装置的膜厚检测器用于根据位于第一开孔的晶振片表面膜厚在单位时间内的变化量，确定蒸镀源的实时蒸镀速率，并向蒸镀控制器发送实时蒸镀速率；

11、所述蒸镀控制器用于根据实时蒸镀速率确定功率调控信号，并向电源发送功率调控信号，功率调控信号用于调节电源为蒸镀源提供电能的功率，以控制蒸镀源的蒸镀速率。

12、第三方面，提供了一种蒸镀方法，应用于上述第一方面的蒸镀速率监测装置设计中任意一种可能实现方式中的蒸镀速率监测装置，该方法包括：在接收到来自膜厚检测器的第一检测数据时，控制换片器将位于第二开孔的晶振片切换至第一开孔的位置，并将位于第一挡板下的晶振片切换至第二开孔的位置，第一检测数据用于指示当前位于第一开孔的晶振片的第一表面膜厚的增加量达到第一膜厚阈值；或者，在接收到来自膜厚检测器的第二检测数据时，控制换片器将位于第二开孔的晶振片切换至第一开孔的位置，并将位于第一挡板下的晶振片切换至第二开孔的位置，第二检测数据用于指示当前位于第一开孔的晶振片的第一表面膜厚达到最大成膜厚度；或者，在接收到来自膜厚检测器的第二检测数据时，控制换片器将位于第二开孔的晶振片切换至第一开孔的位置，并将位于第一挡板下的晶振片切换至第二开孔的位置，第二检测数据用于指示当前位于第二开孔的晶振片的第二表面膜厚的增加量达到第二膜厚阈值。

13、第四方面，提供了一种控制装置，包括处理器和存储器，其中，处理器和存储器相连，其中，存储器用于存储程序代码，处理器用于调用程序代码，以执行上述第三方面的方法设计中任意一种可能的实现方式中的方法。

14、第五方面，提供了一种控制装置，包括用于执行如上述第三方面的方法设计中任意一种可能的实现方式中的方法的模块或者单元。

15、第六方面，提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行以实现第三方面的方法设计中任意一种可能的实现方式中的方法。

16、第七方面，提供了一种计算机程序产品，包括指令，当该指令被处理器运行时，使得计算机执行上述第三方面的方法设计中任意一种可能的实现方式中的方法。

技术特征：

1.一种蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述蒸镀速率监测装置包括晶振片托盘(210)和第一挡板(220)，所述晶振片托盘(210)的第一表面(01)用于固定n个晶振片，所述n大于2，所述第一挡板(220)遮盖于所述晶振片托盘(210)的第一表面(01)之上，

2.根据权利要求1所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述第一挡板(220)的至少部分为所述第一开孔(221)和所述第二开孔(222)，或者所述第一挡板(220)的至少部分为所述第二开孔(222)。

3.根据权利要求2所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，在所述第一挡板(220)的至少部分为所述第二开孔(222)时，所述蒸镀速率监测装置还包括：

4.根据权利要求2或3所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述晶振片用于蒸镀材料膜，所述蒸镀速率监测装置还包括：

5.根据权利要求4所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，在所述第一膜厚阈值等于所述第二膜厚阈值的情况下，所述第一膜厚阈值小于或者等于所述晶振片的所述最大成膜厚度的50％；或者，在所述第一膜厚阈值大于所述第二膜厚阈值的情况下，所述第一膜厚阈值等于所述最大成膜厚度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述第一开口(231)的开口角度在[10°,50°]区间内。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的蒸镀速率监测装置，其特征在于，所述第一转盘(230)的转速在[80r/s,150r/s]区间内。

8.一种蒸镀系统，其特征在于，包括蒸镀源(810)和如权利要求1至7中任一项所述的蒸镀速率监测装置，所述蒸镀速率监测装置的第一开孔(221)和第二开孔(222)与所述蒸镀源(810)相对设置。

9.根据权利要求8所述的蒸镀系统，其特征在于，所述蒸镀系统还包括蒸镀控制器(820)；

10.一种蒸镀方法，其特征在于，应用于如权利要求1至7中任一项所述的蒸镀速率监测装置，所述方法包括：

11.一种控制装置，其特征在于，包括处理器和存储器，其中，所述处理器和存储器相连，其中，所述存储器用于存储程序代码，所述处理器用于调用所述程序代码，以执行如权利要求10所述的方法。

技术总结
本申请提供了蒸镀速率监测装置、蒸镀系统和蒸镀方法，涉及蒸镀技术领域，该蒸镀速率监测装置包括：晶振片托盘和第一挡板，晶振片托盘的第一表面用于固定N个晶振片，N大于2，第一挡板遮盖于晶振片托盘的第一表面之上，第一挡板包括第一开孔和第二开孔，第一开孔用于暴露N个晶振片中的一个晶振片，第二开孔用于暴露N个晶振片中的另一个晶振片；第一转盘，第一转盘的至少部分遮盖于第一挡板的至少部分之上，第一转盘包括第一开口，第一开口用于暴露第二开孔。基于该蒸镀速率监测装置，能够以较低的难度和成本，实现基于一个晶振片进行蒸镀速率监测的同时，对另一个晶振片同步进行预蒸镀，有助于增加蒸镀设备的蒸镀效率。

技术研发人员：曹奕,杜佳诚,秦秋静,祁雨,韦鉴峰
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/30