一种真空腔体YOF涂层的制备方法与流程

本发明涉及涂层加工，特别是涉及一种真空腔体yof涂层的制备方法。

背景技术：

1、在半导体行业中，等离子蚀刻工艺是生产高度集成产品的关键技术。该工艺通常在氟化烃等离子体环境中进行，但这一环境对腔室中的各种设备零部件具有高度腐蚀性和反应性，易导致零件腐蚀并产生污染颗粒。这些污染颗粒会落在晶圆上，引发缺陷，从而导致显著的产量损失。

2、为了抵抗等离子体的蚀刻效应，行业内普遍采用氧化钇(y2o3)和氧化铝(al2o3)作为涂层材料保护设备零部件。然而，在面对氟化烃等强腐蚀性等离子体时，这些材料的性能存在局限。特别是y2o3，在与碳氟化合物(如cf4、chf3、c4f6和c2f6)等腐蚀性气体相互作用时，其yo键结构容易被分解，导致涂层降解。这种降解不仅削弱了涂层的保护效果，还可能导致更多的污染颗粒产生，进一步影响半导体的生产效率和产品质量。

3、鉴于上述问题，行业内急需一种更抗等离子体的涂层材料，最大程度降低真空腔体的通电概率，有效防止等离子对腔体内壁及其他组成零部件的蚀刻，延长真空腔体部件的使用寿命。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本发明旨在提供一种真空腔体yof涂层的制备方法，通过控制通入的气体、涂层粉末对处理后的备件母材的喷涂等设备参数，提供一种更抗等离子体的涂层材料，最大程度降低真空腔体的通电概率，有效防止等离子对腔体内壁及其他组成零部件的蚀刻，延长真空腔体部件的使用寿命。

2、本发明提供了一种真空腔体yof涂层的制备方法，包括以下步骤：

3、提供备件母材和涂层粉末；

4、对备件母材进行粗糙度处理，得到处理后的备件母材；

5、调整设备参数；

6、使用涂层粉末对处理后的备件母材进行喷涂操作，得到yof涂层。

7、作为本发明的进一步改进，所述备件母材包括陶瓷母材和金属母材。

8、作为本发明的进一步改进，所述涂层粉末的成分包括yof，颗粒大小为20～50μm，制备方法包括：硝酸钇溶解，过滤，氨沉淀，压滤，水热，干燥，煅烧，研磨，表面改性，造粒，脱磁，脱胶，筛分，混合，包装工序。

9、作为本发明的进一步改进，所述对备件母材进行粗糙度处理，包括对备件母材进行清洗操作、喷砂操作、预热操作。

10、作为本发明的进一步改进，所述清洗操作包括：采用化学浸泡和物理打磨清洗方式对备件母材进行清洗。

11、作为本发明的进一步改进，所述喷砂操作的喷砂颗粒成分为工业氧化铝，喷砂压力为0.4～0.7mpa，颗粒粒径为36～120目，表面粗糙度ra为3～8μm。

12、作为本发明的进一步改进，所述预热操作的预热温度为35～60℃。

13、作为本发明的进一步改进，所述设备参数包括通入的气体ar和气体h2的流速、喷涂操作的电压、喷涂操作的电流、喷涂速度、喷涂距离。

14、作为本发明的进一步改进，所述气体ar的流速为30～45nlpm，所述气体h2的流速为5～9nlpm，所述喷涂操作的电压70～80v，所述喷涂操作的电流500～700a，所述喷涂速度为5000～8000mm/s，所述喷涂距离为10～14mm。

15、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

16、本发明提供了一种真空腔体yof涂层的制备方法，通过控制通入的气体、涂层粉末对处理后的备件母材的喷涂等设备参数，提供了一种更抗等离子体的涂层材料，最大程度降低真空腔体的通电概率，有效防止等离子对腔体内壁及其他组成零部件的蚀刻，延长真空腔体部件的使用寿命。

技术特征：

1.一种真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述备件母材包括陶瓷母材和金属母材。

3.根据权利要求1所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述涂层粉末的成分包括yof，颗粒大小为20～50μm，制备方法包括：硝酸钇溶解，过滤，氨沉淀，压滤，水热，干燥，煅烧，研磨，表面改性，造粒，脱磁，脱胶，筛分，混合，包装工序。

4.根据权利要求1所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述对备件母材进行粗糙度处理，包括对备件母材进行清洗操作、喷砂操作、预热操作。

5.根据权利要求4所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述清洗操作包括：采用化学浸泡和物理打磨清洗方式对备件母材进行清洗。

6.根据权利要求4所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述喷砂操作的喷砂颗粒成分为工业氧化铝，喷砂压力为0.4～0.7mpa，颗粒粒径为36～120目，表面粗糙度ra为3～8μm。

7.根据权利要求4所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述预热操作的预热温度为35～60℃。

8.根据权利要求1所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述设备参数包括通入的气体ar和气体h2的流速、喷涂操作的电压、喷涂操作的电流、喷涂速度、喷涂距离。

9.根据权利要求8所述的真空腔体yof涂层的制备方法，其特征在于，所述气体ar的流速为30～45nlpm，所述气体h2的流速为5～9nlpm，所述喷涂操作的电压70～80v，所述喷涂操作的电流500～700a，所述喷涂速度为5000～8000mm/s，所述喷涂距离为10～14mm。

技术总结
本发明提供一种真空腔体YOF涂层的制备方法，属于涂层加工技术领域，包括以下步骤：提供备件母材和涂层粉末；对备件母材进行粗糙度处理，得到处理后的备件母材；调整设备参数；使用涂层粉末对处理后的备件母材进行喷涂操作，得到YOF涂层。本发明提供了一种真空腔体YOF涂层的制备方法，通过控制通入的气体、涂层粉末对处理后的备件母材的喷涂等设备参数，提供了一种更抗等离子体的涂层材料，最大程度降低真空腔体的通电概率，有效防止等离子对腔体内壁及其他组成零部件的蚀刻，延长真空腔体部件的使用寿命。

技术研发人员：朱应高,韦孟德,金巨万
受保护的技术使用者：安徽高芯众科半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/4/6