一种气流均匀分散装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种空气分散装置，具体涉及一种气流均匀分散装置。
【背景技术】
[0002]Parylene是一种由真空气相沉积聚合工艺制备的新型高分子材料，它高纯、致密、并具有以下优势:优异的防潮隔离性能，极低的介电常数(2.65)，且介电常数在很宽的频率范围内均保持稳定，独特的CVD制备工艺可最大程度在极细的通孔(Via)内部实现涂层厚度的均匀性。3D-Wafer产品的微观结构紧凑，层数众多，通孔的尺寸十分微细，仅为20~50um，同时相对深度较大，且形状奇特，对涂层的渗透深度和内外部的均匀性要求非常高。涂层厚度只有5±0.6 u m，半导体工业中通常使用的聚合物涂层在不堵塞微孔和渗入均匀性两方面很难满足其工艺要求。在实际的生产过程中，对3D-Wafer晶元硅通孔进行parylene涂层需要在相对特殊的设备中进行，气流的均匀性对3D_Wafer晶元娃通孔parylene涂层的均匀性非常重要，但目前还没有合适的低成本解决方案。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种气流均匀分散装置，在3D-Wafer晶元硅通孔涂层的设备中可以对相对集中的气流进行分散，提供均匀的符合要求的气流，保证涂层的均匀稳定性。
[0004]为了解决上述问题，本实用新型提供的气流均匀分散装置采用了如下的技术方案:
[0005]一种气流均匀分散装置，包括支架，其特征在于:所述的支架的两侧设有固定卡，所述的支架的外侧从上到下设有通气孔，所述的通气孔间的间距从上到下依次减小，所述的通气孔的开口的大小从上到下依次增大。
[0006]优选的，所述的支架内通过固定架固定有挡流板。
[0007]本实用新型的有益效果在于:在传统的镀膜设备上加装本实用新型提供的气流均匀分散装置，对进入镀膜设备的气流进行分散处理，为镀膜设备内部提供均匀的气流，保证3D-ffafer晶元娃通孔涂层的均勾稳定性。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型安装后的俯视结构示意图。
[0009]图2为本实用新型结构的侧视图。
[0010]图3为本实用新型中气流走向示意图。
[0011]其中:1.支架；2.固定卡；3.镀膜设备；31.入气口 ；4.通气孔；5.挡流板；51.固定架。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的说明。
[0013]实施例1
[0014]如图1和图2所示，在本实用新型的一个实施例提供的气流均匀分散装置中，所述支架I通过固定卡2固定于镀膜设备3靠近入气口 31的内壁上，所述的支架I的外侧设有多个通气孔4，所述的通气孔4之间的间距从上到下减小，气流阻力从上到下减小，而且为了气流更加均匀，所述的通气孔4的从上到下依次增大，气体的流阻从上到下越来越小，使气流更均匀的通入镀膜腔室3的内部。
[0015]实施例2
[0016]实施例2对实施例1做了进一步的改进，所述的支架I内侧通过固定架51固定有挡流板5，所述的挡流板5的尺寸小于支架I的尺寸，挡流板与支架间的距离可根据需要调节，进而调节入气口 31处的气流，使其分散后再通过通气孔进行二次分散，使进入镀膜设备3内部的气流更加均匀，对镀膜的影响更小，镀的膜更加均匀美观可靠，提高了生产效率。
[0017]如图3所示，将本实用新型提供的气流均匀分散装置安装在镀膜设备上，气体从入气口 31进入后，经过挡流板5的第一次分散和通气孔4的第二次分散后，使进入镀膜设备3内部的气流更加均匀，对镀膜的影响更小，镀的膜更加均匀美观可靠，提高了生产效率。通过本实用新型的安装，提供均匀的符合要求的气流，保证3D-Wafer晶元硅通孔涂层的均匀稳定性。
【主权项】
1.一种气流均匀分散装置，包括支架，其特征在于:所述的支架的两侧设有固定卡，所述的支架的外侧从上到下设有通气孔，所述的通气孔间的间距从上到下依次减小，所述的通气孔的开口的大小从上到下依次增大；以保证上下流阻趋于一致，气流经过支架后均匀分散。2.根据权利要求1所述的一种气流均匀分散装置，其特征在于:所述的支架内通过固定架固定有挡流板。
【专利摘要】一种气流均匀分散装置，包括支架，其特征在于：所述的支架的两侧设有固定卡，所述的支架的外侧从上到下设有通气孔，所述的通气孔间的间距从上到下依次减小，所述的通气孔的开口的大小从上到下依次增大。优选的，所述的支架内通过固定架固定有挡流板。本实用新型的有益效果在于：在传统的镀膜设备上加装本实用新型提供的气流均匀分散装置，对进入镀膜设备的气流进行分散处理，为镀膜设备内部提供均匀的气流，保证3D-Wafer晶元硅通孔涂层的均匀稳定性。
【IPC分类】C23C16/455
【公开号】CN204625783
【申请号】CN201520263342
【发明人】徐志淮
【申请人】昆山彰盛奈米科技有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月28日