一种lpcvd沉积装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于LPCVD沉积设备技术领域，特别涉及一种LPCVD沉积装置
【背景技术】
[0002]近年来，随着半导体产业及微电子技术的迅猛发展，半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提高，LPCVD技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶薄膜的沉积，是一种重要的薄膜淀积技术。从LPCVD沉积原理可知，参与反应的气体，由于压力差的作用，从炉管一端流向另一端，有一部分将被吸附在晶片表面上，借助温度的作用，沉积反应将会发生。在传统的LPCVD沉积装置中，LPCVD载片舟只由两根带槽的圆棒组成，因此，晶圆片全部裸露在外，沉积薄膜厚度从反应气体进入的方向到反应气体排出的方向由厚到薄分布，难以保证沉积薄膜厚度的一致性。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种沉积薄膜厚度一致的LPCVD沉积装置，以克服现有技术存在的不足。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案:
[0005]一种LPCVD沉积装置，包括炉管、环绕设置在炉管外的电加热丝以及设于炉管内的载片舟、真空检测仪、温度传感器，所述炉管一端具有进气口，连接供气装置，另一端具有出气口，连接真空泵；所述真空检测仪、所述温度传感器、所述电加热丝的供电装置、所述供气装置以及所述真空泵均电连接控制器，其特征在于:所述载片舟由壳体以及设于壳体内的的载片支架构成，所述壳体上均匀分布有通孔。
[0006]在本实用新型【具体实施方式】中，所述壳体为筒状壳体，所述筒状壳体的壳身和两端的端盖上均均匀分布有通孔。
[0007]所述通孔为圆孔，孔径优选5mm。
[0008]所述壳身的底部还具有支撑脚。所述支撑脚为一对长条型支撑脚。
[0009]所述载片支架由一对圆柱构成，所述一对圆柱上分布有对称的凹槽。
[0010]所述凹槽宽度为1mm，所述凹槽间距为5mm。
[0011]所述壳体的材质为石英或碳化硅。
[0012]为了保证壳身与两端的端盖的拼接，端盖的内径与壳身的外径相同。这样可方便的将两端的端盖与壳身进行组合，并且两端的端盖通用，方便了操作。
[0013]本实用新型的LPCVD沉积装置工作时，炉管内的沉积气体可从壳体两端的端盖和壳身上分布的圆孔均匀地进入载片舟，可使载片支架上晶圆片沉积膜片与片之间、一片上中间和周围的沉积厚度一致。本实用新型的LPCVD沉积装置在半导体体晶圆沉积生产中使用非常方便，保证了沉积膜的一致性。
【附图说明】
[0014]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行详细说明:
[0015]图1为本实用新型的结构示意图；
[0016]图2为载片舟的立体结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]如图1所示，本实用新型的LPCVD沉积装置，包括炉管10、电加热丝30、载片舟20。
[0018]其中，电加热丝30环绕设置在炉管10四周，对炉管均匀加热。炉管10 —端具有进气口 11，连接供气装置40 ;另一端具有出气口 12连接真空泵50。载片舟20设置在炉管10中。在炉管10中内部设置有真空检测仪13和温度传感器15。电加热丝30连接到供电装置14上。
[0019]上述供气装置40、真空泵50、真空检测仪13、供电装置14以及温度传感器15均电连接到控制器16上。控制器16可以根据炉管10中的真空度和温度控制通入炉管的进气量和电加热丝30的加热温度。
[0020]如图2所示，载片舟20包括壳体100和载片支架200。其中，壳体100为筒状壳体，材质为石英或碳化硅，由壳身101和两端的端盖102组装而成。壳身101和两端的端盖102上均均匀分布有圆孔103，圆孔103的孔径为5mm。
[0021]为了保证壳身101与两端的端盖102的拼接，端盖102的内径与壳身101的外径相同。这样可方便的将两端的端盖102与壳身101进行组合，并且两端的端盖通用，方便了操作。
[0022]载片支架200放置在壳体100内，在打开端盖时，可以从壳体200中去除载片支架200。
[0023]载片支架200由一对圆柱201构成，该一对圆柱201上分布有对称的凹槽202。凹槽宽度为1mm，凹槽间距为5mm。
[0024]另外，在壳身101的底部还具有支撑脚300。该支撑脚300为一对长条型支撑脚。
[0025]以上就是本实用新型的LPCVD沉积装置，该LPCVD沉积装置用于LPCVD沉积工艺中，炉管内沉积气体可从载片舟壳体两端的端盖和壳身上分布的圆孔均匀地进入载片舟，可使载片支架上晶圆片沉积膜片与片之间、一片上中间和周围的沉积厚度一致。本实用新型的LPCVD沉积装置在半导体体晶圆沉积生产中使用非常方便，保证了沉积膜的一致性。
[0026]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何形式上的限制，任何所属技术领域中具有通常知识者，若在不脱离本实用新型所提出的权利要求的保护范围内，利用本实用新型所揭示的技术内容所作出的局部更动或修饰的等效实施例，并且未脱离本实用新型的技术特征内容，均仍属本实用新型技术特征的范围内。
【主权项】
1.一种LPCVD沉积装置，包括炉管、环绕设置在炉管外的电加热丝以及设于炉管内的载片舟、真空检测仪、温度传感器，所述炉管一端具有进气口，连接供气装置，另一端具有出气口，连接真空泵；所述真空检测仪、所述温度传感器、所述电加热丝的供电装置、所述供气装置以及所述真空泵均电连接控制器，其特征在于:所述载片舟由壳体以及设于壳体内的的载片支架构成，所述壳体上均匀分布有通孔。
2.根据权利要求1所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述壳体为筒状壳体，所述筒状壳体的壳身和两端的端盖上均均匀分布有通孔。
3.根据权利要求1所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述通孔为圆孔，孔径优选5mm ο
4.根据权利要求2所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述壳身的底部还具有支撑脚。
5.根据权利要求4所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述支撑脚为一对长条型支撑脚。
6.根据权利要求1所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述载片支架由一对圆柱构成，所述一对圆柱上分布有对称的凹槽。
7.根据权利要求6所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述凹槽宽度为1mm，所述凹槽间距为5mm。
8.根据权利要求2所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述端盖的内径与所述壳身的外径相同。
9.根据权利要求1所述的LPCVD沉积装置，其特征在于:所述壳体的材质为石英或碳化娃。
【专利摘要】本实用新型公开一种LPCVD沉积装置，包括炉管、环绕设置在炉管外的电加热丝以及设于炉管内的载片舟、真空检测仪、温度传感器，所述炉管一端具有进气口，连接供气装置，另一端具有出气口，连接真空泵；所述真空检测仪、所述温度传感器、所述电加热丝的供电装置、所述供气装置以及所述真空泵均电连接控制器，所述载片舟由壳体以及设于壳体内的载片支架构成，所述壳体上均匀分布有通孔。本实用新型可使LPCVD反应腔中的气体均匀的进入载片舟中，使得沉积薄膜厚度一致。
【IPC分类】C30B25-12, C23C16-44
【公开号】CN204325493
【申请号】CN201420836386
【发明人】丁波, 李轶, 陈瀚, 侯金松
【申请人】上海微世半导体有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年12月19日