一种一体式冷冻弧源的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种一体式冷冻弧源，涉及真空离子镀技术领域，包括引弧组件、蒸发源、水冷套、调节套、屏蔽组件、法兰和磁场微调组件，所述蒸发源设于法兰的右侧并通过调节套固定在法兰上，所述水冷套设于法兰的左侧，水冷套与法兰一体焊接成型并组成一水冷腔，水冷腔左侧上下分别设有进水口和出水口，所述引弧组件安装在法兰上并位于蒸发源的侧面，所述磁场微调组件设于水冷套的左侧并通过封盖固定，所述屏蔽组件安装于法兰的侧面，本实用新型采用整体焊接工艺，水冷套与法兰一体化焊接，使其燃烧材料时，表面温度低，同时增加大水冷套，使其流量大，效果佳，避免产生过热现象，整体结构紧凑，安装方便。
【专利说明】
_种_体式冷冻弧源
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及真空离子镀技术领域，具体涉及一种一体式冷冻弧源。
【背景技术】
[0002]电弧离子镀(Arc1n Plating)离子镀膜，是70年代由苏联人发明，80年代初，美国的Muti Arc公司将其应用于工业生产，后来在世界范围内得到蓬勃发展。镀出的膜层速度快、致密度高，结合力好等特点。世界上比较知名的镀膜设备厂如荷兰的hauzer;瑞士balzers；日本kobelco等。国内有普斯特;实力源;丹普等。
[0003]该技术具备很多优点，离化率高70%?80 %，所以沉积速度快、绕镀性好、膜基结合力和膜层性能好;不产生熔池可以合理分配靶的位置，膜层均匀性好;可以施加负偏压，入射离子能量高，膜层致密度高，由于可以活化膜基界面，促进原子扩散，因而膜基结合力好;一弧多用是蒸发源、离化源加热源、清洗;可以低温沉积;应用广泛，主要牵涉到各种刀具;车辆零部件;航空业;钟表行业;各种装饰。
[0004]目前的电弧源主要存在以下问题:靶材表面燃烧温度太高，溅射速率低，对于燃烧高熔点材料，容易产生过热现象。申请号为CN 201520486173.9公开了一种阴极电弧源，包括阴极底座，所述阴极底座的内侧壁上螺纹连接有永磁块，外侧壁上通过螺丝固定有法兰板，且所述法兰板在阴极底座的外侧接装有阳极筒，其中所述阴极底座与法兰板、以及阳极筒之间相互绝缘设置;所述阳极筒在背离所述法兰板的一侧装配有连接柱，并通过该连接柱接装有阳极罩;所述阴极底座上开设有水冷内腔，并在该水冷内腔的顶壁上通过卡环连接件卡接有靶材，且所述靶材贴合于阴极底座中水冷内腔的顶壁设置;所述顶壁设为具有弹性的隔膜板，并可在水冷内腔水压的作用下发生形变以贴合靶材。但是该种电弧源仍没有解决靶材表面燃烧温度太高、溅射速率低的问题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种一体式冷冻弧源，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。
[0006]—种一体式冷冻弧源，包括引弧组件、蒸发源、水冷套、调节套、屏蔽组件、法兰和磁场微调组件，所述蒸发源设于法兰的右侧并通过调节套固定在法兰上，所述水冷套设于法兰的左侧，水冷套与法兰一体焊接成型并组成一水冷腔，水冷腔左侧上下分别设有进水口和出水口，所述引弧组件安装在法兰上并位于蒸发源的侧面，所述磁场微调组件设于水冷套的左侧并通过封盖固定，所述屏蔽组件安装于法兰的侧面。
[0007]优选的，所述磁场微调组件包括调节杆、安装板和永磁体，调节杆穿设在封盖内并可在封盖内来回滑动，调节杆的里端连接有所述安装板，永磁体固定在安装板的里端。
[0008]优选的，所述调节杆的外端连接有提拉块。
[0009]优选的，所述法兰与屏蔽组件之间还设有绝缘套件。
[0010]优选的，所述永磁体的形状具体为环形。
[0011]本实用新型的优点在于:该种电弧源采用整体焊接工艺，水冷套与法兰一体化焊接，使其燃烧材料时，表面温度低，同时增加大水冷套，使其流量大，效果佳，避免产生过热现象，整体结构紧凑，安装方便。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型所述的一种一体式冷冻弧源的正剖视图。
[0013]图2为本实用新型所述的一种一体式冷冻弧源中永磁体的结构示意图。
[0014]其中:I一引弧组件，2—蒸发源，3—水冷套，4一调节套，5—屏蔽组件，6—绝缘套件，7—水冷腔，8—法兰，9一调节杆，1—安装板，11 一永磁体，12—提拉块，13—封盖，14一进水口，15—出水口。
【具体实施方式】
[0015]为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本实用新型。
[0016]如图1所示，一种一体式冷冻弧源，包括引弧组件1、蒸发源2、水冷套3、调节套4、屏蔽组件5、法兰8和磁场微调组件，所述蒸发源2设于法兰8的右侧并通过调节套4固定在法兰8上，所述水冷套3设于法兰8的左侧，水冷套3与法兰8—体焊接成型并组成一水冷腔7，水冷腔7左侧上下分别设有进水口 14和出水口 15，所述引弧组件I安装在法兰8上并位于蒸发源2的侧面，所述磁场微调组件设于水冷套3的左侧并通过封盖13固定，所述屏蔽组件5安装于法兰8的侧面，该种电弧源采用整体焊接工艺，水冷套3与法兰8—体化焊接，使其燃烧材料时，表面温度低，同时增加大水冷套3，使其流量大，效果佳，避免产生过热现象，整体结构紧凑，安装方便。
[0017]值得注意的是，所述磁场微调组件包括调节杆9、安装板10和永磁体11，调节杆9穿设在封盖13内并可在封盖13内来回滑动，调节杆9的里端连接有所述安装板1，永磁体11固定在安装板10的里端，所述调节杆9的外端连接有提拉块12，所述永磁体11的形状具体为环形。
[0018]在本实施例中，所述法兰8与屏蔽组件5之间还设有绝缘套件6。
[0019]基于上述，本实用新型采用整体焊接工艺，水冷套3与法兰8—体化焊接，使其燃烧材料时，表面温度低，同时增加大水冷套3，使其流量大，效果佳，避免产生过热现象，整体结构紧凑，安装方便，镀膜效果好。
[0020]由技术常识可知，本实用新型可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本实用新型范围内或在等同于本实用新型的范围内的改变均被本实用新型包含ο
【主权项】
1.一种一体式冷冻弧源，其特征在于，包括引弧组件、蒸发源、水冷套、调节套、屏蔽组件、法兰和磁场微调组件，所述蒸发源设于法兰的右侧并通过调节套固定在法兰上，所述水冷套设于法兰的左侧，水冷套与法兰一体焊接成型并组成一水冷腔，水冷腔左侧上下分别设有进水口和出水口，所述引弧组件安装在法兰上并位于蒸发源的侧面，所述磁场微调组件设于水冷套的左侧并通过封盖固定，所述屏蔽组件安装于法兰的侧面。2.根据权利要求1所述的一种一体式冷冻弧源，其特征在于:所述磁场微调组件包括调节杆、安装板和永磁体，调节杆穿设在封盖内并可在封盖内来回滑动，调节杆的里端连接有所述安装板，永磁体固定在安装板的里端。3.根据权利要求2所述的一种一体式冷冻弧源，其特征在于:所述调节杆的外端连接有提拉块。4.根据权利要求1所述的一种一体式冷冻弧源，其特征在于:所述法兰与屏蔽组件之间还设有绝缘套件。5.根据权利要求2所述的一种一体式冷冻弧源，其特征在于:所述永磁体的形状具体为环形。
【文档编号】C23C14/32GK205688002SQ201620436071
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年5月14日 公开号201620436071.0, CN 201620436071, CN 205688002 U, CN 205688002U, CN-U-205688002, CN201620436071, CN201620436071.0, CN205688002 U, CN205688002U
【发明人】武文全
【申请人】佛山市佛欣真空技术有限公司