化学气相沉积设备的制作方法

本技术涉及光伏、半导体液晶、锂电新能源制造，具体的是一种化学气相沉积设备。

背景技术：

1、化学气相沉积是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应，由此在基板表面生成固态沉积物的过程。由于其具有沉积种类多、沉积均匀性好等优点，因而被广泛应用于沉积多种介质膜和金属膜，例如金属钨膜。影响化学气相沉积均匀性的两个重要因素是基板温度和反应气体的分布。除此之外沉积时基板上杂质也会对生成的膜的沉积均匀性有所影响。

2、常用的化学气相沉积设备采用基板在喷淋头下方的结构，在沉积时产生的杂质或者气流带入沉积腔室的杂质受重力作用会附着在基板上，从而影响生成的膜的沉积均匀性和成膜颗粒质量。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中的缺陷，本实用新型提供了一种化学气相沉积设备，该设备将喷淋头置于基板下方，使得沉积过程中产生的杂质受重力作用下落，而无法附着于基板，从而减少镀膜杂质。

2、为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种化学气相沉积设备，包括：

3、载台，所述载台至少可以在一个方向上水平移动；

4、基板定位装置，所述基板定位装置设置于所述载台的下方，所述基板定位装置用于定位基板，所述基板表面用于沉积气氛；

5、沉积腔室，所述沉积腔室设于所述基板定位装置下方，所述沉积腔室连接有控制阀，所述控制阀能控制所述沉积腔室内的真空度；

6、喷淋头，所述喷淋头至少部分设于所述沉积腔室内，所述喷淋头设置成，在工作时，其出口喷出的气体喷向基板。

7、通过上述技术方案，将所述特气喷淋头置于所述基板下方，使得沉积过程中产生的杂质受重力作用下落，而无法附着于基板，从而减少镀膜杂质。

8、进一步的，所述基板定位装置包括连接于所述载台的吸盘，所述吸盘包括壳体，所述壳体具有内腔，所述壳体的下侧设有多个连通所述内腔的环槽，所述环槽用于吸附基板。

9、进一步的，所述真空管道连接有真空检测装置，根据所述真空检测装置检测到的真空度可以判断所述吸盘是否吸附基板。

10、进一步的，所述吸盘通过连接件连接于所述载台，所述载台设有连接槽，所述吸盘设有卡槽，所述连接件设有和所述连接槽配合的连接扣，以及和所述卡槽配合的卡扣，将所述卡扣和所述卡槽抵接，并将所述连接扣接入所述连接槽内，从而将所述碳化硅基板定位装置和所述载台连接。即所述碳化硅感应器是可拆卸的，便于后期检修。

11、进一步的，所述载台底面内凹形成容纳腔，所述容纳腔内设置加热装置，所述基板定位装置连接于所述加热装置背离所述载台的一侧。可以根据实际需求调控基板温度，加快沉积速度，同时还能提高沉积均匀性。

12、进一步的，所述喷淋头包括若干并列设置的喷头，所述喷淋头的喷淋面积大于等于所述基板的面积。

13、进一步的，所述化学气相沉积设备包括机架，所述载台可滑动的设置在机架上。

14、进一步的，所述机架设有滑轨装置，所述滑轨装置包括滑轨，以及在滑轨上滑动的滑块，所述滑块连接有支架，所述支架和所述载台相连，所述滑块连接电机以驱使所述载台在水平方向上往复移动。

15、进一步的，所述控制阀包括apc控制阀，所述沉积腔室底部向外延伸形成所述抽气管道，所述抽气管道内设置所述apc控制阀。

16、借由以上的技术方案，本实用新型的有益效果如下：

17、1、本申请中通过将喷淋头置于基板下方，使得沉积过程中产生的杂质受重力作用下落，而无法附着于基板，从而减少镀膜杂质；

18、2、本申请中的载台可移动，方便工作人员安装或者拿取基板。

19、为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述基板定位装置包括连接于所述载台的吸盘，所述吸盘包括壳体，所述壳体具有内腔，所述壳体的下侧设有多个连通所述内腔的环槽，所述环槽用于吸附基板。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述壳体的上侧连通有真空管道，所述真空管道连接有真空检测装置，根据所述真空检测装置检测到的真空度可以判断所述吸盘是否吸附基板。

4.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述吸盘通过连接件连接于所述载台，所述载台设有连接槽，所述吸盘设有卡槽，所述连接件设有和所述连接槽配合的连接扣，以及和所述卡槽配合的卡扣，安装时，将所述卡扣和所述卡槽抵接，并将所述连接扣接入所述连接槽内，从而将所述基板定位装置和所述载台连接。

5.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述载台底面内凹形成容纳腔，所述容纳腔内设置加热装置，所述基板定位装置连接于所述加热装置背离所述载台的一侧。

6.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述喷淋头包括若干并列设置的喷头，所述喷淋头的喷淋面积大于等于所述基板的面积。

7.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备包括机架，所述载台可滑动的设置在机架上。

8.如权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述机架设有滑轨装置，所述滑轨装置包括滑轨，以及在滑轨上滑动的滑块，所述滑块连接有支架，所述支架和所述载台相连，所述滑块连接电机以驱使所述载台在水平方向上往复移动。

9.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述控制阀包括apc控制阀，所述沉积腔室底部向外延伸形成抽气管道，所述抽气管道内设置所述apc控制阀。

技术总结
本技术公开了一种化学气相沉积设备，包括：载台，所述载台至少可以在一个方向上水平移动；基板定位装置，所述基板定位装置设置于所述载台的下方，所述基板定位装置用于定位基板，所述基板表面用于沉积气氛；沉积腔室，所述沉积腔室设于所述基板定位装置下方，所述沉积腔室连接有控制阀，所述控制阀能控制所述沉积腔室内的真空度；喷淋头，所述喷淋头至少部分设于所述沉积腔室内，所述喷淋头设置成，在工作时，其出口喷出的气体喷向基板，所述喷淋头通过气管和工艺气源连通。本技术所公开的化学气相沉积设备将喷淋头置于基板下方，使得沉积过程中产生的杂质受重力作用下落，而无法附着于基板，从而减少镀膜杂质。

技术研发人员：翟国平,宋维鼎,归玉龙
受保护的技术使用者：江苏博涛智能热工股份有限公司
技术研发日：20240201
技术公布日：2025/1/13