本发明涉及金刚石,特别是涉及自支撑的金刚石膜的制备方法。
背景技术:
1、目前,通常采用异质外延法生长金刚石膜,然后用浓硝酸与氢氟酸的混合液将单晶硅衬底等异质衬底完全刻蚀,获得自支撑的金刚石膜。但是,由于异质衬底与金刚石的热膨胀系数相差较大,在异质衬底存在时,金刚石膜与异质衬底之间有很大的热应力,当异质衬底被刻蚀掉后,应力释放,容易使金刚石膜碎裂。另外,浓硝酸与氢氟酸溶液具有很强的腐蚀性,在生产操作中非常危险,且后期难以无害化处理,会对环境造成危害。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对上述问题,提供一种自支撑的金刚石膜的制备方法,所述制备方法可以生长得到高质量的金刚石膜,且在降温过程中逐渐释放应力以及自动剥离au衬底,获得几乎不存在应力的自支撑的金刚石膜。
2、一种自支撑的金刚石膜的制备方法,包括以下步骤:
3、在au衬底的(111)晶面上制备磷烯层;
4、然后在所述磷烯层上制备金刚石膜,冷却后取出产物,使所述产物中的磷烯层发生降解,并剥离掉所述au衬底,得到自支撑的金刚石膜。
5、在其中一个实施例中,在所述磷烯层上制备金刚石膜的步骤结束后,以1k/min-5k/min的速度进行冷却。
6、在其中一个实施例中,在au衬底的(111)晶面上制备磷烯层之前,先对所述au衬底的(111)晶面进行氩离子刻蚀,氩气气压为0.001pa-0.003pa,能量为1kev-3kev,刻蚀时间为10min-15min。
7、在其中一个实施例中,采用分子束外延法在所述au衬底的(111)晶面上制备磷原子层,然后在真空条件下经过退火处理得到磷烯层。
8、在其中一个实施例中,所述磷原子层的厚度为0.3mm-1mm。
9、在其中一个实施例中,采用分子束外延法在所述au衬底的(111)晶面上制备磷原子层的步骤中,将磷源用束源炉加热至200℃-300℃,所述au衬底的(111)晶面的温度为330k-400k,沉积时间为5min-10min;
10、及/或,所述退火处理的步骤中,先将温度升高至450k-500k并保温10min-20min,然后以5k/min-15k/min的速度降至室温。
11、在其中一个实施例中,所述磷源选自红磷。
12、在其中一个实施例中,采用微波cvd法在所述磷烯层上制备金刚石膜。
13、在其中一个实施例中,采用微波cvd法在所述磷烯层上制备金刚石膜的步骤中,先在第一条件下沉积,然后在第二条件下沉积,所述第一条件下,碳源比例为8%-10%,沉积压力为0.5kpa-1kpa,微波功率为2700w-2900w,所述第二条件下,碳源比例为4%-7%,沉积压力为1.5kpa-3kpa,微波功率为3400w-5000w。
14、在其中一个实施例中,所述碳源选自甲烷、乙炔中的至少一种;
15、及/或,所述第一条件下的沉积时间为20min-40min;
16、及/或,所述第二条件下的沉积时间为12h以上;
17、及/或,所述金刚石膜的厚度大于或等于100μm。
18、本发明的制备方法中,由于au具有优异的延展性,而金刚石很坚硬,所以在降温的过程中,au衬底能够利用自身的延展性缓慢释放对金刚石膜的收缩应力,可以确保金刚石膜不会碎裂,而且得到的金刚石膜几乎不存在应力,无需进行去应力步骤,能够简化后续步骤;同时,由于au质地软,所以au衬底在降温的过程中会发生破裂,漏出磷烯层,而磷烯在大气环境中能够自然降解,进而,将产物取出后,磷烯层会与大气环境中的水、氧气等反应,发生降解,最终使au衬底自动剥离,得到自支撑的金刚石膜,不需要使用浓硝酸与氢氟酸,不仅安全、环保,而且快捷方便。
1.一种自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,在所述磷烯层上制备金刚石膜的步骤结束后,以1k/min-5k/min的速度进行冷却。
3.根据权利要求1所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,在au衬底的(111)晶面上制备磷烯层之前,先对所述au衬底的(111)晶面进行氩离子刻蚀,氩气气压为0.001pa-0.003pa,能量为1kev-3kev,刻蚀时间为10min-15min。
4.根据权利要求1所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,采用分子束外延法在所述au衬底的(111)晶面上制备磷原子层,然后在真空条件下经过退火处理得到磷烯层。
5.根据权利要求4所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,所述磷原子层的厚度为0.3mm-1mm。
6.根据权利要求4所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,采用分子束外延法在所述au衬底的(111)晶面上制备磷原子层的步骤中,将磷源用束源炉加热至200℃-300℃,所述au衬底的(111)晶面的温度为330k-400k;
7.根据权利要求6所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,所述磷源选自红磷。
8.根据权利要求1所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,采用微波cvd法在所述磷烯层上制备金刚石膜。
9.根据权利要求8所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,采用微波cvd法在所述磷烯层上制备金刚石膜的步骤中,先在第一条件下沉积,然后在第二条件下沉积,所述第一条件下,碳源比例为8%-10%,沉积压力为0.5kpa-1kpa,微波功率为2700w-2900w,所述第二条件下,碳源比例为4%-7%,沉积压力为1.5kpa-3kpa,微波功率为3400w-5000w。
10.根据权利要求9所述的自支撑的金刚石膜的制备方法,其特征在于,所述碳源选自甲烷、乙炔中的至少一种;