铝箔气隙填充生产线的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种铝箔气隙填充生产线，包括PLC控制器，铝箔放卷辊和铝箔收卷辊间依次设有铝箔气隙检测装置、纳米铝喷涂装置及纳米铝碾压成型装置；铝箔气隙检测装置中的光电信号输出端接PLC控制器的信号输入端，PLC控制器的信号输出端一路接纳米铝喷涂装置的信号输入端，一路接伺服电机的信号输入端，伺服电机驱动铝箔收卷辊传动。优点：一是铝箔面气隙采用同属性纳米铝填充，不仅大大地提高了铝箔的密实度，而且使低档次铝箔上升为高档铝箔，附加值得到了极大地提升；二是填充修补后的通信铝箔不仅绝缘强度高、屏蔽效果好、而避免了回波损耗现象的发生，产生了预想不到的技术效果和经济效益。
【专利说明】
铝箔气隙填充生产线
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种既能够有效地将铝箔面自身存在的通透孔隙、缝隙填充密封，又能将铝箔面自身存在的凹槽、线槽填充修补的铝箔气隙填充生产线，属通信用铝箔二次加工制造领域。
【背景技术】
[0002]CN103785800A、名称“一种双零铝箔的生产方法”，包括对铝合金熔融体进行除气除渣后铸乳成厚度为6.5?8.0mm的铸乳卷的步骤，将铸乳卷经第一次冷乳乳制成厚度为2.0?3.0mm的铝卷的步骤，将第一次冷乳后的铝卷在450?550 °C的温度下进行15?20小时的第一次热处理的步骤，将第一次热处理后的铝卷经第二次冷乳乳制成厚度为0.6?0.8mm的铝卷的步骤，以及将第二次冷乳后的铝卷在300?380°C的温度下进行6?12小时的第二次热处理的步骤，其特征在于:将第二次热处理后的铝卷经第三次乳制成0.05?0.1mm厚度的铝卷，然后将铝卷放置在热处理设备中，并加热到铝箔再结晶临界温度，保持5?10小时，以便使铝箔的晶粒结构发生改变，之后将铝箔进行第四次冷乳乳制成0.006?0.009_的双零铝箔;所述铝箔再结晶临界温度为250?310°C。其不中之处:依然无法解决铝箔乳制过程中由于铝本身细小杂质及乳辊面不洁所带来的被乳制铝箔面孔隙、缝隙缺陷的产生，而这些孔隙和缝隙存在铝箔在用于通信光缆、电缆屏蔽包裹时，将会导致通信信号的衰减、外界信号对通信信号的干扰，以及回波损耗现象的发生。
【实用新型内容】
[0003]设计目的:避免【背景技术】中的不足，设计一种既能够有效地将铝箔面自身存在的通透孔隙、缝隙填充密封，又能将铝箔面自身存在的凹槽、线槽填充修补的铝箔气隙填充生产线。
[0004]设计方案:为实现上述设计目的。1、铝箔的一面或双面气隙采用纳米铝填充的设计，是本实用新型的技术特征之一。这样设计的目的在于:纳米铝的平均粒径为55nm，而铝箔乳制过程中所产生的孔隙及缝隙往往大于55nm，因而它能将铝箔乳制过程中所产生的通透或不通透的孔隙、缝隙彻底填充且不增加铝箔本身的厚度，使铝箔的屏蔽性得到了根本性的提高，避免了回波损耗现象的发生。2、采用铝箔气隙检测装置检查铝箔是否存在孔隙、缝隙，采用纳米铝喷涂装置及纳米铝碾压成型装置修补孔隙及缝隙的设计，是本实用新型的技术特征之二。这样设计的目的在于:由于铝箔气隙检测装置由暗箱、发光源及光敏传感器构成；暗箱开有铝箔进出口，当通信光缆、电缆用铝箔由暗箱进口进入暗箱由暗箱出来时，其铝箔宽度恰好将暗箱腔隔成上下两部分腔体，当铝箔不存在孔隙、缝隙时，装在下腔体内的发光源发出的光线无法穿过铝箔，暗箱上腔体没有光线，说明铝箔不存在孔隙、缝隙现象，反之，当光线暗箱上腔体出现时，说明铝箔存在孔隙、缝隙，此时安装在上腔体内的光敏传感器将信号输出端接PLC控制器，PLC控制器指令纳米铝喷涂装置内的纳米铝喷涂喷嘴对存在孔隙、缝隙面的铝箔喷涂纳米铝，然后经纳米铝碾压成型装置中对辊碾压辊碾压即可将孔隙、缝隙填充修补，形成无泄露铝箔面，最后通过净面刷将多余的纳米铝清除即可。
[0005]技术方案:一种铝箔气隙填充生产线，包括PLC控制器，铝箔放卷辊和铝箔收卷辊间依次设有铝箔气隙检测装置、纳米铝喷涂装置及纳米铝碾压成型装置;铝箔气隙检测装置中的光电信号输出端接PLC控制器的信号输入端，PLC控制器的信号输出端一路接纳米铝喷涂装置的信号输入端，一路接伺服电机的信号输入端，伺服电机驱动铝箔收卷辊传动。
[0006]本实用新型与【背景技术】相比，一是铝箔面气隙采用同属性纳米铝填充，不仅大大地提高了铝箔的密实度，而且使低档次铝箔上升为高档铝箔，附加值得到了极大地提升;二是填充修补后的通信铝箔不仅绝缘强度高、屏蔽效果好、而避免了回波损耗现象的发生，产生了预想不到的技术效果和经济效益。
【附图说明】
[0007]图1是铝箔气隙填充生产线的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]实施例1:参照附图1。一种铝箔气隙填充生产线，包括PLC控制器06，铝箔放卷辊08和铝箔收卷辊01间依次设有铝箔气隙检测装置07、纳米铝喷涂装置05及纳米铝碾压成型装置03;铝箔气隙检测装置07中的光电信号输出端接PLC控制器06的信号输入端，PLC控制器06的信号输出端一路接纳米铝喷涂装置05的信号输入端，一路接伺服电机的信号输入端，伺服电机驱动铝箔收卷辊01传动。铝箔气隙检测装置07由暗箱、发光源及光敏传感器构成；暗箱开有铝箔进出口，发光源位于暗箱内下部且位于铝箔下方，光敏传感器位于暗箱内上部且光敏传感器信号输出端接PLC控制器的信号输入端。纳米铝喷涂装置05由纳米铝存储箱、纳米铝喷涂喷嘴及纳米喷涂封闭箱构成;纳米喷涂封闭箱开有铝箔进出口，纳米铝喷涂喷嘴直对铝箔面且纳米铝喷涂喷嘴的工作与否受控于PLC控制器。纳米铝碾压成型装置03由封闭箱、对辊碾压辊04和净面刷02构成;对辊碾压辊04分布在封闭箱内铝箔进口部且对辊碾压辊04由伺服电机驱动转动，伺服电机的工作与否受控于PLC控制器，净面刷02分布在封闭箱内对辊碾压辊04出口一侧。对辊碾压辊04中两辊之间的间隙可调。净面刷02的刷头为毛刷头，或绒刷头，或布刷头。其铝箔气隙填充生产线的填充方法，工作时，PLC控制器06指令伺服电机驱动铝箔收卷辊01和纳米铝碾压成型装置03中的对辊碾压辊04转动，被检测铝箔在铝箔收卷辊01的牵引下由铝箔放卷辊08进入铝箔气隙检测装置07的暗箱内，当被检测的铝箔面透光时，位于暗箱内的光敏传感器被触发将检测到的铝箔气隙的位置信号传递至IjPLC控制器，当有气隙的铝箔在通过纳米铝喷涂装置05中的纳米铝喷涂喷嘴瞬间，PLC控制器指令纳米铝喷涂装置05中的纳米铝喷涂喷嘴将纳米铝喷向铝箔面的气隙部，被喷涂纳米铝的铝箔在通过纳米铝碾压成型装置03中的对辊碾压辊04时，其纳米铝被对辊碾压辊压实后，经过净面刷02将铝箔面多余的纳米铝清除，最后被铝箔收卷辊01收卷。
[0009]需要理解到的是:上述实施例虽然对本实用新型的设计思路作了比较详细的文字描述，但是这些文字描述，只是对本实用新型设计思路的简单文字描述，而不是对本实用新型设计思路的限制，任何不超出本实用新型设计思路的组合、增加或修改，均落入本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种铝箔气隙填充生产线，包括PLC控制器(06)，其特征是:铝箔放卷辊(08)和铝箔收卷辊(01)间依次设有铝箔气隙检测装置(07)、纳米铝喷涂装置(05)及纳米铝碾压成型装置(03);铝箔气隙检测装置(07)中的光电信号输出端接PLC控制器(06)的信号输入端，PLC控制器(06)的信号输出端一路接纳米铝喷涂装置(05)的信号输入端，一路接伺服电机的信号输入端，伺服电机驱动铝箔收卷辊(01)传动。2.根据权利要求1所述的铝箔气隙填充生产线，其特征是:铝箔气隙检测装置(07)由暗箱、发光源及光敏传感器构成;暗箱开有铝箔进出口，发光源位于暗箱内下部且位于铝箔下方，光敏传感器位于暗箱内上部且光敏传感器信号输出端接PLC控制器的信号输入端。3.根据权利要求1所述的铝箔气隙填充生产线，其特征是:纳米铝喷涂装置(05)由纳米铝存储箱、纳米铝喷涂喷嘴及纳米喷涂封闭箱构成;纳米喷涂封闭箱开有铝箔进出口，纳米铝喷涂喷嘴直对铝箔面且纳米铝喷涂喷嘴的工作与否受控于PLC控制器。4.根据权利要求1所述的铝箔气隙填充生产线，其特征是:纳米铝碾压成型装置(03)由封闭箱、对辊碾压辊(04)和净面刷(02)构成;对辊碾压辊(04)分布在封闭箱内铝箔进口部且对辊碾压辊(04)由伺服电机驱动转动，伺服电机的工作与否受控于PLC控制器，净面刷(02 )分布在封闭箱内对辊碾压辊(04 )出口 一侧。5.根据权利要求4所述的铝箔气隙填充生产线，其特征是:对辊碾压辊(04)中两辊之间的间隙可调。6.根据权利要求4所述的铝箔气隙填充生产线，其特征是:净面刷(02)的刷头为毛刷头，或绒刷头，或布刷头。
【文档编号】C23C24/06GK205529040SQ201620000226
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年1月1日
【发明人】沈国忠
【申请人】杭州巨力绝缘材料有限公司