专利名称：碳化硅冶炼温度测控技术的制作方法
技术领域：
本发明涉及碳化硅冶炼技术领域，特别涉及一种碳化硅冶炼温度测定及控制技术。
本发明的目的按下述方案实现碳化硅冶炼温度测定及控制技术，在碳化硅炉石墨电极靠近炉芯的位置装有测温探头，来自测温探头的温度数据与设定的温度范围进行比较，根据比较数据调整整整流变输出电流，从而控制冶炼温度在±100℃内；上述测温探头是耐温在1000-1800℃的热电偶。
本发明将耐温低于1800℃的感温元件置于靠近炉芯的石墨电极之内，该区域内的温度不超过1800℃。因为石墨电极的传热系数在一定温度范围内变化很小，根据测温点到炉芯的距离可推算出炉芯的实际温度，误差不超过50℃，实现了炉芯温度的测定，从而为实现炉温的准确控制提供了保证，本发明可控制炉温在±100℃以内，产品电耗控制在5600度/T以内，品级率可达到60％以上。
权利要求
1.碳化硅冶炼温度测控技术，其特征在于在碳化硅炉石墨电极靠近炉芯的位置装有测温探头，来自测温探头的温度数据与设定的温度范围进行比较，根据比较数据调整整流变输出电流，从而控制冶炼温度在±100℃内。
2.如权利要求1所述的碳化硅冶炼温度测控技术，其特征在于上述测温探头是耐温在1000-1800℃的热电偶。
全文摘要
本发明涉及碳化硅冶炼温度测定及控制技术，其测温探头位于碳化硅炉石墨电极靠近炉芯的位置，来自测温探头的温度数据与设定的温度范围进行比较，根据比较数据调整整流变输出电流，从而控制冶炼温度在±100℃内。本发明将耐温低于1800℃的感温元件置于靠近炉芯的石墨电极之内，实现了炉芯温度的测定，从而为实现炉温的准确控制提供了保证，本发明可控制炉温在±100℃以内，产品电耗控制在5600度/T以内，品级率可达到60％以上。
文档编号C01B31/36GK1421387SQ0215448
公开日2003年6月4日 申请日期2002年12月17日 优先权日2002年12月17日
发明者唐晓舟, 范先鹤, 贺吉先, 强树宏, 阎志贤, 胡凤伟, 李金宝 申请人:宁夏隆湖北方实业有限公司