抛光方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及抛光方法。
【背景技术】
[0002]工件在抛光时，通常将工件的待加工面朝向正上方，利用抛光打磨装置在待加工面上进行抛光打磨；例如陶瓷抛光砖，包括粗糙的背面和光滑的表面(粗糙的背面为铺贴面，光滑的表面为装饰面)，装饰面需要进行抛光工艺。参见图1、2所示，陶瓷抛光砖40在抛光时，先将陶瓷抛光砖40放置于水平设置的传送带I上，使陶瓷抛光砖40的装饰面41朝上，即陶瓷抛光砖40的铺贴面朝向地面，传送带I上方设置有多个沿着传送带的输送方向排列的抛光磨头2，陶瓷抛光砖40随着传送带I连续地移动，每个抛光磨2头均从上往下地对陶瓷抛光砖40进行抛光。(陶瓷抛光砖在抛光之前一般为砖坯，因此，在本领域中，陶瓷抛光砖在抛光之前又称为陶瓷抛光砖还)
[0003]在抛光过程中，由于抛光磨头2打磨陶瓷抛光砖40的装饰面41，会产生大量的微小颗粒状的磨肩42，这些磨肩42残留在装饰面41上并随着抛光磨头2高速转动，会将装饰面41刮花，严重影响抛光的效果，同时，由于在抛光磨头2与装饰面41之间存在一层磨肩42，抛光磨头2与装饰面41之间接触率降低，从而严重的影响了抛光的效率；为了解决上述的问题，传统的做法是在抛光的同时，对待加工面喷大量的水，以冲洗掉磨肩，同时，对于一些吸水率较高的陶瓷抛光砖，由于在水冲洗过程中吸收大量的水分，后续还必须利用烘干炉进行烘干，增加了陶瓷抛光砖加工的复杂程度；当然，上述的抛光方法在应用于其他工件的加工时，同样会存在上述的问题。
【发明内容】
[0004]针对现有技术的不足，本发明的目的旨在于提供一种抛光方法，其能够有效的避免磨肩残留在工件的待加工面上，简化了工件的抛光工艺。
[0005]为实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0006]抛光方法，利用一传输机构输送工件，并且使工件的待加工面朝向地面，利用抛光装置在待加工面的下方对待加工面进行抛光，抛光时在工件的待加工面形成用以去除工件待加工面磨肩的气流。
[0007]该抛光方法在一封闭的环境中进行，在该封闭的环境中形成由上至下的气流。
[0008]在抛光时将一吹气装置的出气口置于工件的待加工面下方，由下至上对工件的待加工面吹气。
[0009]在抛光时将一抽气装置的进气口置于工件的待加工面下方，由上至下对工件的待加工面吸气。
[0010]在抛光时将一吸气装置的吸气口置于工件待加工面的边缘或边缘下方，使工件的待加工面与抛光装置之间形成由内向外的气流。
[0011]本发明的抛光方法在针对工件进行抛光打磨时，使工件的待加工面朝向地面，利用抛光装置在工件的下方对待加工面进行抛光，抛光过程中产生的磨肩会依据自重向下掉落，并且在抛光时在工件的待加工面形成用以去除工件待加工面磨肩的气流，能进一步带走附着于工件待加工面上的磨肩，从而有效的避免了磨肩在工件的待加工面上残留，避免磨肩影响抛光效果，同时提高了抛光的效率。
【附图说明】
[0012]图1为现有陶瓷抛光砖抛光方法的示意图；
[0013]图2为图1中A处的放大视图；
[0014]图3为本发明的一种抛光方法的示意图；
[0015]图4为本发明第一种实施方式的示意图；
[0016]图5为本发明第二种实施方式的示意图；
[0017]图6为本发明第三种实施方式的示意图；
[0018]图7为本发明第四种实施方式的示意图；
[0019]其中:10、皮带；30、抛光磨头；40、陶瓷抛光砖；41、装饰面；42、磨肩；50、地面；60、吹气装置；60’、抽气装置；61、出气口 ；62、通气孔；70、吸气装置；71、吸气口 ；72、吸气管。
【具体实施方式】
[0020]下面，结合附图以及【具体实施方式】，对本发明做进一步描述:
[0021]图3至图7示意了本发明的一种抛光方法，其应用于陶瓷抛光砖的抛光，该方法具体的是利用一传输机构沿预定的轨迹输送陶瓷抛光砖，在输送时，陶瓷抛光砖40的装饰面41 (本实施例的工件为陶瓷抛光砖40，装饰面41即陶瓷抛光砖40较为光滑的表面，装饰面41为陶瓷抛光砖40的待加工面)朝向地面50，在陶瓷抛光砖40沿着传输机构的输送轨迹运动的过程中，利用抛光装置在陶瓷抛光砖的下方对陶瓷抛光砖的装饰面41进行抛光，并且在抛光时在陶瓷抛光砖40的装饰面41形成用以去除残留在装饰面41的磨肩42的气流。上述方法将陶瓷抛光砖40的装饰面41朝下，即装饰面41朝向地面50，在抛光过程中产生的磨肩42会依据自身的重力下落，并且在抛光时在陶瓷抛光砖40的装饰面41形成用以去除装饰面41的磨肩42的气流，能进一步带走附着于装饰面41上的磨肩42，从而有效的避免了磨肩42在陶瓷抛光砖40的装饰面41上残留，避免磨肩42影响抛光效果，同时提高了抛光的效率。本发明的上述抛光装置可以是现有技术中对陶瓷抛光砖进行抛光用的抛光磨头30，在这里不做赘述。
[0022]进一步地，在装饰面41形成用以去除工件待加工面磨肩42的气流的实施方式可以有多种。
[0023]比如，作为第一种实施方式，如图4所示，该抛光方法可以在一封闭的环境中进行，在该封闭的环境中形成由上至下的气流。这样，由上至下的气流可以将抛光时产生的磨肩42由上至下带走，避免了磨肩42在装饰面41上残留。
[0024]为了形成上述的由上至下的气流，可以是在封闭环境的顶部设置吹风机，利用吹风机将外界环境中的风引入到封闭环境，不仅可以达到将抛光时产生的磨肩42由上至下带走的目的，同时还可以对陶瓷抛光砖40进行降温处理。
[0025]为了形成上述的由上至下的气流，还可以是在封闭环境的底部设置抽风机，利用吹风机将封闭环境中的风抽到外界环境，这样可以将抛光时产生的磨肩42由上至下吸附出去。
[0026]作为第二种实施方式，如图5所示，在抛光时将一吹气装置60的出气口 61置于陶瓷抛光砖40的装饰面41下方，由下至上对装饰面41吹气，这样，可以直接吹走附着在装饰面41上的磨肩42，避免了磨肩42在装饰面41上残留。进一步地，吹气装置60可以包括通气孔62，出气口 61位于通气孔62上端，通气孔62可以开设于抛光磨头30上或者固设于抛光磨头30的侧面，通过供气机构对通气孔62供气，从而使气体从出气口 61吹出，由下至上吹向装饰面41，带走装饰面41上的磨肩42。
[0027]如图6所示，第三种实施方式与第二种实施方式的不同之处在于，吹气装置60换成抽气装置60’，其他结构不变，将出气口 61作为吹气装置60’的进气口，这样吹气装置60可以由上至下对装饰面41进行吸气，从而带走装饰面41上的磨肩42。
[0028]作为第四种实施方式，如图7所示，在抛光时将一吸气装置70的吸气口 71置于陶瓷抛光砖40的装饰面41的边缘或边缘下方，使装饰面41与抛光装置之间形成由内向外的气流。进一步地，吸气装置70可以包括与安装于机架上的多个吸气管72，吸气管72靠近装饰面41的一端设有吸气口 71，吸气管72连通于吸气机构，从而可以在装饰面41的边缘或边缘下方对装饰面41的内侧进行吸气，可以使装饰面41与抛光装置之间形成由内向外的气流。优选地，每个抛光磨头30的两侧均设有吸气管72，这样，气流可以从抛光磨头30与装饰面41之间向两侧吹出。
[0029]需要说明的是，本发明还可以采用皮带传送装置来实现陶瓷抛光砖40的输送，皮带10可以用电机带动。当然，也可以采用其他的传送装置来输送，总之只要能够在输送陶瓷抛光砖40时确保装饰面41朝下以及抛光磨头30与陶瓷抛光砖40之间具有满足抛光要求的相互压力即可。
[0030]值得一提的是，上述针对陶瓷抛光砖的抛光方法仅仅是本发明的一种应用实例，本发明的抛光方法还可应用于其他类型工件的抛光加工，例如，除陶瓷抛光砖外的其他陶瓷件、钣金件，当然，这些工件的形状并不局限于板状结构，总之，只要是在抛光过程中，使工件的装饰面41朝向地面50即可。
[0031]对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.抛光方法，其特征在于，利用一传输机构输送工件，并且使工件的待加工面朝向地面，利用抛光装置在待加工面的下方对待加工面进行抛光，抛光时在工件的待加工面形成用以去除工件待加工面磨肩的气流。
2.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，该抛光方法在一封闭的环境中进行，在该封闭的环境中形成由上至下的气流。
3.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在抛光时将一吹气装置的出气口置于工件的待加工面下方，由下至上对工件的待加工面吹气。
4.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在抛光时将一抽气装置的进气口置于工件的待加工面下方，由上至下对工件的待加工面吸气。
5.如权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在抛光时将一吸气装置的吸气口置于工件待加工面的边缘或边缘下方，使工件的待加工面与抛光装置之间形成由内向外的气流。
【专利摘要】抛光方法，利用一传输机构输送工件，并且使工件的待加工面朝向地面，利用抛光装置在待加工面的下方对待加工面进行抛光，抛光时在工件的待加工面形成用以去除工件待加工面磨屑的气流。本发明的抛光方法在针对工件进行抛光打磨时，使工件的待加工面朝向地面，利用抛光装置在工件的下方对待加工面进行抛光，抛光过程中产生的磨屑会依据自重向下掉落，并且在抛光时在工件的待加工面形成用以去除工件待加工面磨屑的气流，能进一步带走附着于工件待加工面上的磨屑，从而有效的避免了磨屑在工件的待加工面上残留，避免磨屑影响抛光效果，同时提高了抛光的效率。
【IPC分类】B24B55-06, B24B1-00
【公开号】CN104802041
【申请号】CN201510198583
【发明人】冯竞浩, 宋宪君
【申请人】广东一鼎科技有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年4月23日