单分散单壁碳纳米管群体及其制造方法

专利名称：：单分散单壁碳纳米管群体及其制造方法单分散单壁碳纳米管群体及其制造方法
背景技术：
碳纳米管的尺寸为纳米级，并且具有优异的材料性能，例如弹道电导性、在高电流密度下无电迁移效应以及透明传导性，因此近年来碳纳米管受到了广泛的关注。然而，合成的碳纳米管在直径和手性角上存在差异，这些物理差异导致其电学和光学行为显著不同。例如，在所有可能的单壁碳纳米管(SWNT)中，大约三分之一呈现金属特性，而其余三分之二表现为半导体。此外，半导体SWNT的带隙的大小与管径成反比关系。例如，通过激光烧蚀法制造的半导体SWNT的直径范围约为11-16A，且其光带隙范围约为0.65-0.95eV。现有的合成SWNT存在不可避免的结构非均匀性，这阻碍了它们作为高性能的场效应晶体管、光电近红外发射器/检测器、化学传感器、集成电路互连材料和复合材料中的导电添加剂的广泛应用。因此，除非能够制造或获得大量的单分散SWNT，否则SWNT的应用将受到局限。尽管最近已经提出了几种SWNT纯化方法，但现有技术还未报导在较宽的直径和带隙范围上同时实现直径和带隙选择性、导电类型(金属性或半导体型)选择性和可放大性(scalability)。此外，大多数技术的效果有限，其中有许多仅对直径小于约11A的SWNT有效。这个限制十分关键，因为对于电子器件来说最重要的那些SWNT由于要形成电阻较小(即，减小的肖特基势垒)的接触而通常直径较大。介电电泳法和受控电击穿法均受限于可放大性而只对导电类型(而非直径或带隙)敏感。另外，重氮盐与金属SWNT的选择性化学反应仅适用于直径为7-12A的SWNT，并且这种方法无法提供直径和带隙选择性。更严重的问题是，化学物质还造成纳米管侧壁的共价键断裂(covalentdegradation)。此外，在有机溶剂中使用胺封端的表面活性剂只能用于制造仅有92%的半导体性的样品，而且该技术仅仅成功地应用于直线小于或约为10A的SWNT。类似地，虽然通过阴离子交换色谱观测到了直径和导电类型选择性，但是这种方法仅适用于直径为7-11A的由特定DNA低聚物缠绕的SWNT。
发明内容综上所述，本发明的一个目的是提供包含多个碳纳米管的组合物(composition)，所述碳纳米管在其结构和/或特性(特别是直径、带隙、手性和/或导电类型(金属型或半导体型))方面基本上具有单分散性。为了提供这种基本单分散的碳纳米管，本发明还涉及一种或更多种方法和/或系统，所述方法和/或系统可用于分离在结构上和/或特性上非均一的碳纳米管，从而克服现有技术中的(包括上面提到的)各种缺陷和不足。本领域技术人员应当理解，本发明的一种或更多种实施方式可以实现某些目的，而一种或更多种其它实施方式可实现另一些目的。本发明的每种实施方式并不一定要实现所有目的。因此，以下目的对于本发明的某一实施方式来说是可选的。本发明的另一个目的是提供用于分离任何直径或长度的碳纳米管的方法和相关系统，这些方法和系统与各种纳米管制造技术相容并且可以实现实际尺寸级别上的分离。本发明的另一个目的是提供根据导电类型来分离任何直径和/或手性的碳纳米管的方法和相关系统。本发明的另一个目的是提供根据直径来分离任何手性和/或导电类型的碳纳米管的方法和相关系统。本发明的另一个目的是提供根据手性来分离碳纳米管的方法和相关系统，所述方法和系统可以与特定直径和/或导电类型相关。本发明的另一个目的是提供一些表面活性组分及其用途，其用于设计由表面活性组分和碳纳米管的非均一样品形成的复合物的浮力密度差异，从而可以根据结构和/性质(包括但不限于手性、直径、带隙和/或导电类型)来分离纳米管。本发明的另一个目的是提供可以与现有的自动化技术相结合并且可以放大到商业生产规模的分离方法和系统。具备碳纳米管的制备、性质和相关分离技术知识的本领域技术人员，通过
发明内容部分以及下面的具体实施方式部分的描述，能够清楚地了解本发明的其它目的、特点和优点。通过实施例、数据、附图以及所有的合理推测，并且考虑本文结合的参考文献，本发明的目的、特点、效果和优点将是清楚的。本发明部分地涉及一种利用密度梯度来分离单壁碳纳米管的方法，其中所述密度梯度由液体介质提供。这种方法可以包括将包含密度梯度的液体介质和包含第一表面活性组分、第二表面活性组分和单壁碳纳米管混合物的组合物离心以使所述混合物沿密度梯度分离；以及从液体介质中离析包含经分离的单壁碳纳米管的分离级分(separationfraction)。更具体地，单壁碳纳米管的混合物可以包括各种直径、手性和/或导电类型的碳纳米管，并且第一表面活性组分与第二表面活性组分之比可以不同于4:1。如这里所述，应当理解，离析分离级分通常得到由表面活性组分和单壁碳纳米管混合物形成的复合物，而离析之后的处理(例如，通过洗涤、透析和/或过滤)从SWNT去除表面活性组分可以得到基本上纯的或裸(bare)的碳纳米管。然而，为了简便起见，在本文中除了"复合物"之外也可以使用单壁碳纳米管混合物这样的称谓，并且除非特别声明是指非复合的单壁碳纳米管(即裸的SWNT)，本文所称"单壁碳纳米管混合物"应当根据说明书上下文被解释成包括复合物。在某些实施方式中，第一表面活性组分可以是胆汁盐，第二表面活性组分可以是阴离子型烷基两性分子(amphiphile)。可将液体介质和组合物离心一段时间和/或在一定转速下离心，以足以将混合物沿密度梯度至少部分地分离。用这种方法分离纳米管时，不受直径、手性和/或导电类型的限制。在某些实施方式中，混合物中的单壁碳纳米管可以各自独立地具有高达约20A或更大的多种直径。在某些实施方式中，直径可为约7-11A，而在某些其它实施方式中，直径可大于约11A(例如，约11-16人)。非限制地，分离级分中可以提供并随后离析出经分离的窄分布单壁碳纳米管。例如，在某些实施方式中，大于约70%的经分离的单壁碳纳米管可为半导体型。在其它实施方式中，大于约50%的经分离的单壁碳纳米管可为金属型。在某些实施方式中，该方法可以包括对经分离的单壁碳纳米管进行离析后处理，以提供裸的单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法还可以包括对分离级分重复进行离心和离析步骤。本发明还部分地涉及一种利用密度梯度基于导电类型来分离单壁碳纳米管的方法，其中密度梯度由液体介质提供。这种方法可以包括将包含密度梯度的液体介质和包含单壁碳纳米管混合物(包含半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管两者)和至少两种表面活性组分(例如，第一表面活性组分和第二表面活性组分)的组合物离心以使所述混合物沿密度梯度分离；以及从液体介质中离析基本为半导体型的分离级分或基本为金属型的分离级分。本文所用的"基本为半导体型的分离级分"是指所述分离级分中的大部分是半导体型单壁碳纳米管，或者是指所述分离级分包括高浓度或高百分比的半导体型单壁碳纳米管。例如，与混合物相比，基本为半导体型的分离级分可以包括较高浓度或百分比的半导体型单壁碳纳米管。类似地，本文所用的"基本为金属型的分离级分"是指所述分离级分中的大部分是金属型单壁碳纳米管，或者是指所述分离级分包括高浓度或高百分比的金属型单壁碳纳米管。例如，与混合物相比，基本为金属型的分离级分可以包括较高浓度或百分比的金属型单壁碳纳米管。在某些实施方式中，离心后离析的分离级分可基本为半导体型。在其它实施方式中，离心后离析的分离级分可基本为金属型。例如，在某些实施方式中，分离级分中的大于约70%的单壁碳纳米管可为半导体型单壁碳纳米管。在其它实施方式中，分离级分中的大于约50%的单壁碳纳米管可为金属型单壁碳纳米管。可将液体介质和混合物离心一段时间和/或在一定转速下离心，以足以将混合物(即复合物)沿密度梯度至少部分地分离。在某些实施方式中，混合物中的单壁碳纳米管可以各自独立地具有高达约20A或更大的多种直径。在某些实施方式中，直径可为约7-11A，而在某些其它实施方式中，直径可大于约11A(例如，约11-约20人或约11-约16A)。在某些实施方式中，第一表面活性组分可以是胆汁盐，第二表面活性组分可以是阴离子型垸基两性分子。在某些实施方式中，该方法可以包括对经分离的单壁碳纳米管进行离析后处理，以提供裸的单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法还可以包括对分离级分重复进行离心和离析步骤。例如，将第一分离级分离心可导致基于导电类型的第二次分离。第二次分离可使第二分离级分比第一分离级分具有更高浓度或百分比的期望导电类型。除了基于导电类型的分离，该方法可以包括基于纳米管直径和/或手性的进一步分离，例如通过对分离级分重复离心和分离步骤。在某些实施方式中，对基本为半导体型的分离级分重复离心和分离步骤可使随后得到的分离级分主要包括具有预定窄直径范围的半导体型单壁碳纳米管(例如，直径约为7.6人，直径约为8.3人，直径约为9.8或10.3人，等等)。本发明部分地涉及一种使单壁碳纳米管群体(population)富集半导体型单壁碳纳米管的方法。这种方法可以包括从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中离析半导体型碳纳米管，而无需对金属型单壁碳纳米管进行不可逆的修饰。在某些实施方式中，该方法可以包括，在不对金属型单壁碳纳米管进行不可逆的修饰(例如，在从混合物中离析半导体型单壁碳纳米管之前)的条件下，从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中分离半导体型单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法可以包括对经富集的群体进行处理以提供裸的单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法可以包括对半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物进行离心。在某些实施方式中，该方法可以提供包含至少70%的半导体型单壁碳纳米管的单壁碳纳米管群体。除了提供富集半导体型单壁碳纳米管的群体以外，该方法可进一步使基本为半导体型的群体富集预定范围的纳米管直径和/或手性。例如，该方法可进一步使基本为半导体型的群体进一步富集直径为约7.6A、约8.3A、约9.8/10.3A等的纳米管。在某些实施方式中，混合物中的(即分离之前的)单壁碳纳米管可以各自独立地具有高达约20A或更大的多种直径。在某些实施方式中，直径可为约7-llA，而在某些其它实施方式中，直径可大于约11A(例如，约11-20A或约11-16A)。本发明部分地涉及一种使单壁碳纳米管群体富集金属型单壁碳纳米管的方法。这种方法可以包括从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中离析金属型碳纳米管。如上所述，目前的用于从导电类型不ii均一的混合物中分离金属型单壁碳纳米管的方法据称会引起纳米管侧壁破损。因此，本发明还部分地涉及基于导电类型分离单壁碳纳米管的方法，其中所述方法可使基本为金属型的分离级分主要包括结构完整的金属型单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法可以包括从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物(即，在从混合物中离析金属型单壁碳纳米管之前的)中分离金属型单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法可以包括对经富集的群体进行处理以提供裸的单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法可以包括对半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物进行离心。在某些实施方式中，该方法可以提供包含至少50%的金属型单壁碳纳米管的单壁碳纳米管群体。除了提供富集金属型单壁碳纳米管的群体以外，该方法可进一步使基本为金属型的群体富集预定范围的纳米管直径和/或手性。在某些实施方式中，混合物中的单壁碳纳米管可以各自独立地具有高达约20A或更大的多种直径。在某些实施方式中，直径可为约7-llA，而在某些其它实施方式中，直径可大于约11A(例如，约11-20A或约11-16A)。本发明部分地涉及一种利用密度梯度从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中离析金属型单壁碳纳米管的方法。该方法可以包括提供表面活性组分体系；将包含密度梯度的液体介质和包含表面活性组分体系和半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物的组合物离心以使所述混合物沿密度梯度分离；以及从液体介质中离析基本为金属型的分离级分。更具体地，表面活性组分体系可以包含第一表面活性组分和第二表面活性组分，其中第一表面活性组分与第二表面活性组分之比被调节成使得当表面活性组分体系与单壁碳纳米管混合物接触并离心时，包含基本为金属型的SWNT的分离级分的密度不同于包含基本为半导体型的SWNT的另一个分离级分(即，密度较小或较大)。可将液体介质和混合物离心一段时间和/或在一定转速下离心，以足以将混合物沿密度梯度至少部分地分离。在某些实施方式中，第一表面活性组分可以是胆汁盐，第二表面活性组分可以是阴离子型烷基两性分子。在某些实施方式中，第一表面活性组分与第二表面活性组分之比可小于约1。在某些实施方式中，该方法可以包括对基本为金属型的分离级分进行处理(例如洗涤)以提供裸的金属型单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法可以包括对基本为金属型的分离级分重复离心和离析步骤。例如，将第一分离级分离心可导致基于导电类型的第二次分离。第二次分离可使第二分离级分比第一分离级分具有更高浓度或百分比的金属型单壁碳纳米管。除了提供基本为金属型的分离级分以外，该方法可以包括基于纳米管直径和/或手性的例如通过对基本为金属型的分离级分重复离心和分离步骤的进一步分离。在某些实施方式中，混合物中的单壁碳纳米管可以各自独立地具有高达约20A或更大的多种直径。在某些实施方式中，直径可为约7-11A，而在某些其它实施方式中，直径可大于约11A(例如，约11-20A或约11-16人)。在某些实施方式中，分离级分中的大于约50%的单壁碳纳米管可为金属型。本发明部分地涉及一种利用密度梯度从金属型单壁碳纳米管和半导体型单壁碳纳米管的混合物中离析半导体型单壁碳纳米管的方法。该方法可以包括提供表面活性组分体系；将包含密度梯度的液体介质和包括表面活性组分体系和半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物的组合物离心以使所述混合物沿密度梯度分离；以及从液体介质中离析基本为半导体型的分离级分。更具体地，表面活性组分体系可以包括第一表面活性组分和第二表面活性组分，其中第一表面活性组分与第二表面活性组分之比被调节成使得当表面活性组分体系与单壁碳纳米管混合物接触并离心时，包含基本为半导体型的SWNT的分离级分的密度不同于包含基本为金属型的SWNT的另一个分离级分(即，密度较小或较大)。可将液体介质和混合物离心一段时间和/或在一定转速下离心，以足以将混合物沿密度梯度至少部分地分离。在某些实施方式中，第一表面活性组分可以是胆汁盐，第二表面活性组分可以是阴离子型烷基两性分子。在某些实施方式中，第一表面活性组分与第二表面活性组分之比可大于约1。在某些实施方式中，该方法可以包括对基本为半导体型的分离级分进行处理以提供裸的半导体型单壁碳纳米管。在某些实施方式中，该方法可以包括对基本为半导体型的分离级分重复离心和离析步骤。例如，将第一分离级分离心可导致基于导电类型的第二次分离。第二次分离可使第二分离级分比第一分离级分具有更高浓度或百分比的半导体型单壁碳纳米管。除了提供基本为半导体型的分离级分以外，该方法可以包括基于纳米管直径和/或手性的例如通过对基本为半导体型的分离级分重复离心和分离步骤的进一步分离，以使随后得到的分离级分主要包括具有预定直径范围的半导体型单壁碳纳米管(例如，直径约为7.6A，直径约为8.3A，直径约为9.S/10.3人，等等)。如本文所述，可以通过分光光度法和/或荧光法来识别经选择性分离的纳米管，这种识别包括将吸光度和/或发射光谱与相应的参照光谱比较。本发明还部分地涉及一种利用表面活性组分来改变碳纳米管的浮力密度的方法。这种方法可以包括提供包含密度梯度的液体介质；使结构和/或导电类型不同的单壁碳纳米管混合物与至少一种表面活性成分接触，以提供浮力密度差异；使介质与组合物接触；将介质和组合物离心一段时间和/或在一定转速下离心，以足以将混合物(即复合物)沿密度梯度基于浮力密度至少部分地分离；基于结构和/或导电类型从介质中选择性地分离出一群或一部分碳纳米管。可以使用的液体介质和其中结合的物质以及表面活性组分可如本文其它部分所述。对于表面活性组分，可以通过两种或更多种表面活性组分的组合来可选地改变或调节浮力密度差异，其中的接触和/或相互作用可以与结构和/或导电类型相关。纳米管的直径可以沿着密度梯度及其沿密度梯度的位置增大。被选择性分离的那些纳米管可以包括至少一种手性和/或至少一种导电类型。当这种纳米管包括至少两种手性时，选择可以包括如本文其它部分所述的反复分离(iterativeseparation)，以使手性沿梯度进一步分配。当这种纳米管包括多种导电类型时，本发明可以包括如本文其它部分所述的反复分离，以使导电类型沿梯度进一步分配。此时，反复分离中的至少一次分离可以不同于先前进行的分离，这是通过改变表面活性组分、介质组成或特性、介质密度梯度和/或介质pH来实现。本发明还可以部分地涉及一种用于分离碳纳米管的系统。这种系统可以包括液体密度梯度介质和包含至少一种表面活性组分和具有不同手性、组合物，其中表面活性成分和纳米管的复合物沿介质梯度定位。直径仅受纳米管制造中所用的合成技术的限制。非限制地，直径范围可为从小于或大约4人至约7A、至约16A或至约20A或更大。类似地，这种系统中的纳米管不受限于手性或导电类型。非限制地，手性可选自本文讨论的任意一种或其组合。独立于手性、直径或任何其它结构或物理特性，这种系统中的纳米管可为半导体型和/或金属型。尽管如此，可以根据本文其它部分讨论的考虑因素来选择液体密度梯度介质和一种或更多种表面活性组分(含或不含协同表面活性剂)。在某些实施方式中，该系统的纳米管可以基于直径和/或导电类型被选择性地分离，通过使用本文所述的技术进行比较，这种特性可以对应于各自的制造工艺和/或商业来源。因此，根据本发明分离的碳纳米管(例如，非限制地，单壁碳纳米管)可为或被识别为基本或主要为半导体型或金属型，或直径为约7-16A。非限制地，通过本发明的方法可以达到的选择性可以由分离直径差异小于约0.6A的碳纳米管来示明。作为进一步的指标，这种导电类型或这种直径范围的纳米管可为基本一种手性(n，m)或多种(n，m)手性的混合物，其中n和m表示手性中心。本发明还涉及结构和/或性质方面基本为单分散的单壁碳纳米管的群体。换言之，该群体一般具有窄分布的一种或更多种预定结构或功能特性。例如，在某些实施方式中，群体可以在直径方面基本上是单分散的(例如，单壁碳纳米管群体中的大于约75%，包括大于约90%或大于约97%，的单壁碳纳米管的直径可以与群体的平均直径的差异在约0.5A以内，单壁碳纳米管群体中的大于约75%，包括大于约90%或大于约97%，的单壁碳纳米管的直径与群体的平均直径的差异在约0.2A以内，单壁碳纳米管群体中的大于约75%，包括大于约90%或大于约97%，的单壁碳纳米管的直径与群体的平均直径的差异在约0.1A以内)。在某些实施方式中，该群体可以在导电类型方面基本上是单分散的(例如，单壁碳纳米管群体中的大于约70%，包括大于约75%、大于约80%、大于约85%、大于约90%、大于约92%、大于约93%、大于约97%、大于约99°/。，的单壁碳纳米管可为半导体型，或者单壁碳纳米管群体中的大于约50%，包括大于约75%、大于约90%、大于约97%、大于约99%，的单壁碳纳米管可为金属型)。在某些实施方式中，该群体可以在手性方面基本上是单分散的(例如，单壁碳纳米管群体中的大于约30%，包括大于约50%，大于约75%，大于约90%，的单壁碳纳米管可以具有相同的手性(n，m)类型)。应当理解，本发明的碳纳米管群体是松散或大量的碳纳米管，这不同于为了特定的最终用途在基材上生长并粘附于其上的碳纳米管。本发明的范围还包括包含本发明单壁碳纳米管群体的制品以及那些包含本发明的方法所提供的经离析的或裸的单壁碳纳米管的制品。这种制品的实例包括但不限于，各种电子器件、光学器件以及光电器件。这种器件的实例包括但不限于，薄膜晶体管(例如，场效应晶体管)、化学传感器、近红外发射器和近红外检测器。本发明的制品的其它实例包括透明导电膜、集成电路互连以及复合材料中的导电添加剂。应当理解，某些附图并非依实际比例，其重点在于说明本发明的原理。这些附图不以任何方式限制本发明的范围。图1示出了碳纳米管的不同物理结构。图2为密度梯度离心的示意图。图3(a)-3(c)为基于密度的表面活性剂包覆和分选的示意图。图4示出了超离心过程中密度梯度的分层及其再分布，图4(a)示出了典型的初始密度梯度，图4(b)示出了密度再分布曲线。图5是图示了如何通过密度梯度超离心使用大步阶密度梯度来富集SWNT的视图。图6示出了用于确定SWNT相对浓度的吸收光谱拟合曲线。图7示出了通过密度梯度超离心来分离SC包覆的CoMoCAT合成的SWNT(直径为7-11A)，图7(a)示出了进行了一步分离之后的离心管，图7(b)示出了利用密度梯度离心分离之后的吸光光谱(光程长1cm)。图8示出了通过密度梯度超离心来分离SDBS包覆的CoMoCAT合成的SWNT，图8(a)示出了进行了一步分离之后的离心管，图8(b)示出了利用密度梯度离心分离之后的吸光光谱(光程长1cm)。图9示出了在单一表面活性剂密度梯度中分离的去氧胆酸盐包覆的SWNT的光谱(a)，牛磺去氧胆酸盐包覆的SWNT的光谱(b)，SDS包覆的SWNT的光谱(c)。图10示出了通过密度梯度超离心来分离SC包覆的激光烧蚀合成的SWNT，图10(a)是进行了一步分离之后的离心管的照片，图10(b)示出了利用密度梯度离心分离之后的吸光光谱(光程长lcm)。图11示出了用于确定SWNT相对浓度的光致发光光谱的拟合曲线，图ll(a)示出了光致发光强度(纵轴)与激发和发射波长(横轴)的关系，图ll(b)示出了光致发光强度与740nm下的激发波长的关系，图ll(c)示出了光致发光强度的偏导数(纵轴)与激发和发射波长(横轴)的关系，图ll(d)示出了光致发光强度的偏导数与740nm下的激发波长的关系。图12更精细地示出了光致发光的强度与激发和发射波长的关系。图13示出了图12中的光致发光光谱对应的光谱。图14示出了(6，5)、(7，5)禾B(9，5)/(8，7)手性的CoMoCAT生长的SWNT的浓度(分别以A、O和众表示)与密度的关系(a)SC，无缓冲液，pH=7.4;(b)SC，20mM，Tris缓冲液，pH=8.5;(c)SC，添加SDS作为协同表面活性剂(SDS:SC重量比为1:4)。图15示出了光致发光强度与激发和发射波长的关系，图15(a)示出了分离前的不均一的HiPCO生长的SWNT群体，图15(b)和图15(c)示出了使用协同表面活性剂(SDS:SC重量比为1:4)分离后的不均一的HiPCO生长的SWNT群体。图16示出了利用竞争性协同表面活性剂混合物对基于导电类型的分离的优化，图16(a)示出了使用协同催化剂体系(SDS:SC比为1:4)离析主要为半导体型的激光烧蚀合成的SWNT，图16(b)示出了使用密度梯度超离心分离后的吸光光谱(光程长1cm)。图17示出了在对于分离主要为金属型的SWNT(SDS:SC比为3:2)和主要为半导体型的SWNT(SDS:SC比为3:7)进行优化的协同表面活性17剂体系中分离的激光烧蚀合成的SWNT的吸光光谱。图18对比了使用SDS:SC比为3:2的协同表面活性剂体系(经优化，〇，图16)与SDS:SC比为1:4的协同表面活性剂体系(未优化，☆，图15(b))离析的主要为金属型的SWNT级分的吸光光谱。图19对比了未分选的激光烧蚀合成SWNT与经分选的半导体型激光烧蚀合成SWNT的吸光光谱，其中激光烧蚀合成SWNT从以下三个不同来源获得(a)从CaarbonNanotechnologies，Inc.获得的未纯化的粗制激光烧蚀合成SWNT(批料A)，(b)从IBM获得的经硝酸纯化的激光烧蚀合成SWNT(批料B)，(c)从IBM获得的经硝酸纯化的激光烧蚀合成SWNT(批料C)。图20示出了未分选(☆)、经分选的金属型(△)和经分选的半导体型()的激光烧蚀合成SWNT的高信噪比吸光光谱，约900nm处的"*"表示寄生(spurious)半导体型SWNT的光吸收。约600nm处的"*"表示寄生金属型SWNT的光吸收。图21示出了用于测量经分选的金属型SWNT的吸收幅度的基线扣除(baselinesubstraction)，图21(a)示出了金属型SWNT的吸收的测量，图21(b)示出了寄生半导体型SWNT的吸收的测量。图22示出了用于测量经分选的半导体型SWNT的吸收幅度的基线扣除，图22(a)示出了金属型SWNT的吸收的测量，图22(b)示出了寄生半导体型SWNT的吸收的测量。图23示出了用于测量未分选的SWNT的吸收幅度的基线扣除，图23(a)示出了金属型SWNT的吸收的测量，图23(b)示出了寄生半导体型SWNT的吸收的测量。图24通过绘制初始SWNT的百分比与级分号(fractionnumber)的关系示出了分选实验的典型收率(yield)，图24(a)中的数据点对应于半导体激光烧蚀合成SWNT的分选实验(SDS:SC比为1:4)(图16(a)-16(b))中的对初始材料标准化的942nm下的吸光率(S22)，左侧箭头指向半导体型SWNT的橙色带(图16(a))，右侧箭头指向黑色聚集带(图16(a)的离心管底部)，图24(b)中的数据点对应于CoMoCAT生长SWNT的基于直径的SC分选实验(图7(a)-7(b))中的对初始材料标准化的982nm下的吸光率((6，5)手性的第一级跃迁)，图中箭头指向品红色带(图7(b))。图25示出了半导体型和金属型SWNT的电子器件，图25(a)为源电极和漏电极的周期性阵列(特别指出了单个器件)，图25(b)示出了薄膜(逾渗SWNT网络)的代表性原子力显微(AFM)图像，图25(c)示出了场效应晶体管(FET)的几何结构(s表示源极，g表示栅极，d表示漏极)，SWNT网络形成在100nm的热生长Si02层上，作为栅极电解质，图25(d)示出了薄膜电阻的倒数与在协同表面活性剂密度梯度中纯化的半导体型(△)和金属型(〇)SWNT的栅极偏压的关系，通过将源-漏电流与在FET的"导通"状态中固定源-漏偏压下的栅极偏压的关系拟合成一条直线(插值)来估算半导体型SWNT网络的电迁移率。图26(a)示出了半导体型网络的AFM图像(比例尺0.5/mi)，图26(b)示出了同一图像中的SWNT导电路径(黑色轨迹)。具体实施例方式在整个说明书中，当组合物被描述为具有、包括或包含特定组分时，或者当方法被描述为具有、包括或包含特定方法步骤时，意指本发明的组合物还主要由所述组分组成或由所述组分组成，并且本发明的方法还主要由所述方法步骤构成或由所述方法步骤构成。应当理解，在保证方法可操作的条件下，歩骤顺序或进行特定操作的顺序并不重要。此外，两个或更多个步骤或操作可同时进行。在本发明中，当一个元件或组分被描述成包括于和/或选自一组所述的元件或组分时，应当理解该元件和组分可以是所述元件和组分中的任何一个并且可以选自由所述元件或组分中的两个或更多个组成的组。另外，应当理解，本文描述的组合物、装置或方法的要素和/或特征可以明确或隐含地在不脱离本发明的范围的前提下以各种方式组合。除非另有说明，所用术语"包括"、"包含"或"具有"应当一般地理解为开放式和非限定性。除非另有说明，本文中使用的单数形式包括复数形式(反之亦然)。此外，除非另有说明，当在一个数值前使用术语"约"时，本发明还包括该具体数值本身。应当理解，除非说明书中另有说明或可从说明书推断出，本文所称"碳纳米管"是指单壁碳纳米管(SWNT)。除非说明书中另有说明或可从说明书推断出，本文所用术语"碳纳米管"、"单壁碳纳米管"或"SWNT"应被理解为包括通过任何现有或将来出现的技术合成的单壁碳纳米管并且具有由这些方法得到的任何物理性质(例如，导电类型或手性)或尺寸(例如，个体直径或长度)。例如，依赖于制备SWNT所用的合成方法，单个SWNT可以具有约l-107nm(约10A至约1cm)的长度以及约0.5-约10nm(约5-约100A)的直径。目前为止，合成单壁碳纳米管的方法包括高压一氧化碳分解("HiPCO")、Co-Mo催化("CoMoCAT")、激光烧蚀、电弧放电和化学气相沉积，并且通过一种或更多种上述方法合成的单个SWNT的直径可为至多约10人(例如约5-约10A)、至多约20A(例如约5-约20A，约5-约16A，约5-约11A，约7-约20A，约7-约16A，约7-约ll人，约11-约20A，或约11-约16A)、至多约50人(例如约5-约50A，约7-约50入，约11-约50人，约16-约50A或约20-约50A)。因为本发明的构思和原理不依赖于带分离的SWNT的个体的物理尺寸，因此本发明的方法和系统可用于分离SWNT而不管其个体直径如何，所述SWNT甚至包括个体直径大于通过现有合成方法得到的那些的SWNT。在一个方面，本发明涉及用于分离在结构上和/或特性上不均一的SWNT的方法。本发明的方法可以在不对纳米管进行化学或结构修饰的条件下根据结构和/或一个或更多个其它性质来分离SWNT。本发明的方法可以同时实现对直径和手性的选择性、对直径和导电类型的选择性、对导电类型和手性的选择性或者对直径、导电类型和手性的选择性，并且可用于分离直径范围很宽的SWNT。此外，本发明的方法更具通用性和可放大性，并且可与现有自动化装置结合使用。更具体的，本发明提供了基于至少一种选定性质分离碳纳米管的方法。所述至少一种选定性质可以是手性、直径、带隙、导电类型(金属型或半导体型)中的一种或更多种。这些性质中，有些独立于其它性质，而另一些可与相互关联。例如，如果知道了某个碳纳米管的手性指数(chiralindices)，则可与确定其直径和导电类型，如图1所示。碳纳米管的物理结构(手性)有一对整数(n，m)(手性指数)表征，因此C二nfl7十mfl2，其中C为定义纳米管周长(circumference)的巻积向量(roll-upvector)，"7和fl2为定义石墨片的主晶格向量。在图1中，金属型SWNT标记为绿色，而mod(n，m)=1的半导体型SWNT标为红色，mod(n，m)二2的半导体型SWNT标为蓝色。本发明的方法可与包括将碳纳米管与基于所述至少一种选定性质与碳纳米管发生不同相互作用的试剂接触。在某些实施方式中，该试剂基于所述至少一种选定形式对碳纳米管的密度产生不同的影响。因此，本发明的方法可涉及使用密度梯度(例如通过密度梯度离心)来分离碳纳米管。本发明的方法可以包括在结构和/或性质(例如手性、直径、带隙和/或导电类型)不同的碳纳米管(例如SWNT)之间产生或增大密度(单位体积的质量)差异。该密度差异可以是浮力密度差异。液体介质中的SWNT的浮力密度可以取决于多种因素，包括碳纳米管本身的质量和体积、其表面官能化以及静电结合水合层。例如，碳纳米管的表面官能化可以是非共价性的，并可以通过用一种或更多种表面活性组分(例如，表面活性剂)包覆碳纳米管实现。因此，在某些实施方式中，本发明的方法可以包括，将不同结构和/或性质的单壁碳纳米管与至少一种表面活性组分(例如表面活性剂)接触，以在将由表面活性组分和单壁碳纳米管形成的复合物置于具有密度梯度的液体介质中时在单壁碳纳米管之间提供有差异的浮力密度。浮力密度差异可以依赖于纳米管直径、带隙、导电类型和/或手性，因此可以基于直径、带隙、导电类型和/或手性来分离单壁碳纳米管。一般来说，密度梯度离心中使用的液体介质在离心管或离心室的不同位置具有预定的不同密度(即密度梯度)。图2示意性地示出了密度梯度离心法。密度不同的各种物质沉降通过密度梯度，直到它们各自达到等密度点，等密度点是梯度中的由于各种物质的浮力密度与液体介质的浮力密度相同而导致沉降停止的点。仅当碳纳米管在其中的团聚达到无法实现至少部分分离的程度时，本发明才不能使用这种液体介质。因此，非限制地，可以使用含水或不含水的液体，液体中可以溶解或分散有各种浓度的物质，以使该介质具有本文所述的分离技术所需的密度梯度。这些物质可为离子型或非离子型，其非限定性示例分别包括无机盐和醇。在某些实施方式中，如下文更详细地描述，该介质可以含有一定浓度范围的含水碘克沙醇及相应的浓度梯度。类似地，如下所述，影响本发明的方法因素包括梯度坡度(受离心管或离心室的长度和/或离心角度的影响)。本领域技术人员应当理解，含水碘克沙醇是常用的非离子型密度梯度介质。然而，本领域技术人员还应理解可以使用其它具有良好效果的介质。更一般地，作为密度梯度介质，可以使用能够在所选液体或溶剂中稳定存在、溶解或分散的任何材料或化合物。通过将该材料或化合物以不同浓度溶解在液体中，可以形成各种密度，并且可以在例如离心管或离心室中形成密度梯度。更具体地，对于介质的选择，还应使碳纳米管(无论是否官能化)能够溶解、稳定或分散于液体/溶剂或所形成的密度梯度中。类似地，从实际角度考虑，对于特定的梯度介质，其最大密度(通过材料或化合物在所选溶剂或液体中的溶解度极限来确定)应当至少与特定碳纳米管(和/或含有一种或更多种表面活性组分(例如表面活性剂)的组合物)的浮力密度一样大。因此，对于本发明，可以使用能使单壁碳纳米管稳定存在的任何含水或不含水的密度梯度介质，稳定存在是指不会团聚到无法有效分离的程度。碘克沙醇的替代物包括但不限于，无机盐(例如CsCl、Cs2S04、KBr等)、多元醇(例如蔗糖、甘油、山梨糖醇等)、多糖(例如聚蔗糖、聚葡萄糖等)、除碘克沙醇以外的其它碘化合物(例如二乙酰氨基三碘苯甲酸盐、Nycodenz等)和胶体材料(例如但不限于Percoll)。根据本发明的教导和/或通过共同待审的美国专利申请No.11/368581(2006年3月6日提交)，本领域技术人员应当理解可用于本发明的其它介质，通过引用将该专利文献结合于此。可以在选择合适的密度介质时考虑的其它参数包括但不限于，扩散系数和沉降系数，它们可以决定离心时梯度再分布的速度。通常，较大的扩散系数和较小的沉降系数对于较小的梯度来说是期望的。例如，与其它介质相比，Percolf是一种水亲合力较小的非离子型密度梯度介质。然而，它具有较大的沉降速率和较小的扩散系数，使得再分布更快并且梯度较大。虽然成本也是一个考虑因素，但本发明的方法可以通过反复循环和重复使用介质来降低成本。例如，尽管含水碘克沙醇比其它密度梯度介质昂贵，但它可被高收率地回收并在下一个分离系统中循环使用。与介质特性或密度梯度无关，可以在离心之前将非均一的碳纳米管样品(例如，不同结构和/或性质的碳纳米管的混合物)引至液体介质的任意梯度中的位点处。在某些实施方式中，非均一的碳纳米管样品(或包括非均一的碳纳米管样品和至少一种表面活性组分的组合物)可被引至梯度中的一个空间点，在该空间点上，即使密度梯度在离心过程中变大，密度也随时间大致保持恒定。可以有利地确定，这样的一个恒定点处的密度约等于具有引入其中的纳米管组合物的浮力密度。在引入密度梯度介质中之前，非均一的碳纳米管样品可以以与一种或更多种表面活性组分的组合物来提供。通常，这些组分可与液体介质一起用于减少纳米管团聚。在某些实施方式中，所述一种或更多种表面活性组分可以包括选自大量非离子型或离子型(阳离子型、阳离子型或两性离子型)两性分子的一种或更多种表面活性剂。在某些实施方式中，表面活性组分可以包括阳离子型表面活性剂，在某些实施方式中，表面活性组分可以包括一种或更多种硫酸盐、磺酸盐、羧酸盐及其组合。在某些实施方式中，表面活性组分可以包括一种或更多种胆汁盐(包括但不限于胆酸盐、去氧胆酸盐、牛磺去氧胆酸盐及其组合)或其它具有阴离子头部基团和柔性垸基尾部的两性分子(下文中可与阳离子型烷基两性分子互换使用，例如但不限于十二烷基硫酸盐和十二烷基苯磺酸盐)。这种胆汁盐的示例包括但不限于胆酸钠(sc)、去氧胆酸钠和牛磺去氧胆酸钠。具有阴离子头部基团和柔性垸基尾部的两性分子的示例包括但不限于，十二烷基硫酸钠23(SDS)和十二垸基苯磺酸钠(SDBS)。更一般地，所述胆汁盐可被更宽泛地描述成一类具有与疏水表面相反的带电表面的分子刚性且平面状的两性分子。因此，这些胆汁盐(或特性类似于这些胆汁盐的其它表面活性组分)能够通过与碳纳米管相互作用而提供平面和/或刚性的结构构型，这可以引起纳米管的浮力密度产生差异。在其它实施方式中，表面活性组分可以包括阳离子型表面活性剂。例如，该组分可选自具有阳离子头部基团(例如季铵盐)和柔性或刚性尾部的两性分子。无意于受限于任何具体理论，关于石墨(最接近于SWNT)的研究报导了阴离子-垸基表面活性剂构成具有液体状疏水核的半圆柱形胶束(micelle)(EM.F.Islam,E.Rojas,D.M.Bergey,A.T.Johnson,A.G.Yodh,iVa打o3,269(2003);E.J.Wanless,W.A.Ducker，丄尸&s.C/iem.100,3207(1996))，胆汁盐形成了具有良好结构的单层，这些单层的极性较小一侧面向疏水表面(Y.Sasakietal.，CoZ/o油B5,241(1995))。还报导了可以在小疏水分子周围形成良好的宾主结构的胆汁盐(S.MukhopadhyayandU.Maitra,C鮮.Scz'.87，1666(2004);J.Tamminen,E.Kolehmainen,Afo/ecwks6,21(2001))。因此，与阴离子-烷基表面活性剂相反，胆汁盐的刚度和平面度可预期导致对下方SWNT的细微变化敏感的包覆层。例如金属型SWNT与表面活性剂之间的电荷转移之类的其它效应可能也很重要。对于分离各种各样的表面活性剂包覆的SWNT，使用密度梯度离心具有类似的效果。无意于受限于任何理论和操作模式，通过密度梯度离心基于表面活性剂的分离被认为很大程度上取决于表面活性剂如何在具有不同结构和导电类型的SWNT周围进行组织。例如，图3(a)-3(c)示出了单一类型的表面活性剂如何不同地包覆具有不同结构(此时是直径)的纳米管。这样的包覆使得密度差异正比于碳纳米管的直径，因此可以通过密度梯度超离心来分离这种被表面活性剂包覆的SWNT。影响浮力密度以及分离和纯化的质量的关键参数包括纳米管与表面活性剂之间、水与表面活性剂之间和表面活性剂自身之间的相互用作的能量平衡，以及堆积密度、取向、离子化和这些表面活性剂的水合。尽管密度梯度离心被用于基于密度和带隙分离DNA缠绕的SWNT，但DNA官能化并非对所有实施方式都是优化的。例如，由于在含水密度梯度中稳定性有限，DNA缠绕的SWNT可能并不适用于通过在密度梯度中重复离心进行纯化。另外，富集后完全去除缠绕的DNA也成问题。此外，单链DNA的特定的定制低聚物难以获得并价格昂贵。而且，还需要全面研究对导电类型(金属型或半导体型)的敏感性。因此，本发明的方法可以涉及使用不含DNA或DNA片段的表面活性组分。例如，在表面活性组分包括单一表面活性剂的实施方式中，可以使用例如阴离子-烷基表面活性剂的阴离子型两性分子或上面描述的任何胆汁盐。特别地，许多可用于本发明的表面活性剂的成本远远低于单链DNA。这种差异是显著的，例如，对于从Sigma-Aldrich(St.Louis,MO)购买的100g的胆酸钠(纯度为98%)，每克仅为0.62美元，而Alpha-DNA(Montreal，Canada)提供的单链DNA序列d(GT)20(150mg，纯度远小于98%)的价格高达每克2242.80美元。另外，本文公开的表面活性组分到SWNT上的吸附是可逆的并且适用于宽范围的管直径(例如，直径为约7-16A的SWNT)。更重要的是，通过使用这样的表面活性组分，可以通过改变表面活性组分中所含的表面活性剂来方便地控制SWNT的结构-密度关系。如本文所述，使用诸如胆汁酸(例如胆酸)的盐(包括胆酸钠、去氧胆酸钠和牛磺去氧胆酸钠)之类的表面活性剂，本发明的方法成功地实现了分离。按照本文讨论的原理和构思以及本领域技术人员的知识，使用其它表面活性组分，例如表面活性剂，也可以实现在密度梯度中分离。对于用单一表面活性剂进行分离的情况，观测到了阴离子-烷基表面活性剂和胆汁盐的多种显著的结构-密度关系，如下面的实施例所描述。单一表面活性剂的使用特别适用于基于直径的分离。无意于受限于任何具体理论，可以认为，单一表面活性组分的使用导致混合物中不同尺寸的SWNT周围的表面活性组分的厚度基本均匀，因此特定直径的SWNT的密度基本均一。在某些实施方式中，非均一的碳纳米管样品与至少两种表面活性组分形成组合物，其中所述至少两种表面活性组分可为相同类型或不同类型。在某些实施方式中，所述至少两种表面活性组分可以竞争性地吸附到SWNT表面。例如，所述至少两种表面活性组分可以是两种不同的表面活性剂。这种竞争性的协同表面活性剂体系可用于实现金属型和半导体型单壁碳纳米管的优化分离。例如，所述至少两种表面活性组分可以包括两种胆汁盐，或者包括胆汁盐和表面活性剂。在某些实施方式中，使用重量比为约4:1-1:4(尤其是7:3)的胆酸钠和十二烷基硫酸钠，被发现可以实现基于导电类型对SWNT进行良好的选择性分离。通过本发明的方法实现的金属-半导体选择性表明表面活性剂和/或它们的水合与下方SWNT的电气特性发生了一定程度的联系。另外，表面活性剂的堆积密度以及它们的水合很可能对下方SWNT的静电屏蔽作用敏感。充分离心后(即，进行一定的时间和/或在一定的转速下进行，以足以使碳纳米管沿介质梯度至少部分地分离)，可从介质中分离出来至少一个包含被分离的单壁碳纳米管的分离级分。所述级分可以在沿梯度的一个位置上是等密度的。离析级分可以包括在例如选自纳米管直径、手性和导电类型的至少一个特性方面上基本单分散的单壁碳纳米管。可以使用各种级分分离技术，包括但不限于，向上置换(upwarddisplacement).抽吸(从弯面端或致密端开始)、穿管、切管、梯度交联随后萃取、活塞式级分分离以及现有技术中已知的任何级分分离技术。一次分离后收集的介质级分和/或纳米管级分可以在基于至少一个选定性质(例如直径)分离碳纳米管方面具有足够的选择性。然而，在某些实施方式中，期望进一步纯化该级分以提高其选择性。因此，在某些实施方式中，本发明的方法可以包括反复分离(iterativeseparation)。具体地，可将被离析的级分与相同的表面活性组分体系或不同的表面活性组分一起形成组合物，然后可将该组合物与相同的液体介质或不同的液体介质接触，其中所述液体介质可以具有与得到该离析级分的液体介质相同或不同的密度梯度。在某些实施方式中，液体介质或参数可以从一次分离保持到另一次分离。在某些实施方式中，至少一次反复分离可以包括相对于之前的一次或更多次分离改变一个或更多个参数，例如但不限于表面活性组分的特性、介质的特性、介质梯度密度和/或介质pH。因此，在本文公开的方法的某些实施方式中，可以根据实现反复分离的能力来选择表面活性组分，而对于DNA缠绕的SWNT来说，这被认为是不可行的(部分原因是难以从SWNT上去除DNA)。在例如基于手性或导电类型的分离的某些实施方式中，本发明的方法可以包括多重反复密度梯度离心，每次反复都可以提高基于物理或电学结构的分离程度。例如，可以通过连续重复密度梯度离心去除不期望的手性。此外，由于密度与物理或电学结构之间的关系会随所得的表面活性剂层/包覆层而变化，因此可以在每次反复之间修饰或改变包覆SWNT的表面活性剂，从而进一步优化分离。可以将每次分离后离析出来的分离级分洗涤，然后再进行后续的复合和离心步骤。可以通过各种分析方法验证收集的级分的选择性。例如，可以使用光学技术，包括但不限于光谱分析技术，例如分光光度分析和荧光光度分析。这些技术通常包括将一个或更多个吸收和/或发射光谱与相应的参比光谱进行比较。被离析的纳米管级分的所述至少一个选定性质的方差通常分布较窄。如上所述，由已知技术合成的碳纳米管通常具有非均一的结构和性质，其中所述已知技术包括但不限于高压一氧化碳分解法("HiPCO")、Co-Mo催化法("CoMoCAT")和激光烧蚀法。例如，CoMoCAT法和HiPCO法得到的SWNT的直径通常为约7-11A，而激光烧蚀生长法得到的SWNT的直径通常为约11-16A。因此，在用本文公开的方法分离之前，非均一的碳纳米管样品可以具有不同的手性、直径和/或导电类型。在某些实施方式中，碳纳米管的直径可为约7-约20A、约7-约16A、约7-约15A、约7-约12A、约7-约11A、约7-约10A、约11-约20A、约11-约16A、约11-约15人、约12-约20A、约12-约16人或约12-约15A。在某些实施方式中，非均一的碳纳米管样品可以包含金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。如下面的实施例所述，本发明能够达到的选择性可以表现为将直径差异小于约0.6A的碳纳米管分离。例如，在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管(例如SWNT)群体，其中大于99.9%、大于99%、大于2797%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径差异可以小于约0.6A，或者大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径与群体平均直径相差约0.6人以内。在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径差异可以小于约0.5A，或者大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径与群体平均直径相差约0.5人以内。在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径差异可以小于约0.2A，或者大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径与群体平均直径相差约0.2A以内。在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径差异可以小于约O.lA，或者大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于50%的碳纳米管的直径与群体平均直径相差约0.1A以内。在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于75%的碳纳米管的直径与群体平均直径相差约0.5A以内。本发明能够达到的选择性还可以表现为碳纳米管的分离，其中大于33%的经分离的碳纳米管为金属型或大于67%的经分离的碳纳米管为半导体型。例如，在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管(例如SWNT)群体，其中大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于92%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%、大于50%或大于33%的碳纳米管可为金属型。在其它实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于92%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%或大于67%的碳纳米管可为半导体型。在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于50%的碳纳米管可为金属型。在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于70%的碳纳米管可为半导体型。类似地，本发明能够达到的选择性可以表现为碳纳米管的分离，其中大于15%的经分离的碳纳米管具有相同的手性(n，m)类型。例如，在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管(例如SWNT)群体，其中大于99.9%、大于99%、大于97%、大于95%、大于90%、大于85%、大于80%、大于75%、大于50%、大于30%或大于15%的碳纳米管可以具有相同的手性(n，m)类型。在某些实施方式中，本发明可以提供碳纳米管群体，其中大于30%的碳纳米管可以具有相同的手性(n，m)类型。如本文所述，密度梯度超离心可以提供一种可放大的方法，用于基于直径、带隙和导电类型对碳纳米管进行大规模纯化。如下面的实施例所述，本发明可以纯化SWNT的不均一混合物并且提供狭窄的直径分布，其中大于97%的半导体型SWNT的直径与平均直径相差在0.2A以内。此外，可以设计SWNT的结构-密度关系以实现优异的金属-半导体分离，例如，通过使用竞争性协同表面活性剂，从而实现离析的大量SWNT主要具有单一导电类型。因为通过本发明的方法纯化的SWNT可以与后续处理技术很好地相容并且可以集成到多种器件中，所以本发明还提供了制品(包括电子器件、光学器件及其组合)以及其它要求SWNT具有单分散结构和性质的技术应用。实施例以下非限定性实施例和数据说明了本发明的方法和/或系统的各个方面和特点，包括制备和使用密度梯度介质用于分离碳纳米管，并利用本文描述和本领域技术人员已知的光谱分析技术对碳纳米管的分离进行验证。与现有技术相比，本发明的方法和系统提供了令人惊讶的、预料不到的甚至相反的结果。虽然通过几个方法以及其中使用的密度梯度介质和表面活性组分来说明本发明的实用性，但本领域技术人员应当理解，如果使用不同的介质和表面活性组分得到了相当的效果，则也落入本发明的范围。考虑前面提到的包含在本文中的应用中的实施例、附图和相应讨论后可以提供其它非限定性实施例。实施例1:使用不同的单一表面活性剂体系分离SWNTSWNT原材料采用通过CoMoCAT法(得到约7-11A的纳米管)和激光烧蚀生长法(得到约11-16A的纳米管)制造的SWNT来测试不同直径的SWNT。从SouthwestNanotechnologies,Inc.(Norman,OK)购买CoMoCAT材料作为仅经过去除氧化硅的纯化的原材料。激光烧蚀生长SWNT由CarbonNanotechnologiesInc.(Houston,TX)制造，以其未加工形式获得。表面活性剂包覆为了将SWNT分散在胆汁盐或其它表面活性剂的溶液中，利用超声波处理将1mg/mL的SWNT分散在2w/v。/。的表面活性剂溶液中。十二烷基硫酸钠(电泳等级，最少99%)从FisherScientific购得。十二烷基苯磺酸钠盐(均匀的烷基苯磺酸盐的80%(CH)混合物)、胆酸钠水合物(最少99%)、去氧胆酸(最少99%)和牛磺去氧胆酸钠水合物(最少97%TLC)从Sigma-Aldrich,Inc.购买。通过添加等摩尔浓度的NaOH形成去氧胆酸的钠盐并用于实验。通过将超声探针(microtipextension,FisherScientific)浸入3-15mL的SWNT溶液来进行超声波处理(SonicDismembrator500，FisherScientific)。以仪器的最大振幅的40%在20kHz下驱动探针60分钟。在超声波处理过程中，将溶液浸入冰水浴以防止受热。在某些情形下，超声波处理之后，通过在TLA100.3转筒(Beckman-Coulter)中在54krpm下超离心14分钟去除不溶材料的大块团聚物。形成密度梯度的方法由非离子型密度梯度介质，碘克沙醇，的水溶液(以OptiPrep⑧购得，60w/v碘克沙醇，1.32gcm-3，Sigma-AldrichInc.)形成密度梯度。通过分层加随后扩散或者通过使用线性梯度生成器这两种方法中的一种在离心管中直接形成梯度(参见J.M.Graham,所o/ogka/ce^n>g^ow，BIOSScientificPublishers,Limited,ebrary,Inc.,2001)。在分层加随后扩散的方法中，在离心管中形成3-6个层，每个层由不连续的、减小的碘克沙醇浓度构成。最初，这导致从离心管顶部到底部密度逐渐增大的密度梯度。然后将离心管封盖，并根据离心管的长度及其在扩散步骤中的倾斜角度使梯度扩散1-18小时，直到梯度近似为线性。在形成密度梯度的另一种方法中，利用线性梯度生成器(SG15线性梯度生成器，Hoeferlnc.)在离心管中直接形成线性梯度，而无需等待扩散。在某些情况下，将60w/v。/o的碘克沙醇底层插在梯度底部以使离心管中的梯度的线性部分升高。而且，在某些情况下，用仅由表面活性剂(0w/v。/。碘克沙醇)组成的顶层填装离心管。所有的层最初由相同浓度(通常为2w/vy。)的表面活性剂组成。为了在线性梯度中引入SWNT，采用以下方法(i)在离心之前，将分散在表面活性剂水溶液(通常为2w/v%)中的SWNT在梯度顶部成层；(ii)将碘克沙醇添加到分散的SWNT的水溶液中以调节其密度，然后用注射器在预先形成的梯度中的浓度与溶液浓度相匹配的位置将该溶液插入线性梯度；(iii)将碘克沙醇添加到分散的SWNT的水溶液中，并将该溶液用作步阶梯度中的一个层。由于SWNT的扩散速率比碘克沙醇慢，因此发现SWNT在扩散步骤中保持在其初始位置。离心在22"C下分别以64krpm和41krpm在两种不同的转筒中进行离心，根据转筒的空间范围以及梯度的初始坡度进行9-24小时，使用的两种转筒为固定角度的TLA100.3转筒和秋千式转筒SW41(Beckman-Coulter)。初始梯度的典型坡度和密度(离心前)图4(a)-4(b)示出了密度梯度的分层以及超离心过程中的再分布。图4(a)为典型的初始密度梯度的示意图。在致密的底层与浮力顶层之间形成具有线性梯度的碘克沙醇层，SWNT在离心之前插入该层。图4(b)示出了密度的再分布曲线。在超离心过程中，密度梯度介质(例如，碘克沙醇)进行扩散，同时在离心力的作用下向着离心管底部沉降(由Lamm方程决定)。在TLA100.3离心管(内径l.lcm，容量3mL)中，典型的梯度从顶部的5w/v。/。碘克沙醇到底部的40w/v。/。碘克沙醇变化(1.03-1.21gcnf3)。表面活性剂包覆的SWNT最初被随处散播到梯度上部2/3。典型的离心条件是在64kipm下进行9小时。在SW41离心管(内径1.3cm，容量约12mL)中，典型的梯度被限制在小于离心管整个高度的范围内(图4)。首先，将1.5mL的60w/v%的碘克沙醇(1.32gcm—3)添加到离心管底部。该层用于升高离心管中的梯度的高度。在底层之上添加5mL的线性梯度。然后，在该梯度中插入0.88mL的SWNT溶液(其密度已通过添加碘克沙醇调节)。在该梯度之上添加表面活性剂溶液(不含碘克沙醇)以完全充满离心管，以防止其在大离心力下皱縮(图4)。为了胆酸钠的分离，离心管的梯度部分从顶部的7.5w/v%(1,04gcm-3)到底部的22.5w/v%(1.12gcm-3)或从顶部的10w/v%(1.05gcm,到底部的25w/v%(1.13gcm—3)线性变化。典型的离心调节是在41krpm下进行12小时。可以通过改变梯度的密度和坡度来优化密度梯度超离心的效率。优选地，构造密度梯度以使SWNT到达等密度点之前沉降的距离最短。此外，应当理解，在超离心过程中，密度曲线(密度随离心管中不同高度的变化)因密度梯度介质受离心力作用而再分布。通常，这意味着密度梯度将随时间变陡。为了形成最佳的密度梯度，在SWNT的浮力密度以及沉降系数己知的条件下，通过求解Lamm方程，可以大致预测超离心过程中碘克沙醇的再分布和SWNT的分离(参见J.M.Graham,祝o/ogz'ca/ceWn>ga"ow，BIOSScientificPublishers,Limited,ebrary，Inc.,2001)。SWNT在步阶梯度中的富集在某些情况下，在分散和离析SWNT之后、在密度梯度中分离之前，通过在步阶密度梯度中进行超离心来富集SWNT溶液。图5是示出了使用大步阶的密度梯度通过密度梯度超离心对SWNT进行富集的视图。该视图左侧示出了富集前的SWNT溶液(a)和阻挡层(b)的分布，其中SWNT溶液(a)包含胆酸钠、包覆剂但不含碘克沙醇，阻挡层(b)包含60w/v。/。的碘克沙醇和以与层(a)相同的浓度添加的包覆剂。该视图右侧示出了在约200000g下超离心后的富集的SWNT溶液。胆酸钠包覆的SWNT(其浮力密度在Pa与Pb之间)沉降到层(a)与层(b)的界面处。为了形成步阶梯度然后富集SWNT溶液，将SWNT溶液(密度p约为1g/mL)直接成层在OptiPrep⑧溶液(60w/v。/。碘克沙醇溶液，1.32g/mL)上。将表面活性剂以与SWNT溶液中相同的重量/体积比(通常为2w/v%)加入OptiPrep⑧溶液。在超离心过程中，离析的SWNT(浮力密度为1.00-1.32g/mL)沉降到两层之间的界面。然后通过级分分离将界面处的SWNT从离心管中取出。通过光谱分析测定，SWNT的富集因子为3-5。可以通过级分分离转移出已富集的SWNT。级分分离离心之后，通过级分分离将被分离的SWNT从其密度梯度逐层转移。为了对TLA100.3管进行级分分离，使用改进的Beckman级分分离系统(Beckman-CoulterInc.)，采用向上置换模式，使用FluorinertFC-40(Sigma-Aldrich,Inc.)作为大密度驱赶(densechase)介质。收集25/xL的级分。为了对SW41离心管进行级分分离，使用PistonGradient级分分离系统(BiocompInstruments,Inc.,Canada)。收集0.5-3.0mm(体积为70-4204)的级分。在以上两种情况下，用2w/v。/。的表面活性剂溶液将这些级分稀释成1mL用于光学表征。测量密度曲线为了测量离心后的再分布梯度的密度曲线，收集100-300i^L的多个级分并测定它们的密度，密度测定是通过利用标定的微量吸管以及电子平衡测量一定体积的这些级分的质量来实现的。随着离心时间增加，碘克沙醇向着离心管底部再分布，得到更陡的梯度，这是由Lamm方程决定的(图4(b))。测量吸收光谱用Cary500分光光度计(Varian,Inc.)测量分离的SWNT的收集级分的吸收光谱(400-1300nm，1nm分辨率，0.066-0.266积分时间)。使用光折射率相似的样品(相似的碘克沙醇和表面活性剂浓度)作为参比样品，用于消除背景吸收(由水、表面活性剂、碘克沙醇等造成)，Cary500采用双光束模式(灯光照明在所测样品与参比样品之间分光，从样品吸收中减去参比吸收)。利用基线校正来校正对波长的不同仪器灵敏度。为了从测量的吸收光谱中消除缓慢变化的背景吸收的影响，使用被测量的吸光度相对波长的导数(derivative)。图6示出了用于测定相对SWNT浓度的吸收光谱的拟合曲线。吸收光谱以"△"来作图(左侧轴)。吸光度相对于波长的导数以"〇"来作图(右侧轴)。通过使用导数的幅度(以箭头表示)而非绝对吸光度，使背景吸收的影响最小。除了使用被测量的吸光度相对于波长的导数而非绝对吸光度以外，还假设与第一级光跃迁附近的变化相比，背景吸收(来自残余的含碳杂质，7T-等离子体激元共振的尾部、偏共振(off-resonance)、相邻的吸收峰)相对于波长缓慢变化。这是一个合理的假设，因为测量的被离析的半导体型SWNT的第一级光跃迁的线宽较窄，约为25meV。此外，这里研究的六种跃迁间距明显大于25meV(表l)。缓慢变化的背景意味着背景吸收的导数足够小，可以被忽略。还假设，根据Beer定律，这些跃迁的线形随浓度和浮力密度保持不变。不变的线形意味着导数与吸收幅度成正比。在此情况下，可以使用导数测量相对吸收幅度。为了进一步消除背景吸收相对波长的小的线性变化，将吸光度的每个峰的左右侧的导数的最大绝对值平均，将该平均值作为吸收幅度，其正比于浓度(Beer定律)。从表1可以看出，六种光跃迁中有三种是由两种不同手性的纳米管产生的。表l.近红外吸收峰的指认<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>光谱分析A.CoMoCAT生长的SC包覆的SWNT的分离初始SWNT分散如上所述，通过1小时的焊头(horn)超声处理将6.2mg原料CoMoCATSWNT分散在6.2mL的2w/v。/。的胆酸钠(SC)中。然后通过短时间超离心步骤去除粗的团聚物和不溶的杂质。这通过用3.0mL的经超声处理的溶液填充两个聚碳酸酯离心管(Beckman-Coulter)然后在54krpm下分离14分钟(TLA100.3，22°C)来实现。在短时间超离心之后，将每个离心管最上部的2.5mL转移，保存用于以后在密度梯度中分离。密度梯度离心此分选实验使用BeckmanSW41转筒。使用线性梯度生成器通过以下步骤在SW41型号的超透明离心管(Beckman-Coulter)中直接形成梯度。首先，如上所述，在离心管底部装入1.5mL由60w/v。/。的碘克沙醇、2w/yn/。的SC构成的底层。然后，分别制备3mL的7.5w/v%碘克沙醇、2w/v。/。的SC以及3mL的22.5w/v。/。碘克沙醇、2w/v。/。的SC，各取2.5mL分别加入线性梯度生成器的储存室进行混合。用一段玻璃管(内径约lmm，长度约10cm)将线性梯度从梯度生成器出口输送到略高于(<2mm)离心管中的底层之上。玻璃管与线性梯度生成器的出口通过柔性管连接。采用上述步骤，预期梯度生成器形成近似线性的密度梯度，碘克沙醇浓度由上到下从7.5w/v。/。到22.5w/v。/。变化，而2w/v。/。的SC的浓度保持不变。通过在梯度形成之后立即级分分离并测量梯度的密度曲线，可以证明确实形成了预期的梯度。在形成梯度之后，制备由已分散的SWNT(如上所述)、2w/v。/。的SC和20w/v。/。的碘克沙醇组成的溶液。为了制备该溶液，将367jiL的60w/v。/。的碘克沙醇、2w/v。/。的SC和733的分散在2w/v。/。的SC中的CoMoCATSWNT进行混合。然后，通过安插在梯度从上向下5/6处的注射针，将0.88mL的此SWNT溶液缓慢地引入先前形成的密度梯度中(以0.1mLmin"的速率，使用注射泵，PhD2000，HarvardApparatus,Inc.)。调节注射针的高度，以在先前形成的梯度的密度等于SWNT溶液的密度的位置引入SWNT溶液。在引入SWNT溶液之后，离心管的其余部分装入由2w/v。/。的SC(不含碘克沙醇)组成的顶层。离心管填充到距离其顶部约4mm的位置。在22'C下以41krpm进行12小时的超离心来实现分选。级分分离在经过密度梯度超离心分选之后，将梯度级分分离成0.5mm的分段(70pL)。将每个级分稀释成1mL并如上所述进行光学表征。图7示出了通过密度梯度超离心分离SC包覆的CoMoCAT合成的SWNT(直径为7-11人)。图7(a)为经过一步分离后的离心管的图片。参见图7(a)，在整个密度梯度上可以看见被分离的SWNT的多个区。形成了基于直径和带隙分选的离析的SWNT的色带，这说明实现了分离，可以清楚地看到至少三条不同颜色的色带(从上到下为品红、绿色和棕色)。不同颜色的色带对应于半导体型碳纳米管的不同带隙。集束、团聚物和不溶材料沉降在梯度的下部(黑色带)。图7(b)示出了使用密度梯度超离心分离之后的吸收光谱(光程长1cm)。纯化前的SWNT以灰色虚线表示。如图7(b)的吸收光谱所示，900-1340纳米范围内的不同跃迁的吸光度的幅值(第一级半导体型跃迁)也表明了基于直径和带隙的分离。更具体地，光谱示出了在逐渐增大的密度下，直径逐渐增大的SWNT提高。如文献中所述，CoMoCAT法产生的SWNT的半导体型第一级跃迁在光谱上位于900-1340nm。特别地，突出显示了三种直径范围的半导体型SWNT(分别为红色、绿色和蓝色；(6，5)、(7，5)和(9，5)/(8，7)手性；7.6、8.3和9.8/10.3A直径；在第3、6和7级分中最多)。如上所述，在此光谱范围内对吸收光谱进行拟合，以确定不同半导体型(n，m)手性的浓度。在某些情况下，几种(n，m)手性相互重叠，因为它们具有在类似的波长下的第一级跃迁(表1)。通常，具有在较长波长下的光跃迁的SWNT直径较大。因此，通过分析在不同波长下的这些跃迁的强度与密度的关系，可以确定不同直径的SWNT的密度(图6)。然而，Eu光跃迁位于缓慢变化的需要如上所述扣除的背景吸收之上。顶级分与底级分的密度差异被测量为0.022gcm—3，顶级分的密度被测量为1.08士0.02gcm-3。B.CoMoCAT生长的SDBS包覆的SWNT的分离初始SWNT分散通过1小时的焊头超声处理将3.8mg原料CoMoCATSWNT分散在3.8mL的2w/v。/。的十二烷基苯磺酸钠(SDBS)中。然后通过短时间超离心步骤去除粗的团聚物和不溶的杂质。这通过用3.0mL的经超声处理的溶液填充一个聚碳酸酯离心管(Beckman-Coulter)然后在27krpm下分离45分钟(TLA100.3，22°C)来实现。在短时间超离心之后，将每个离心管最上部的2.5mL转移，保存用于以后在密度梯度中分离。密度梯度离心此分选实验使用BeckmanTLA100.3转筒。通过成层在TLA100.3型号的聚碳酸酯离心管(Beckman-Coulter)中直接形成梯度。使用Pasteur移液管分别将三种1.0mL的溶液在离心管中彼此层叠。底层由40w/vn/。的碘克沙醇、2w/v。/。的SDBS组成。中层由20w/vM的碘克沙醇、2w/v。/。的SDBS组成。顶层由10w/v。/。的碘克沙醇、2w/v。/。的SDBS组成。特别地，该层通过将166pL的60w/v。/。的碘克沙醇与834的分散在2w/v。/。的SDBS中的SWNT混合形成。成层之后，使梯度相对垂直方向倾斜大约80°，保持1小时，以使碘克沙醇扩散成大致线性的分布曲线。在扩散步骤后，在22。C下以64krpm进行9小时的超离心来进行分选。级分分离在经过密度梯度超离心分选之后，将梯度级分分离成25pL的分段。将每个级分稀释成1mL并如上所述进行光学表征。图8示出了通过密度梯度超离心分离SDBS包覆的CoMoCAT合成的SWNT。图8(a)为经过一步分离后的离心管。从图8(a)可以看出，与SC包覆的SWNT相比，所有的SDBS包覆的SWNT被富集在狭窄的黑色带中。在相应的光谱(图8(b))中，并未显示出基于直径或基于带隙的分离。顶级分与底级分的密度差异被测量为0.096gcnf3，顶级分的密度被测量为Ul士0.02gcm—3。C.使用其它的单一表面活性剂体系分离CoMoCAT生长的SWNT在进行与上述类似的步骤(只是使用三种其它的单一表面活性剂体系)之后，对于去氧胆酸钠的情形(图9(a))和牛磺去氧胆酸钠的情形(图9(b))观察到类似的直径与密度直径的相关性。然而，对于十二烷基磺酸钠的情形(图9(c))，不存在基于直径的不同的分离。D.激光烧蚀合成的SWNT的分离通过SC包覆将用激光烧蚀生长法合成的直径范围在11-16A的SWNT进行纯化。采用与A中所述大致相同的步骤，只是存在以下变化(1)使用通过激光烧蚀法生长的SWNT代替通过CoMoCAT法生长的SWNT;(2)在形成线性密度梯度时，分别使用10.0w/vO/。和25.0w/v%的碘克沙醇溶液代替7.5w/vy。和22.5w/v。/。的碘克沙醇溶液；(3)在引入到梯度中之前，将含有SWNT的溶液制备成24.1w/vy。的碘克沙醇溶液，而非20.0w/v。/o的碘克沙醇溶液。图10示出了通过密度梯度超离心对SC包覆的激光烧蚀合成的SWNT的分离。图10(a)示出了经过一步分离之后的离心管的图片。参见图10(a)，可以明显看出SWNT的色带，说明实现了基于电子结构的分离。具体地，从上到下可以看见五种或更多种颜色的色带绿色、橙色、黄色、绿色和棕色。而且，也发现密度随直径增大而升高的趋势。顶级分与底级38分的密度差异被测量为0.026gcm—3，顶级分的密度被测量为1.08±0.02gcmo图10(b)示出了使用密度梯度超离心分离之后的吸收光谱(光程长1cm)。纯化前的SWNT以灰色虚线表示。在图10(b)的吸收光谱中，第二级和第三级半导体型光跃迁以及第一级金属型光跃迁分别被标记为S22、S33和Mll。可以观测到基于直径的分离，表现为S22光跃迁(半导体型SWNT的第二级光吸收跃迁，800-1075nm)随密度增大出现明显红移。此外，还检测到了这些SWNT基于导电类型的富集。观测到，与具有525-750nm的第一级光吸收跃迁金属型SWNT相比，半导体型SWNT富集在浮在最上面的级分中(最上面的级分中的金属型SWNT(Mll)被耗尽)。实施例2:密度梯度超离心的多个循环经过一步密度梯度超离心后得到的分离程度受到以下限制超离心时SWNT的扩散，级分分离时发生混合以及表面活性剂包覆时的统计涨落。为了克服上述限制并改善分选工艺，可以使离心工艺重复进行多个循环。例如，在密度梯度离心、随后的级分分离以及对收集级分的吸收光谱分析的第一次反复之后，可以将含有最大浓度的目标手性或导电类型的级分合并。然后可以通过添加碘克沙醇和水(均含有表面活性剂/包覆剂，通常为2w/v。/。表面活性剂)来调节合并的级分的密度和体积。然后可将分选出的样品引入第二密度梯度进行离心，然后重复整个过程。该过程可以根据需要重复进行多次反复。这可实现对具有目标导电类型或特定手性的SWNT的优化离析。为了验证这种方法，对(6，5)和(7，5)手性的半导体型SWNT(直径分别为7.6和8.3A)进行富集，得到光致发光光谱定量地表明重复离心使分离得到改善。初始SWNT分散制备四种溶液，每种由6.2mg原料CoMoCATSWNT和6.2mL的2w/v。/。的胆酸钠组成。如上所述，通过1小时的焊头超声处理来分散每种溶液中的SWNT。然后通过短时间超离心步骤去除粗39的团聚物和不溶的杂质。这通过用3.0mL的经超声处理的溶液填充8个聚碳酸酯离心管(Beckman-Coulter)然后在54krpm下分离14分钟(TLA100.3，22°C)来实现。在短时间超离心之后，将每个离心管最上部的2.5mL转移，保存用于以后在密度梯度中分离。在初始分散之后，将这些SWNT富集，准备用于密度梯度超离心的第一次反复。在6个SW41超透明离心管(Beckman-Coulter)中均装入8.62mL的60w/v。/。的碘克沙醇和2w/v。/。的SC(作为阻挡层)。然后，在大密度阻挡层上添加3.0mL的初始分散的SWNT，直到距离离心管顶部约4mm。然后在22"C下以41krpm进行7.5小时的超离心来富集SWNT，如图5所示。然后，将每个离心管级分分离，并将富集的SWNT萃取到0.7cm(0.98mL)的级分中。最终结果是浓度增大到3倍。将所有的富集级分合并，测量包含富集的SWNT的合并级分的浮力密度为1.12gcm—3。然后通过加入2w/vy。的SC将合并的溶液的密度降至1.105gem—3。密度梯度离心使用BeckmanSW41转筒。使用线性梯度生成器在SW41型号的超透明离心管(Beckman-Coulter)中直接形成梯度。不使用顶层或底层。分别制备约100mL的8.9w/vQ/。碘克沙醇、2w/vM的SC以及25.9w/v。/。碘克沙醇、2w/v。/。的SC的原料溶液，各取5.5mL加入线性梯度生成器的混合储存室。用一段玻璃管将线性梯度从梯度生成器出口输送到离心管的底部。在形成梯度之后，通过注射针缓慢地引入0.88mL的SWNT溶液(1.105gcm-3)，调节注射针的高度，以在梯度的密度等于SWNT溶液的密度的位置引入SWNT溶液。在22"C下以40krpm进行24小时的超离心来实现分选。级分分离在经过密度梯度超离心分选之后，将梯度级分分离成多个0.66mm的分段(93^L)。将一些级分稀释成1mL并进行光学表征。其它级分不稀释，用于在以后的密度梯度进一步分选。反复第1次反复在六个梯度中分离富集的碳纳米管。这六个梯度以相同方式制备和级分分离。将六组级分中的一组稀释用于光学表征以确定(6，5)或(7，5)手性富集最多的级分。一旦确定之后，将这些级分组中的最富集(6，5)或(7，5)手性的六个级分合并。将(6，5)和(7，5)混合物的密度调节为1.105gcm—3。第2次反复然后在新的密度梯度中分离第一次反复所得的(6，5)和(7，5)最优级分。在三个梯度中分离富集(6，5)手性的SWNT，在三个梯度中分离富集(7，5)手性的SWNT。对于第一次和第二次反复，采用相同的超离心参数。同样，在密度梯度离心之后，将一组级分用于测量光吸收光谱以确定对期望的目标手性富集最优的级分。分别将最优(6，5)级分和最优(7，5)级分合并，并将它们的密度调节为1.105g第3次反复然后在新的密度梯度中分离第2次反复所得的(6，5)和(7，5)最优级分，新的密度梯度与第一次反复中使用的那些密度梯度基本相同，只是在每种梯度中加入了20mM的Tris以使pH升至8,5从而优化(7，5)手性的SWNT的离析(图7(b))。一种梯度用于(6，5)SWNT，另一种梯度用于(7，5)SWNT。将每种梯度级分分离成多个0.066mm的级分，然后如上所述将所有级分稀释并用光致发光技术分析。光致发光光谱测量使用HoribaJobin-Yvon(Edison，NJ)Nanolog-3荧光光度计来测量光致发光光谱，该荧光光度计具有双激发侧和单发射侧的单色器，都设定到10-14.7nm的带通缝隙宽度。使用液氮冷却的InGaAs光电二极管来检测光致发光。使用3mm厚的RG-850Schott玻璃滤光器(MdlesGriot，Carisbad，CA)来阻挡发射单色器中的第二级瑞利散射。使用495nm光阻长通滤光器(FGL495S,Thorlabs，Newton，NJ)来阻挡激发单色器中的第二级瑞利散射。通过0.5-2.5s的积分时间采集矩阵扫描(matrixscan)，其中激发波长从525nm以6nm的增量变为825nm并且发射波长从900nm变为1310nm。为了根据发射-激发矩阵确定浓度，沿在通过E22跃迁的激发轴对应于Eu波长的发射波长对激发扫描进行插值。图11示出了用于确定相对SWNT浓度的光致发光光谱的拟合曲线。图ll(a)绘制了光致发光强度(纵轴)与激发和发射波长(横轴)的关系。图ll(b)绘制了光致发光强度与740nm的激发波长的关系。从图中可以看出由偏共振SWNT造成的宽范围变化的背景光致发光以及(7，5)半导体型SWNT的发射(黑色箭头)。为了尽量减小缓慢变化的背景的影响，采用与用于分析吸收光谱类似的导数方法来对特定(n,m)手性的相对浓度进行析取。特别地，计算光致发光强度对激发波长的偏导数(图ll(c)和ll(d))。根据图ll(d)的黑线所示的偏导数的幅度来确定(7，5)手性的强度(与浓度成正比)。而且还对发射的光致发光再吸收以及激发光束强度的衰减的影响进行校正。光致发光光谱分析本实施例中得到的数据说明了，SC包覆的SWNT的逐次分离可以显著改善了特定目标手性的离析，并且可使SWNT的直径分布相应地逐渐变窄。图12示出了密度梯度离心反复三次前后的半导体型SWNT的光致发光强度与激发和发射波长的关系。在每次反复之后，发现(6，5)和(7，5)手性的半导体型SWNT的相对浓度有所增大。在富集(6，5)手性(7.6人)三次之后，得到SWNT的本体溶液(bulksolution)，其中大于97%的SWNT具有(6，5)、(9，1)禾B(8，3)手性(直径分别为7.6A、7.6A和7.8A)(表2)。换言之，在第三次反复后离析的SWNT中，大于97%的SWNT的直径与平均直径相差在0.2人以内(比较而言，对于初始群体，该比值在为62.3%，第一次反复之后为86%，第二次反复之后为88.6%)。经过重复分离之后，(7，5)优化使得(7，5)手性占主导地位。可以预期，更多的循环会使纯度进一步提高。下表2示出了通过使用上述偏导数法分析光致发光光谱确定的各种手性的SWNT的定量浓度。表2.根据图12所示的光致发光光谱确定的(n，m)手性的SWNT的浓度<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>图13示出了对应于图12中的光致发光光谱的光学光谱。图13(a)示出了(6，5)优化的吸收光谱。从未分选的材料开始(灰色虚线，未分选)，471nm和982nm下的(6，5)手性光跃迁的相对强度随反复次数逐渐增强。图13(b)示出了(7，5)优化的吸收光谱。分选反复三次之后，1031nm下的(7，5)光跃迁(突出显示)与未分离材料相比(灰色虚线，未分选)显著增强。实施例3:调节pH和添加协同表面活性剂尽管可以如实施例2所示通过超离心的多次循环来显著强化SWNT的纯化，但还可以通过调整SWNT的结构-密度关系来优化单次循环的效率，从而实现进一步改进。例如，通过调节pH或向梯度中添加竞争性协同表面活性剂，可以实现对特定直径范围或导电类型的纯化。在本实施例中，具有特定目标直径和导电类型的SC包覆的CoMoCAT生长的SWNT的离析的改善通过以下方式证实在pH7.4和pH8.5下分离CoMoCAT生长和激光烧蚀合成的SWNT，以及使用协同表面活性剂体系(SDS:SC重量比为1:4，SDS:SC重量比为3:2)分离CoMoCAT生长和激光烧蚀合成的SWNT。也可以使用具有其它比例的协同表面活性剂体系。例如，阴离子垸基两性分子(例如SDS、SDBS或其组合)与胆汁盐(例如SC、去氧胆酸钠、牛磺去氧胆酸钠或其组合)的重量比可为约1:10-2:1，例如约1:8、约1:6、约1:4、约1:3、约1:2、约3:4、约1:1、约5:4、约6:5、约3:2、约7:4、约2:1。在某些实施方式中，该重量比可为约1:10-1:2，例如约1:8-1:3。在其它实施方式中，该重量比可为约5:4-2:1，例如约6:5-7:4。A.pH的影响腿在pH7.4下分离SC包覆的CoMoCAT生长的SWNT:使用与实施例1部分A中描述相同的过程。在pH8.5下分离SC包覆的CoMoCAT生长的SWNT:使用与实施例1部分A中描述基本相同的过程，只是在整个梯度中加入20mM的Tris以使pH升至8.5(而非在初始的SWNT分散阶段添加)。分桥图14绘出了几种不同直径(△:7.6A-(6，5);〇:8.3A-(7，5);9.證3A-(9，5)/(8，7))的SWNT的相对浓度与密度的关系，其中图14(a)为pH7.4下的SC包覆的SWNT，图14(b)为pH8.5下的SC包覆的SWNT。通过上述导数法根据吸收光谱确定浓度(图6和图7(b))。具有最高(6，5)手性的相对浓度的级分的密度被测量为1.08士0.02gcm'3。对比图14(b)与图14(a)可以看出，通过将pH升至8.5，直径约8.3A的SWNT转移到更大的浮力密度中，实现直径在9.8/10.3人范围((9，5)/(8，7)手性)的SWNT的优化分离。B.使用协同表面活性剂体系腿使用SDS:SC重量比为1:4的协同表面活性剂体系基于纳米管直径分离CoMoCAT生长的SWNT:使用与实施例1部分A中描述基本相同的过程，只是存在以下差别(1)在形成线性密度梯度时，分别使用15.0w/v。/o和30.0w/v。/。的碘克沙醇溶液代替7.5w/v。/。和22.5w/v。/。的碘克沙醇溶液；(2)在引入梯度中之前，将含SWNT的溶液制备成27.5w/vW的碘克沙醇溶液，而非20.0w/vy。的碘克沙醇溶液；(3)在密度梯度超离心过程中，使用质量比为1:4的SDS和SC(总量为2w/v%)，而非只含2w/v。/。的SC的单一表面活性剂溶液。因此，梯度各部分含有0.4w/v。/。的SDS和1.6%的SC。然而，仍旧通过超声处理在单一表面活性剂SC的溶液中初始分散SWNT，而协同表面活性剂(均为SDS)只是在密度梯度超离心阶段引入。使用SDS:SC重量比为1:4的协同表面活性剂体系基于纳米管直径分离HiPCO生长的SWNT:使用与上述针对CoMoCAT生长的SWNT所描述基本相同的过程，只是使用从CarbonNanotechologies,Inc.获得的HiPCO生长的SWNT(粗制，未纯化)，而非CoMoCAT生长的SWNT。使用SDS:SC重量比为1:4的协同表面活性剂体系基于导电类型(半导体型)分离激光烧蚀合成的SWNT:使用与实施例l部分A中描述基本相同的过程，只是存在以下差别(1)使用激光烧蚀法生长的SWNT代替CoMoCAT法生长的SWNT;(2)在形成线性密度梯度时，分别使用15.0w/v。/。和30.0w/vO/。的碘克沙醇溶液代替7.5w/v。/o和22.5w/vy。的碘克沙醇溶液；(3)在引入梯度中之前，将含SWNT的溶液制备成27.5w/v%的碘克沙醇溶液，而非20.0w/v。/。的碘克沙醇溶液；(4)在密度梯度超离心过程中，使用重量比为1:4的SDS禾卩SC(总量为2w/v%)，而非只含2w/v。/。的SC的单一表面活性剂溶液。因此，梯度各部分含有0.4w/v。/。的SDS和1.6%的SC。使用SDS:SC重量比为3:7的协同表面活性剂体系基于导电类型(半导体型)分离激光烧蚀合成的SWNT:使用与上述基本相同的过程，只是45在密度梯度超离心过程中，使用质量比为3:7的SDS和SC(总量为2w/v%)，而非只含2w/vy。的SC的单一表面活性剂溶液。因此，梯度各部分含有0.6w/v。/。的SDS和1.4%的SC。使用SDS:SC重量比为3:2的协同表面活性剂体系基于导电类型(半导体型)分离激光烧蚀合成的SWNT:使用与实施例1部分A中描述基本相同的过程，只是存在以下差别(1)使用激光烧蚀法生长的SWNT代替CoMoCAT法生长的SWNT;(2)在形成线性密度梯度时，分别使用20.0w/v7o和35,0w/vG/o的碘克沙醇溶液代替7.5w/v。/o和22.5w/v。/o的碘克沙醇溶液；(3)在引入梯度中之前，将含SWNT的溶液制备成32.5w/v%的碘克沙醇溶液，而非20.0w/V/。的碘克沙醇溶液；(4)在密度梯度超离心过程中，使用重量比为3:2的SDS和SC(总量为2w/v%)，而非只含2w/vM的SC的单一表面活性剂溶液。因此，梯度各部分含有1.2w/vM的SDS和0.8。/。的SC。使用SDS:SC重量比为1:4的协同表面活性剂体系基于导电类型(半导体型)分离三种不同来源的激光烧蚀合成的SWNT:使用与上述针对使用SDS:SC重量比为1:4的协同表面活性剂体系基于导电类型(半导体型)分离激光烧蚀合成的SWNT描述基本相同的过程，只是对以下三种不同来源的SWNT进行测试(1)从CarbonNanotechologies,Inc.获得的粗制的未经纯化的激光烧蚀合成的SWNT;(2)从IBM获得的经硝酸纯化的激光烧蚀合成的SWNT(批料A);(3)从IBM获得的经硝酸纯化的激光烧蚀合成的SWNT(批料B)。对于使用协同表面活性剂基于导电类型的分离，梯度部分从上到下从15w/v%(1.08gcm.3)至(J30w/v%(1.16gcm曙3)或从20w/v%(1.11gcm—3)到35w/v。/。(1.19gcm-3)线性变化。分析1.使用协同表面活性剂体系基于纳米管直径分离CoMoCAT生长的SWNT类似于图14(a)和14(b),图14(c)绘出了对于SDS:SC重量比为1:4的混合物，几种不同直径(7.6A、8.3A和9.8/10.3A)的SWNT的相对浓度46与密度的关系。对比图14(c)与图14(a)可以看出，通过添加SDS与SC竞争非共价结合到纳米管表面，直径在8.3A和9.8/10.3A范围的SWNT转移到明显更大的浮力密度中，实现直径约7.6A((6，5)手性)的SWNT的优化分离。2.使用协同表面活性剂体系基于纳米管直径分离HiPCO生长的SWNT图15(a)示出了密度梯度离心之前非均一的HiPCO生长的SWNT群体的光致发光强度与激发和发射波长的关系。如图15(a)所示，在约980nm的发射波长(和约570nm的激发波长)下观测到最强信号之一，该波长对应于约7.5A的纳米管直径。在约1190nm的发射波长(和约800nm的激发波长)以及约1210nm的发射波长(和约790nm的激发波长)下观测到不太明显的信号，这两个发射波长对应于约10.5A的纳米管直径。在使用SDS:SC重量比为1:4的协同表面活性剂体系进行密度梯度离心之后，得到两个分离级分。这两个分离级分的光致发光光谱分别示于图15(b)和15(c)。如图15(b)所示，其中一个分离级分主要包含在约960-980nm的发射波长下发射的纳米管。更具体地，在约980nm的发射波长(和约570nm的激发波长)下观测到最强的信号。光谱表明，该分离级分主要包含直径为约7.5A的单壁碳纳米管。作为对比，在图15(c)所示的光谱中，在不同的发射和激发波长下观察到一系列信号。然而，约960-980nm的发射波长范围内的信号被极大程度地抑制，而约1190/800nm和约1210/790nm的发射/激发波长下的信号(在图15(a)中几乎难以辨认)却变成最强，表明在此分离级分中，直径约10.5A的单壁碳纳米管的浓度与预分选的样品相比已经明显提高。因此，图15的光谱共同表明，对于HiPCO生长的SWNT，也可以基于纳米管直径进行分离，而且通过使用例如上述协同表面活性剂体系可以获得良好结果。3.使用协同表面活性剂体系基于导电类型分离激光烧蚀合成的SWNT发现协同表面活性剂体系中各表面活性剂的比例对11-16A直径范围的SWNT的金属-半导体分离的优化存在更大的影响。图16(a)示出了在协同表面活性剂体系(SDS:SC为l:4)中分离的激光烧蚀合成的SWNT。如图16(a)所示，仅观测到三条带。测得两条带之间的密度差异为0.006gcm—3,测定顶带的密度为1.12±0.02gcm人从测量的光吸收光谱(图16(b))可以看出，顶带(橙色)主要由半导体型SWNT组成(在图16(b)中绘制成蓝色)，顶带下方紧邻的带(绿色)尽管存在少量半导体型SWNT但却高度富集了金属型SWNT(在图16(b)中绘制成红色)。分选前的非均一混合物的吸收光谱在图16(b)中绘制成灰色虚线。发明人发现，将协同表面活性剂体系中的SDS:SC比进一步调整为3:2，可以明显改善激光烧蚀合成的金属型SWNT的离析。还发现，当用SDS:SC为3:7的协同表面活性剂混合物代替SDS:SC为1:4的协同表面活性剂混合物时，激光烧蚀合成的半导体型SWNT的离析也得到改善。在图17中示出了对应于主要为金属型(SDS:SC为3:2，〇)的SWNT和主要为半导体型(SDS:SC为3:7，△)的SWNT的光谱。图18中可以更清楚地看出M11范围中吸收信号增强，其中，图18包括使用SDS:SC为l:4的协同表面活性剂混合物的未优化的图16(b)的光谱(☆)和使用SDS:SC为3:2的协同表面活性剂混合物的经过优化的图17的光谱(〇)。箭头突出显示了Ml1范围中的信号增强以及S33和S22范围中的信号抑制。4.基于导电类型分离不同来源的激光烧蚀合成的SWNT图19对比了未分选的激光烧蚀合成的SWNT与分选的激光烧蚀合成的半导体型SWNT的光吸收光谱，其中激光烧蚀合成的SWNT得自三种不同来源从CarbonNanotechologies,Inc.获得的粗制的未经纯化的激光烧蚀合成的SWNT沐t料A);从IBM获得的经硝酸纯化的激光烧蚀合成的SWNT(批料B);从IBM获得的经硝酸纯化的激光烧蚀合成的SWNT沐匕料C)。三种经分选的光谱在总体形态上与图16所示的样品相当。不管样品来源如何，各经分选的光谱中均观测到很强的半导体型SWNT离析。然而，虽然所有结果都是类似的，但也可以看出在金属型SWNT抑制方面存在微小的差别。此外，当使用经硝酸纯化的激光烧蚀合成的SWNT(批料B和C)时，半导体型SWNT的富集和金属型SWNT的去除的效果更好，当使用粗制的未经纯化的激光烧蚀合成的SWNT(批料A)时效果较差。实施例4:基于导电类型分离的定量分析在本实施例中，得到了高信噪比的分别主要为半导体型和金属型的激光烧蚀合成的SWNT的光谱。使用与实施例3部分中描述类似的过程制备分选溶液，只是浓度更高，这使得在给定的固定背景噪声水平下的信噪比提咼°图20示出了未分选的SWNT(☆)、分选的金属型SWNT(△)和分选的半导体型SWNT()的光吸收光谱。约900nm下的表示寄生半导体型SWNT的光吸收。约600nm下的"*"表示寄生金属型SWNT的光吸收。使用M11跃迁(475-700nm)和SS跃迁(800-1150nm)的吸收幅度分别确定各样品中的半导体型和金属型SWNT的相对浓度(图20)。通过扣除背景吸收确定测量的吸收幅度，背景吸收由吸收峰下方的背景进行线性插值确定。图21-23示出了背景基线，吸收幅度扣除该背景基线以得到所测幅度。因为相同重量或浓度的金属型和半导体型SWNT会具有不同强度的光吸收，所以在与半导体型SWNT的吸收幅度进行对比之前必须先将金属型SWNT的吸收幅度进行放大。根据未分选样品来确定放大系数，已知该样品由66.7%的半导体型SWNT和33.3%的金属型SWNT组成。此外，在确定各样品中的半导体型和金属型SWNT的相对浓度时，采用以下三个假设(i)SWNT的质量与光吸收幅度呈线性正比；(ii)背景吸收可被线性插值；(iii)分选前后的SWNT直径范围相似(不相似的直径范围会影响M11和S22范围中吸收的宽度，这与假设(i)相矛盾)。下表3表明，在对金属型SWNT分离进行优化的样品中(图20)，99.3%的SWNT为金属型，0.7%的SWNT为半导体型。在对半导体型SWNT分离进行优化的样品中(图20)，97.4%的SWNT为半导体型，2.6%的SWNT为金属型。表3.由图20所示的光吸收光谱确定的经分选的金属型和半导体型SWNT的相对浓度测量光谱得到的数据(通过线性插值背景吸收测量吸收幅度)计算组成(经金属型重整化系数放大)经分选的金属型金属型吸光度半导体型吸光度半导体型纳米管(质量)X(nm)AA0.7%背景l4250.3958390.126金属型纳米管(质量)背景27500.16610690.07599.3%峰60210.2718780.1260.017幅度0.729幅度O細经分选的半导体型金属型吸光度半导体型吸光度半导体型纳米管(质量)X(nm)AX(nm)A97.4%背景l5910.5086230.491金属型纳米管(质量)背景26200.49111820.2962.6%峰6020.5110.5029430.1000.379幅度0，幅度0.620未分选金属型吸光度半导体型吸光度半导体型纳米管(质量)X(nm)AX(nm)A66.7%背景l5690.6737590,528金属型纳米管(质量)背景27400.54111500.34733.3%峰6470.7350.6129430.8750.443幅度0.122幅度0.432*金属型重整化系数(根据半导体型与金属型之比为2:1的未分选的样品计算)=1.77;入=波长；A-吸光度50实施例5:确定典型的收率和规模通过分离工艺每个步骤前后取得的光吸收光谱，可以估算分选实验的典型收率。在SWNT在SC中的初始分散过程中，大约四分之一的SWNT材料以单个SWNT或小SWNT集束的形式被成功地包覆，然后经过短时间离心步骤去除残余的含碳杂质、SWNT大块团聚物和不溶物质。然后将经溶液处理的SWNT引入密度梯度进行分选。对于每种梯度，在每个离心管中注入平均400的SWNT溶液(SWNT加载量约250MgmU1)，每个实验得到约100/ig的SWNT起始材料。但应当注意，此起始材料由单个包覆的SWNT(可基于直径和导电类型分选)和SWNT小集束(难以分离)的混合物组成。因此，分离实验的收率高度依赖于表面活性剂对单个SWNT进行的有效包覆。通过经级分分离的材料光吸收光谱，可以估计分选后起始SWNT材料在密度梯度中的分配位置。通过采集每个级分在期望波长下的吸光度并将其由相同波长下起始溶液的吸光度规整化，计算近似收率。例如，对于激光烧蚀生成的SWNT，通过跟踪942nm下的经起始材料规整化的吸光度(其对应于第二级半导体跃迁的峰(图24(a)))，可以估算SDS:SC比为l:4的分选实验(图16(a)-16(b))中半导体型纳米管的收率。半导体型级分峰值包含大于9%的起始材料(约9/zg)，对应于大约2.3%的总体收率。对胆酸钠中的CoMoCAT直径分离(图7(a)-7(b))进行类似分析，扫描982nm下的光吸收(图24(b))和(6，5)手性的第一级跃迁，表明级分中包含的大于6%的起始材料(约6Mg)，具有最高大约1.5%的总体收率。尽管上述收率不高，但更合理的实验结果只考虑单个包覆的SWNT而不包括无法分选的集束，因此可将上述收率提高2-5倍。此外，含有高度离析分布的SWNT的级分通常位于具有峰值收率的级分的上方或下方，因此将此分选材料合并可以进一步提高分选效率。而且，通过在按照实施例1的"SWNT在步阶梯度中的富集"部分所述分离之前富集SWNT溶液，可将得到的经分选材料的质量增加3-5倍。虽然这里描述的方法仅能制造微克量级的经分选的SWNT材料，但本发明的方法确实可以通过一定方式扩展到工业规模。例如，通过采用大体积的工业离心机(所用离心力与重力相当)，可以一次分选超过1克的SWNT。这种离心机可容纳8L的溶液，以使1L的SWNT溶液在7L的密度梯度中分选。如果单个SWNT包覆的效率提高和/或溶液在分选前高度浓縮，则1L的溶液可以负载4g的经离析的SWNT。因此，在一次12小时的离心中，可将克量级的SWNT基于直径和/或导电类型分选。可以并联和/或串联进行多重离心，并且可以将所得收率累加以获得千克量级或更多的经分选的SWNT。实施例6:使用经分选的金属型或半导体型SWNT制造FET为了说明在密度梯度中分离的SWNT的应用以及验证基于导电类型的纯化，制造由数以千计的金属型或半导体型SWNT的逾渗网络构成的场效应晶体管(FET)。图25(a)示出了源极和漏极的周期性阵列(比例尺40ym，带隙20/mi)。图25(b)示出了逾渗SWNT网络的代表性原子力显微(AFM)图像(比例尺为1/mi)。单位面积上的SWNT的密度大于IO倍的逾渗极限。图25(c)示出了制造的场效应晶体管(FET)的几何结构(s=源极，g-栅极；d-漏极)。制造电子器件由半导体型和金属型SWNT的逾渗网络制造电子器件。按照Wu等的方法(Z.C.Wuetal.,5We"ce305,1273(2004))，通过将分散在表面活性剂溶液中的经纯化的SWNT真空过滤透过混合纤维素酯(MCE)的多孔膜(0.02/rni，MilliporeCorporation)来形成逾渗网络。过滤SWNT溶液之后，使该网络干燥30分钟以凝固，然后用10-20mL的去离子水洗涤以从网络中去除残余的表面活性剂和碘克沙醇，得到裸SWNT的网络。然后将MCE膜上的网络转移到覆盖100nm的热生长Si02的Si(100)衬底(SiliconQuestInternational)上。用去离子水将MCE膜润湿，然后将MCE膜压入Si02表面(SWNT与Si02接触)(在两个载玻片之间压2分钟)。移走载玻片，使MCE在Si02衬底上干燥数分钟。然后52用丙酮浴洗涤衬底3次(每次15分钟)以使MCE膜溶解，在用甲醇洗涤一次。然后，用N2气流将衬底上的SWNT网络吹千。通过调节过滤的SWNT级分的体积来控制网络的密度(单位面积上的SWNT数)。过滤前，通过测量SWNT在溶液中的光学密度来定量测定网络密度；过滤并随后转移到衬底上后，通过原子力显微法来定量测定网络密度。在电子束蒸发器中，使用TEM栅格作为阴影掩模(shadowmask)(300目，Cu，SPISupplies,WestChester,PA;栅距为83/mi，栅条宽度为25Mm)，在逾渗网络上光刻形成电极(Au，30nm)阵列。蒸发之后，将衬底依次在丙酮、2-丙醇和水中洗涤，然后在空气中在225'C下退火20分钟。使用两个源表单元(source-meterunit)(KE2400，KeitWey，Inc.)电表征在场效应晶体管(FET)的几何结构中的金属型和半导体型SWNT的逾渗网络。将栅极偏压施加到下方的Si衬底(作为栅电极)上，以调控SWNT网络中的载流子浓度。在由TEM栅格阴影掩模形成并用作源和漏的两个相邻电极之间施加至多5V的偏压。测量栅极泄漏电流和源-漏电流。在所有情况下，源-漏电流显著大于栅极泄漏电流。栅极电压扫描从负偏压到正偏压。由于存在移动电荷，观测到依赖于扫描方向的滞后效应，这是在100nm厚的Si02栅极电介质上制造的SWNTFET器件中常见的效应。测量SWNT网络的逾渗密度对于每个逾渗网络，数个器件通过接触式AFM(512X512分辨率，3-20pm图像尺寸，接触力小于10nN)来表征。在成像过程中，接触力保持最小以限制网络的机械扰动。分析网络的图像来确定逾渗密度(单位面积上的SWNT数)。追踪每条逾渗路径以确定单位面积网络的总路径长度(图26)。在图26(a)-26(b)中，分别示出了薄膜半导体型网络(在图25(d)中电表征)的图像和迹线。迹线对应于每平方/mi的衬底上的22.1/mi的半导体型路径。对于0.45/mi的SWNT平均长度(通过另外对在密度梯度中分离然后在衬底上离析的激光烧蚀生长的SWNT进行AFM研究得到平均长度)，这对应于约50SWNT/Mm2的逾渗密度，比逾渗阈值(约5SWNT//mi2)约大10倍。测量的约50SWNT//mi2的逾渗密度是保守估计，因为没有考虑由于可能存在SWNT重叠或小集束而导致每条路径具有多个SWNT。可以预料出现这种情况，原因在于当SWNT上包覆的表面活性剂在成膜过程中被洗掉时，SWNT之间会存在较大的范德瓦尔斯引力。首先形成半导体型网络，然后通过AFM电表征。然后，为了合理地比较金属型和半导体型的网络，使形成的金属型网络的逾渗密度等于或小于半导体型网络的逾渗密度。图25(d)绘制了网络的平均特性。误差条显示了两种情况下的标准差(对于半导体型器件，n=4;对于金属型器件，n=3)。通过将在FET的"导通"状态(Kg<中源-漏电流与固定源-漏偏压下的栅极偏压的关系拟合成一条直线来估算半导体型SWNT网络的电迁移率(图25(d)，插值)。使用以下关系式/必=/^。z^F/L尸r^-r,^^，其中4为源-漏电流，M为迁移率，0为氧化物电容，W为沟道宽度，L为沟道厚度，Fg为栅极偏压，F,为栅极阈值偏压，&,为源-漏偏压。在平行板电容器几何结构(丄和『分别为20和63/rni)的假设下，确定SWNT网络与Si衬底间的电容的上限。线性拟合得到迁移率g的下限大于20cm2V—1s"(与先前报导的接近逾渗阈值的金属型和半导体型SWNT合成混合物的薄膜的迁移率相当)以及栅极阈值电压的下限为-20V。对迁移率的拟合为下限的原因是平行板电容的假设明显高估了电容，因为SWNT网络仅占用一部分的沟道面积。此外，并没有考虑接触处的电阻损失。半导体型膜和金属型膜的区别行为在负栅极偏压下，发现两种网络呈现出相似的薄膜电阻，约为500kQsquare"。然而，通过改变施加在整个栅极电介质电容器(100nmSiO2)上的电压，可将半导体型网络的电阻增大4个量级(开/关比大于20000)。相反，金属型网络对施加的栅极偏压的敏感性明显较小，表现为开/关比小于2(如果开/关比大于1，则说明金属型SWNT的电子带结构在管末端或管与管的接触处出现扰动或者管弯曲或化学缺陷导致扰动)。半导体型膜和金属型膜的这两种区别行为独立地验证了原来通过光吸收光谱观测到的基于导电类型的分离(图17)。此外，这两种膜可使本发明的方法应用于制造有效量的纯化的功能材料。例如，经纯化的半导体型SWNT的单个级分(150/zL)包含对于20cn^的薄膜网络(与图25所示类似)来说足够多的SWNT，相当于大于IO"个SWNT。根据本发明，SWNT群体可以包括约10个或更多个SWNT，例如大于10个SWNT，大于50个SWNT，大于100个SWNT，大于250个SWNT，大于500个SWNT，大于103个SWNT,大于104个SWNT，大于105个SWNT，大于106个SWNT，大于107个SWNT，大于108个SWNT，大于109个SWNT，大于101()个SWNT或大于IO"个SWNT。此外，SWNT群体的质量可为约0.01/ig，例如大于0.01/^g，大于0.1/zg，大于1/ig，大于0.01mg，大于0.1mg，大于1g，大于10g或大于100g。这样的薄膜网络可用作柔性和透明的半导体和导体。本领域技术人员应当理解，在本文描述的分选条件下，质量可以反映出本发明的SWNT的数量。上述量表明可通过本发明得到的大量SWNT，这可以成为区别于现有方法和材料的另一个特点。在不脱离本发明的精神和实质特点的前提下，本发明可以通过其它具体形式实施，而不限于上述实施例。因此，上述实施例应被认为具有说明性而非限定性。本发明的范围由权利要求而非说明书确定，本发明还包括与权利要求的含义和范围等价的所有变化。权利要求1.单壁碳纳米管群体，其中大于约75％的所述单壁碳纳米管的直径与所述群体的平均直径相差小于约id="icf0001"file="A2007800325060002C1.tif"wi="12"he="4"top="37"left="92"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>2.如权利要求1的单壁碳纳米管群体，其中大于约90%的所述单壁碳纳米管的直径与所述群体的平均直径相差小于约0.5人。3.如权利要求1的单壁碳纳米管群体，其中大于约75%的所述单壁碳纳米管的直径与所述群体的平均直径相差小于约0.2A。4.如权利要求1的单壁碳纳米管群体，其中大于约90%的所述单壁碳纳米管的直径与所述群体的平均直径相差小于约0.2A。5.直径大于约10A的单壁碳纳米管群体，其中大于约70%的所述单壁碳纳米管为半导体型。6.如权利要求5的群体，其中所述单壁碳纳米管的直径为约11-20A。7.如权利要求5的群体，其中所述单壁碳纳米管的直径为约11-16人。8.如权利要求5的群体，其中所述单壁碳纳米管是通过激光烧蚀法合成的。9.如权利要求5的群体，其中大于约75。/。的所述单壁碳纳米管为半导体型。10.如权利要求5的群体，其中大于约80%的所述单壁碳纳米管为半导体型。11.如权利要求5的群体，其中大于约85%的所述单壁碳纳米管为半导体型。12.单壁碳纳米管群体，其中大于约93%的所述单壁碳纳米管为半导体型。13.如权利要求12的单壁碳纳米管群体，其中大于约97%的所述单壁碳纳米管为半导体型。14.单壁碳纳米管群体，其中大于约50%的所述单壁碳纳米管为金属型。15.如权利要求14的单壁碳纳米管群体，其中大于约75%的所述单壁碳纳米管为金属型。16.如权利要求14的单壁碳纳米管群体，其中大于约90%的所述单壁碳纳米管为金属型。17.如权利要求14的单壁碳纳米管群体，其中大于约97%的所述单壁碳纳米管为金属型。18.如权利要求14的单壁碳纳米管群体，其中大于约99%的所述单壁碳纳米管为金属型。19.单壁碳纳米管群体，其中大于约30%的所述单壁碳纳米管具有相同的手性(n，m)类型。20.如权利要求19的单壁碳纳米管群体，其中大于约50%的所述单壁碳纳米管具有相同的手性(n，m)类型。21.如权利要求19的单壁碳纳米管群体，其中大于约75%的所述单壁碳纳米管具有相同的手性(n，m)类型。22.如权利要求19的单壁碳纳米管群体，其中大于约90%的所述单壁碳纳米管具有相同的手性(n，m)类型。23.包含如权利要求1-22中任一项的单壁碳纳米管群体的制品。24.如权利要求23的制品，其中所述制品是电子器件、光学器件或光电器件。25.包含如权利要求1-22中任一项的单壁碳纳米管群体的透明导电膜。26.包含如权利要求1-22中任一项的单壁碳纳米管群体的薄膜晶体管。27.使用密度梯度来分离单壁碳纳米管的方法，所述方法包括将液体介质和组合物离心，所述组合物包含第一表面活性组分、第二表面活性组分和单壁碳纳米管混合物，以使所述混合物沿密度梯度分离，其中，所述液体介质包含密度梯度，所述混合物包含多个单壁碳纳米管，所述单壁碳纳米管具有一定范围的纳米管直径、手性和导电类型中的至少一种，所述第一表面活性组分与所述第二表面活性组分之比不同于4:1;和将分离级分从所述液体介质离析，其中所述分离级分包含被分离的单壁碳纳米管。28.使用密度梯度来基于导电类型分离单壁碳纳米管的方法，所述方法包括将液体介质和组合物离心，所述组合物包含单壁碳纳米管混合物和至少两种表面活性组分，以使所述混合物沿密度梯度分离，其中，所述液体介质包含密度梯度，所述混合物包含半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管；和将分离级分从所述液体介质离析，其中所述分离级分包含被分离的单壁碳纳米管，并且所述分离级分基本为半导体型或基本为金属型。29.—种使单壁碳纳米管群体富集半导体型单壁碳纳米管的方法，所述方法包括在不对金属型单壁碳纳米管进行不可逆的修饰的条件下，从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中离析半导体型碳纳米管。30.如权利要求29的方法，包括在不对金属型单壁碳纳米管进行不可逆的修饰的条件下，从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中分离半导体型单壁碳纳米管。31.如权利要求29或30的方法，包括将半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物离心。32.如权利要求29-31中任一项的方法，其中离析步骤提供包含至少70%的半导体型单壁碳纳米管的单壁碳纳米管群体。33.—种使单壁碳纳米管群体富集金属型单壁碳纳米管的方法，所述方法包括从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中离析金属型碳纳米管。34.如权利要求33的方法，包括从半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物中分离金属型单壁碳纳米管。35.如权利要求33或34的方法，包括将半导体型单壁碳纳米管和金属型单壁碳纳米管的混合物离心。36.如权利要求33-35中任一项的方法，其中离析步骤提供包含至少50%的金属型单壁碳纳米管的单壁碳纳米管群体。37.—种使用密度梯度从金属型和半导体型单壁碳纳米管的混合物离析金属型单壁碳纳米管的方法，所述方法包括提供包含第一表面活性组分和第二表面活性组分的表面活性组分体系，其中所述第一表面活性组分与所述第二表面活性组分之比被调节成使得当所述表面活性组分体系与单壁碳纳米管混合物接触并离心时，包含较高百分比的金属型单壁碳纳米管的分离级分的密度不同于包含较低百分比的金属型单壁碳纳米管的另一个分离级分；将液体介质和组合物离心，所述组合物包含所述表面活性组分体系以及金属型单壁碳纳米管和半导体型单壁碳纳米管的混合物，以使所述混合物沿密度梯度分离；和将分离级分从所述液体介质离析，其中所述分离级分比所述混合物包含更高百分比的金属型单壁碳纳米管。38.如权利要求37的方法，其中所述第一表面活性组分与所述第二表面活性组分之比小于约l。39.—种使用密度梯度从金属型和半导体型单壁碳纳米管的混合物离析半导体型单壁碳纳米管的方法，所述方法包括提供包含第一表面活性组分和第二表面活性组分的表面活性组分体系，其中所述第一表面活性组分与所述第二表面活性组分之比被调节成使得当所述表面活性组分体系与单壁碳纳米管混合物接触并离心时，包含较高百分比的半导体型单壁碳纳米管的分离级分的密度不同于包含较低百分比的半导体型单壁碳纳米管的另一个分离级分；将液体介质和组合物离心，所述组合物包含所述表面活性组分体系以及金属型单壁碳纳米管和半导体型单壁碳纳米管的混合物，以使所述混合物沿密度梯度分离；和将分离级分从所述液体介质离析，其中所述分离级分比所述混合物包含更高百分比的半导体型单壁碳纳米管。40.如权利要求27、28、37-39中任一项的方法，其中所述第一表面活性组分是胆汁盐，所述第二表面活性组分是阴离子烷基两性分子。41.如权利要求39或40的方法，其中所述第一表面活性组分与所述第二表面活性组分之比大于约1。42.如权利要求27-41中任一项的方法，其中所述单壁碳纳米管混合物包含直径约11-20A的单壁碳纳米管。43.如权利要求27、28、37-42中任一项的方法，包括使用分离级分进行重复离心和离析步骤。44.如权利要求27-32和39-43中任一项的方法，其中大于约70%的被分离的单壁碳纳米管、所述分离级分或经富集的单壁碳纳米管群体为半导体型。45.如权利要求27、28、33-38中任一项的方法，其中大于约50%的被分离的单壁碳纳米管、所述分离级分或经富集的单壁碳纳米管群体为金属型。46.如权利要求27-45中任一项的方法，包括处理被分离的单壁碳纳米管、经富集的单壁碳纳米管群体或者金属型单壁碳纳米管或半导体型单壁碳纳米管，以提供裸的单壁碳纳米管。47.—种包含由权利要求46的方法提供的经离析的单壁碳纳米管的制1=1口F1o48.如权利要求47的制品，其中所述制品是电子器件、光学器件或光电器件。49.一种包含由权利要求46的方法提供的经离析的单壁碳纳米管的透明导电膜。50.—种包含由权利要求46的方法提供的经离析的单壁碳纳米管的薄膜晶体管。全文摘要本发明提供了用于提供单壁碳纳米管群体的方法，所述单壁碳纳米管群体在直径、导电类型和/或手性上基本上是单分散的。本发明还提供了通过该方法得到的单壁碳纳米管群体以及包括这种群体的制品。文档编号C01B31/02GK101600650SQ200780032506公开日2009年12月9日申请日期2007年8月29日优先权日2006年8月30日发明者塞缪尔·I·斯图普,迈克尔·S·阿诺德,马克·C·何萨姆申请人:西北大学