一种离子源磁场分布结构的制作方法

文档序号:10903977阅读:382来源:国知局
一种离子源磁场分布结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种离子源磁场分布结构,包括外磁钢、阳极、靶材、内磁钢、磁钢座、阴极和靶座构成,所述外磁钢及内磁钢安装于磁钢座内部,整体安装于靶座上,所述靶材安装于磁钢座上,由阴极充入冷却水冷却磁钢及靶材,同时通入负电压,由阳极通入正电压且与阴极绝缘,同时通入气体,阴极为纯铁或纯石墨。本实用新型气体由内外阴极间的狭缝通过时,迅速被聚在拱形磁场中间并被离化,通过这样的方式,实现离化率高的同时阴极极少溅射的目的,并具有通用性好,使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。
【专利说明】
一种离子源磁场分布结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种离子源磁场分布结构,属于真空技术领域。
【背景技术】
[0002]现有离子源磁场分布结构技术中,气体由内外阴极间的狭缝通过时,离子源阴极溅射容易导致一些恶劣情况,比如:污染基片;污染阳极;阴极与阳极绝缘不好,使工作不稳,甚至离子源点不起来。鉴于此,有必要对传统的离子源磁场分布结构进行改进,以此来解决目前存在的问题。

【发明内容】

[0003]本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供一种离子源磁场分布结构,可以有效解决【背景技术】中的问题。
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
[0005]本实用新型提供一种离子源磁场分布结构,包括外磁钢、阳极、靶材、内磁钢、磁钢座、阴极和靶座构成,所述外磁钢及内磁钢安装于磁钢座内部,整体安装于靶座上,所述靶材安装于磁钢座上,所述阴极充入冷却水冷却磁钢及靶材,同时通入负电压,所述阳极通入正电压且与阴极绝缘,同时通入气体。
[0006]作为本实用新型的一种优选技术方案,所述阴极为纯铁或纯石墨,所述纯石墨的内外阴极狭缝为直边。
[0007]本实用新型所达到的有益效果是:
[0008]1、本实用新型整体结构简单、外观简洁、便于自动控制;
[0009]2、本实用新型通用性好,使用安全、便于维护、成本较低的显著有益效果。
【附图说明】
[0010]附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。
[0011]在附图中:
[0012]图1是本实用新型的具体实施例的整体结构示意图;
[0013]图中标号:1、外磁钢;2、阳极;3、靶材;4、内磁钢;5、磁钢座;6、阴极;7、靶座。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[00?5] 实施例1:如图1所不,一种离子源磁场分布结构,包括外磁钢1、阳极2、革El材3、内磁钢4、磁钢座5、阴极6和靶座7构成,所述外磁钢I及内磁钢4安装于磁钢座5内部,整体安装于靶座7上,所述靶材3安装于磁钢座5上,该结构中阴极6为纯铁。
[0016]该结构运行时,由阴极6充入冷却水冷却磁钢及靶材3,同时通入负电压;由阳极2通入正电压且与阴极6绝缘,同时通入气体,气体由内外阴极间的狭缝通过时,迅速被聚在拱形磁场中间并被离化,通过这样的方式,实现离化率高的同时阴极不溅射的目的,并具有通用性好,使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。
[0017]实施例2:如图1所示,一种离子源磁场分布结构,包括外磁钢1、阳极2、靶材3、内磁钢4、磁钢座5、阴极6和靶座7构成,该结构中的阴极6由原来的纯铁更换为纯石墨,同时纯石墨的内外阴极狭缝为直边。
[0018]该结构运行时,由阴极6充入冷却水冷却磁钢及靶材3,同时通入负电压;由阳极2通入正电压且与阴极6绝缘,同时通入气体,气体由内外阴极间的狭缝通过时,迅速被聚在拱形磁场中间并被离化,通过这样的方式,实现离化率高的同时阴极不溅射的目的,并具有通用性好,使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。
[0019]最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种离子源磁场分布结构,其特征在于,包括外磁钢(I)、阳极(2)、靶材(3)、内磁钢(4)、磁钢座(5)、阴极(6)和靶座(7)构成,所述外磁钢(I)及内磁钢(4)安装于磁钢座(5)内部,整体安装于靶座(7 )上,所述靶材(3 )安装于磁钢座(5 )上,所述阴极(6 )充入冷却水冷却磁钢及靶材(3),同时通入负电压,所述阳极(2)通入正电压且与阴极(6)绝缘,同时通入气体。2.根据权利要求1所述的一种离子源磁场分布结构,其特征在于,所述阴极(6)为纯铁或纯石墨,所述纯石墨的内外阴极狭缝为直边。
【文档编号】H01J37/34GK205590789SQ201521073448
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2015年12月22日
【发明人】刘野, 刘晓华, 马槽伟
【申请人】大连维钛克科技股份有限公司
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