一种可以形成钼拖尾的蚀刻液的制作方法

本发明属于金属湿法蚀刻和半导体显示技术交叉领域，具体涉及一种可以形成钼拖尾的蚀刻液。

背景技术：

1、由于铝的成本低、导电性能良好，因此铝及其合金成为了半导体显示制造中的重要材料，常见以钼铝、钼铝钼等铝及其合金的多层金属作为金属膜层的形式应用在tft-lcd制造中。用于线路布置的金属膜层需要经过刻蚀形成特定图案。

2、在蚀刻mo/al/mo/moox叠层时，钼的侧蚀量若小于铝的侧蚀量，代表产生了钼拖尾，钼的侧蚀量若大于铝的侧蚀量，代表产生了钼缩进。不同显示制造技术对于钼缩进或钼拖尾的要求不同。为了提高工艺的稳定性以及产品良率，部分显示制造技术要求避免钼缩进的形成。本发明旨在提供一种可以改善钼缩进并兼容多种铝及其合金的多层金属的钼铝钼蚀刻液。

技术实现思路

1、为了提高mo/al/mo/moox叠层金属膜层的产品性能与产品良率，本申请提供一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，将钼拖尾控制在0~0.25um，技术方案包括以下内容：

2、一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，所述蚀刻液组分为：磷酸60-75%、硝酸1-5%、醋酸10-20%、添加剂0. 3%-8%和余量水。

3、所述添加剂包括添加剂a和添加剂b；所述添加剂a为r-(-)-仲辛醇、正庚醇、2-异丙基-1,7庚二醇、1,2己二醇或吐温40中的一种或多种。

4、所述添加剂b包括磷酸氢盐、磷酸二氢盐、柠檬酸盐、硝酸盐、醋酸盐、过硫酸盐、二乙二醇或苯基脲中的至少一种。

5、所述盐选自钠盐、钾盐或铵盐中的一种或多种。

6、所述添加剂a的用量为0.005-0.05%；所述添加剂b的用量为0.3-7.95%。

7、一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，用于含钼、铝及钼氧化物的金属叠层蚀刻，避免钼缩进，实现对钼拖尾在0-0.25um之间的调节。

8、本发明有益效果在于：根据不同工艺路线的需求，调节刻蚀形貌的cd bias、taper、mo tip与mo tail，可以避免钼缩进的产生，同时可以实现对钼拖尾（包括mo tip与mo tail）在0~0.25um范围内的调节、taper在45-80°范围内的调节、关键尺寸偏差（cdbias）在0.05-0.5um范围内的调节。。关键尺寸偏差（cd bias）、倾斜角（taper）、顶层钼相对铝的尺寸偏差（mo tip）和底层钼相对铝的尺寸偏差（mo tail）的均一性更高，蚀刻后的形貌尺寸更均一，有利于蚀刻良率的提升。

技术特征：

1. 一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液组分为：磷酸60-75%、硝酸1-5%、醋酸10-20%、添加剂0. 3%-8%和余量水。

2.根据权利要求1所述的一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，其特征在于，所述添加剂包括添加剂a和添加剂b；所述添加剂a为r-(-)-仲辛醇、正庚醇、2-异丙基-1,7庚二醇、1,2己二醇或吐温40中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，其特征在于，所述添加剂b包括磷酸氢盐、磷酸二氢盐、柠檬酸盐、硝酸盐、醋酸盐、过硫酸盐、二乙二醇或苯基脲中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，其特征在于，所述盐选自钠盐、钾盐或铵盐中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的一种可以形成钼拖尾的蚀刻液，其特征在于，所述添加剂a的用量为0.005-0.05%；所述添加剂b的用量为0.3-7.95%。

6.权利要求1-5任一项所述蚀刻液的应用，其特征在于，用于含钼、铝及钼氧化物的金属叠层蚀刻，避免钼缩进，实现对钼拖尾在0-0.25um之间的调节。

技术总结
本申请针对Mo/Al/Mo/MoOx的叠层金属膜层提供了一种可以形成高均一性的钼拖尾的蚀刻液。所述蚀刻液含有磷酸、硝酸、醋酸、添加剂、超纯水。本发明提供了一种解决钼铝、钼铝钼等叠层金属结构横向蚀刻中钼蚀刻速率高于铝蚀刻速率的方案，有助于提高蚀刻精度、改善产品良率。

技术研发人员：李少平,雷康乐,贺兆波,秦祥,叶瑞,张演哲,钟昌东,高楒羽,张宗萍,郑秋瞳,张玥,李文飞
受保护的技术使用者：湖北兴福电子材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/16