一种用于PVB导电浆料的水基清洗剂及清洗方法与流程

本申请涉及化工，特别是一种用于pvb导电浆料的水基清洗剂及清洗方法。

背景技术：

1、新能源行业的蓬勃发展与电子领域的持续革新，使人类生产生活水平不断提升，而导电浆料是生产光伏板、电车电池、电路板等光电器件中重要的组成成分。pvb导电浆料是一类以聚乙烯醇缩丁醛为分散基质的导电浆料，因pvb有良好的溶解性、耐水性、低黏度、热稳定性等特点，使其成为一种广泛使用的浆料分散剂。生产过程中，残留的导电浆料在干燥固化后，会紧紧附着在金属设备表面，影响后续的产品的质量。

2、过去的方法是通过有机溶剂来溶解金属设备上干的pvb浆料污渍，然而有机溶剂往往伴随着voc(挥发性有机物)超标、易燃等因素，限制了其进一步应用。

技术实现思路

1、鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种用于pvb导电浆料的水基清洗剂及清洗方法，包括：

2、一种用于pvb导电浆料的水基清洗剂，包括洗涤液和恢复液；

3、以质量计，所述洗涤液包括醇5～20％、聚乙二醇(200)5～20％、缓冲物质10～35％、余量为水；

4、以质量计，所述恢复液包括质子酸40～70％、醇15～20％、聚乙二醇(200)5～10％、余量为水；

5、以质量计，所述洗涤液与所述恢复液的混合比例为2：0-1。

6、进一步地，所述质子酸为乳酸、乙酸、柠檬酸、硫酸、盐酸等。

7、进一步地，所述醇包括乙醇、乙二醇或丙三醇。

8、进一步地，所述缓冲物质为乙酸钠的乙酸溶液、乳酸钠的乳酸溶液或柠檬酸钠的柠檬酸溶液。

9、进一步地，所述洗涤液ph为4-6。

10、进一步地，还包括消泡剂，所述消泡剂的含量不超过3％。

11、进一步地，还包括分散剂，所述分散剂的含量为0.1-5％。

12、进一步地，所述分散剂为聚丙烯酸。

13、进一步地，还包括表面活性剂，所述表面活性剂含量为0.1-5％。

14、一种pvb导电浆料的清洗方法，所述清洗方法通过上述任一项所述的水基清洗剂实现，包括步骤：

15、按预设比例混合洗涤液与恢复液得到清洗剂，并控制所述清洗剂的ph为4-6；

16、将待清洗产品置于所述清洗剂中，在20-60khz，30-60℃的环境下超声清洁10-40min，对所述待清洗产品进行清洗。

17、本申请具有以下优点：

18、在本申请的实施例中，针对现有技术中有机溶剂溶解pvb浆料污渍污染较为严重，且操作危险性较高，操作环境限制较大的缺点，本申请提供了一种用于pvb导电浆料的水基清洗剂，包括洗涤液和恢复液；以质量计，所述洗涤液包括醇5～20％、聚乙二醇(200)5～20％、缓冲物质10～35％、余量为水；以质量计，所述恢复液包括质子酸40～70％、醇15～20％、聚乙二醇(200)5～10％、余量为水；以质量计，所述洗涤液与所述恢复液的混合比例为2：0-1。通过洗涤液，可以清除光电器件表面附着的pvb浆料污渍，无毒无害，减少安全性问题，并通过恢复液，保证洗涤液的清洗能力，使用原料成本低廉，清洗剂无毒害成分，清洁效率高，为光电器件的顺利生产与相关设备的清洁维护，提供重要的作用。

技术特征：

1.一种用于pvb导电浆料的水基清洗剂，其特征在于，包括洗涤液和恢复液；

2.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，所述醇包括乙醇、乙二醇或丙三醇。

3.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，所述缓冲物质为乙酸钠的乙酸溶液、乳酸钠的乳酸溶液或柠檬酸钠的柠檬酸溶液。

4.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，所述质子酸为乳酸、乙酸、柠檬酸、硫酸、盐酸等。

5.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，所述洗涤液ph为4-6。

6.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，还包括消泡剂，所述消泡剂的含量不超过3％。

7.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，还包括分散剂，所述分散剂的含量为0.1-5％。

8.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，所述分散剂为聚丙烯酸。

9.根据权利要求1所述的水基清洗剂，其特征在于，还包括表面活性剂，所述表面活性剂含量为0.1-5％。

10.一种pvb导电浆料的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法通过权利要求1-9任一项所述的水基清洗剂实现，包括步骤：

技术总结
本申请提供了一种用于PVB导电浆料的水基清洗剂，包括洗涤液和恢复液；以质量计，所述洗涤液包括醇5～20％、聚乙二醇(200)5～20％、缓冲物质10～35％、余量为水；以质量计，所述恢复液包括质子酸40～70％、醇15～20％、聚乙二醇(200)5～10％、余量为水；以质量计，所述洗涤液与所述恢复液的混合比例为2：0‑1。通过洗涤液，可以清除光电器件表面附着的PVB浆料污渍，并通过恢复液，保证洗涤液的清洗能力，使用原料成本低廉，清洗剂无毒害成分，清洁效率高，为光电器件的顺利生产与相关设备的清洁维护，提供重要的帮助。

技术研发人员：李翔,王万洋,王赫麟
受保护的技术使用者：中科微新材料（深圳）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/20