专利名称：用于沉积材料的制造设备和其中使用的电极的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种制造设备。更特别而言，本发明涉及一种在制造设备内使用的电 极。
背景技术：
在本领域内已知有用于在载体上沉积材料的制造设备。这种制造设备包括限定了 腔室的壳体。通常，载体基本上为U形，具有彼此隔开的第一端和第二端。典型地，插座设 置在载体的每端。通常，两个或更多电极设置在腔室内，用于接收设置于载体的第一端和第 二端处的相应插座。电极还包括接触区域，所述接触区域支承插座并最终支承载体，以防止 载体相对于壳体运动。接触区域为电极的适于与插座直接接触并且提供从电极通往插座并 进入载体的主电流通路的部分。电源装置联接至电极，用于向载体供应电流。电流既加热电极又加热载体。电极 和载体各具有一定温度，其中载体的温度被加热至沉积温度。通过在载体上沉积材料形成 经处理的载体。如本领域中已知，由于当载体被加热至沉积温度时沉积于载体上的材料的热膨 胀，电极和插座的形状发生变化。一种这样的方法使用平头电极和呈石墨滑块形式的插座。 石墨滑块用作载体与平头电极之间的桥接件。作用于接触区域上的载体和石墨块的重量减 小了石墨滑块与平头电极之间的接触电阻。另一种这样的方法包括使用由两部分组成的电 极。所述由两部分组成的电极包括用于压紧插座的第一半部和第二半部。弹簧元件联接至 由两部分组成的电极的第一半部和第二半部，以便提供压紧插座的力。另一种这样的方法 包括使用限定了杯状部的电极，其中接触区域位于电极的杯状部内。插座适于适配于电极 的杯状部中并接触位于电极的杯状部内的接触区域。替代地，电极可在其外表面上限定接 触区域，而不限定杯状部，并且插座可构造为帽，该帽适配于电极的顶部之上，以便接触位 于电极外表面的接触区域。典型地，循环系统被联接至电极，用于使冷却剂通过电极循环。使冷却剂循环以便 防止电极的温度达到沉积温度，从而防止材料沉积在电极上。控制电极的温度还防止电极 的材料升华，并进而减少污染载体的可能性。电极包括外表面和内表面，内表面具有终端并且限定了通道。由于冷却剂与内表 面之间的相互作用，电极的污染发生在电极的内表面上。污染的起因依赖于所使用的冷却 剂类型。例如，矿物质可能悬浮于冷却剂中(例如，当冷却剂为水时)，并且在冷却剂与电极 之间进行热交换期间，这些矿物质可能沉积于内表面上。另外，随着时间的过去，沉积物可 能积累，而与冷却剂内的矿物质的存在无关。替代地，污染可能呈沉积于电极内表面上的有4机膜的形式。另外，污染可能由于电极内表面的氧化而形成，例如，当冷却剂为去离子水或 其它冷却剂时就会如此。形成的确切沉积物也可能取决于各种因素，包括电极的内表面被 加热到的温度。电极的污染降低了冷却剂与电极之间的换热能力。当出现以下条件中的一个或多个时，必须更换电极第一，当对沉积在载体上的材 料的金属污染超过阈值水平时；第二，当对位于腔室中的电极的接触区域的污染引起电极 与插座之间的连接变差时；第三，当由于对电极上的接触区域的污染需要电极具有过高的 操作温度时。电极具有的寿命由电极在上述情况之一出现之前能处理的载体的数目确定。鉴于与电极污染有关的上述问题，仍然需要至少延迟对电极的污染以便保持电极 与通道中的冷却剂之间的热传递，从而提高生产能力并增加电极的寿命。
发明内容
本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。 载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。限定了穿过壳体的入口，用于将气体引入 腔室中。还限定了穿过壳体的出口，用于将气体从腔室排出。设置穿过壳体的至少一个电 极，其中电极至少部分地设置于腔室内以便接收插座。电极具有限定了通道的内表面。电 源装置联接至电极，用于向电极提供电流。循环系统设置于通道内，用于使冷却剂通过电极 循环。通道涂层设置于电极的内表面上，用于保持电极与冷却剂之间的热传导性。通道 涂层的一个优点在于可以通过抵抗由于冷却剂与电极内表面之间的相互作用而随着时间 的过去可能形成的沉积物的形成，来延迟对电极的污染。通过延迟污染，延长了电极的寿 命，导致更低的生产成本，并且降低了所处理载体的生产周期时间。
当结合附图考虑时，参考以下具体实施方式
部分，本发明的其它优点将会变得更 好理解，因而本发明的其它优点将容易被领会，附图中图1为一种用于在载体上沉积材料的制造设备的剖视图；图2为图1的制造设备使用的限定了杯状部的电极的透视图；图3沿着图2中的线3-3剖开的电极的剖视图，其中电极具有限定了通道并包括 终端的内表面；图3A为图3的电极的一部分的放大剖视图，其中终端具有平构型；图;3B为图3的电极的一部分的放大剖视图，其中终端的一个替代实施例具有锥形 构型；图3C为图3的电极的一部分的放大剖视图，其中终端的一个替代实施例具有椭圆 形构型；图3D为图3的电极的一部分的放大剖视图，其中终端的一个替代实施例具有倒置 锥形构型；图4为图3的电极的剖视图，其中循环系统的一部分连接至电极的第一端；图5为图2和图3的电极的另一个实施例的剖视图，其带有设置于电极上的轴涂层、头部涂层和接触区域涂层；和图6为在材料沉积于载体上期间图1的制造设备的剖视图。
具体实施例方式参看附图，其中在所有各图中，同样的数字表示同样的或相应的部件，用于在载体 M上沉积材料22的制造设备20示于图1和图6中。在一个实施例中，要沉积的材料22为 硅；然而，应当理解，制造设备20可用于在载体M上沉积其它材料，而不偏离本发明的范围。典型地，对于本领域中已知的化学蒸气沉积方法，例如西门子方法，载体M基本 上为U形，并且具有彼此隔开并平行的第一端M和第二端56。插座57设置在载体M的第 一端M和第二端56每一个处。制造设备20包括限定了腔室30的壳体观。典型地，壳体观包括内缸32、外缸34 和基板36。内缸32包括彼此隔开的开口端38和封闭端40。外缸34围绕内缸32设置以 便在内缸32与外缸34之间限定空隙42，通常用作容放循环的冷却流体(未示出)的夹套。 本发明所属领域的普通技术人员应当理解，空隙42可为常规型容器夹套、带障板式夹套或 半管式夹套，但不限于这些。基板36设置在内缸32的开口端38上以便限定腔室30。基板36包括与内缸32 对齐地设置的密封件(未示出)，用于在内缸32设置在基板36上之后密封腔室30。在一 个实施例中，制造设备20为西门子类型化学蒸气沉积反应器。如图6中所示，壳体观限定了入口 44和出口 46，入口 44用于将气体45弓丨入腔室 30中，出口 46用于从腔室30排出气体45。典型地，入口管48连接至入口 44，用于将气体 45输送至壳体观，排出管50连接至出46，用于从壳体28移除气体45。可利用冷却流体例 如水，工业热传导流体或其它热传导流体来包围排出管50。至少一个电极52穿过壳体观设置，用于与插座57联接。在一个实施例中，如图 1和图6中所示，至少一个电极52包括第一电极52和第二电极52，第一电极52穿过壳体 28设置，用于接收载体M的第一端M的插座57，第二电极52穿过壳体观设置，用于接收 载体M的第二端56的插座57。应当理解，电极52可为本领域中已知的任何类型的电极， 例如平头电极、由两部分组成的电极或杯状电极。另外，至少一个电极52至少部分地设置 在腔室30内。在一个实施例中，电极52穿过基板36设置。电极52包括的导电材料在室温下具有的最小导电系数为至少14X IO6姆欧/米 (姆欧即西门子，电导单位)或S/m。例如，电极52可包括铜、银、镍、铬镍铁合金和金中的 至少一种，其中每个都符合以上所述的导电性参数。另外，电极52可包括符合以上所述 导电性参数的合金。典型地，电极52包括的导电材料在室温下具有的最小导电系数为大 约58X 106S/m。典型地，电极52包括铜，基于电极52的重量，铜典型地以按重量计算大约 100%的数量存在。铜可为无氧电解铜等级UNS 10100。另外参看图2、图3、图4和图5，在一个实施例中，电极52包括轴58，轴58具有外 表面60，外表面60设置在第一端61与第二端62之间。在一个实施例中，轴58具有圆形横 截面形状，产生圆柱形的轴，并且轴58限定了直径D1。然而，应当理解，轴58可具有矩形、 三角形或椭圆形横截面形状，而不背离本发明。
电极52还可包括头部72，该头部72设置在轴58上。应当理解，头部72可与轴 58形成一体。头部72具有外表面74，外表面74限定了接触区域76以便接收凹座57。典 型地，电极52的头部72限定了杯状部81，并且接触区域76位于杯状部81内。本发明所属 领域的普通技术人员应当理解，将载体M连接至电极52的方法可根据应用场合改变而不 背离本发明。例如，在一个实施例中，例如对于平头电极(未示出)而言，接触区域可仅仅 为电极52的头部72上的顶部平表面，并且插座57可限定插座杯状部(未示出)，该插座杯 状部适配在电极52的头部72之上，用于接触该接触区域。替代地，尽管图中未示出，轴58 的端部61、62可以不具有该头部72。在本实施例中，电极52可限定轴58的外表面60上 的接触区域，并且插座57可以构造为帽，该帽适配在电极52的轴58之上，用于接触位于轴 58的外表面60上的接触区域76。插座57和接触区域76可设计成使得在载体M已经过处理并且从制造设备20获 得载体M时插座57能从电极52移除。典型地，头部72限定的直径&大于轴58的直径 D10基板36限定了孔(并未编号)，该孔用于接收电极52的轴58，以便使得电极52的头 部保留在腔室30内以密封腔室30。第一套螺纹78可设置在电极52的外表面60上。回头参看图1和图6，典型地， 介电套筒80围绕电极52设置以便隔离电极52。介电套筒80可包括陶瓷。螺母82设置 在第一套螺纹78上，用于在基板36与螺母82之间压紧介电套筒80以将电极52紧固至壳 体28。应当理解，电极52可通过其它方法紧固至壳体观，例如通过凸缘，而不背离本发明 的范围。典型地，轴58和头部72中的至少一个包括限定了通道86的内表面84。基本上， 第一端61为电极52的开口端并且限定了孔(并未编号)以便容许出入通道86。内表面 84包括与轴58的第一端61隔开的终端88。终端88为基本上平的，并且与电极52的第一 端61平行。终端88可以具有平构型(如图3A中所示)、锥形构型(如图:3B中所示)、椭 圆形构型(如图3C中所示)或倒置锥形构型(如图3D中所示)。通道86具有从电极52 的第一端61延伸到终端88的长度L。应当理解，终端88可设置在电极52的轴58内，或者 终端88可设置在电极52的头部72 (当存在时)内，而不背离本发明。制造设备20进一步包括电源装置90，电源装置90联接至电极52以便提供电流。 典型地，电线或者电缆92将电源装置90联接至电极52。在一个实施例中，通过在第一套螺 纹78与螺母82之间设置电线92，而将电线92连接至电极52。应当理解，电线92至电极 52的连接可通过不同的方法实现。电极52具有一定温度(该温度通过使电流通过该电极 52而改变)，从而产生对电极52的加热并因此建立电极52的操作温度。这种加热被本发 明所属领域的普通技术人员称作焦耳加热。特别是，电流通过电极52、通过插座57并通过 载体M，从而导致对载体M进行焦耳加热。另外，对载体M的焦耳加热导致对腔室30的 辐射/对流加热。电流通过载体M就建立了载体M的操作温度。由载体M产生的热量 通过凹座57传导并进入电极52，这进一步增加了电极52的操作温度。参看图4，制造设备20还可包括循环系统94，循环系统94至少部分地设置在电极 52的通道86内。应当理解，循环系统94的一部分可被设置在通道86外部。第二套螺纹 96可设置在电极52的内表面84上，用于将循环系统94联接至电极52。然而，本发明所属 领域的普通技术人员应当理解，可以使用其它紧固方法，例如使用凸缘或联接器，来将循环系统94联接至电极52。循环系统94包括与电极52的通道86处于流体连通的冷却剂，用于降低电极52的 温度。在一个实施例中，冷却剂为水；然而，应当理解，冷却剂可为设计成用于通过循环减少 热量的任何流体而不背离本发明。而且，循环系统94还包括联接于电极52与储存器(未 示出)之间的软管98。软管98包括内管100和外管102。应当理解，内管100和外管102 可与软管98形成一体，或者，替代地，内管100和外管102可通过使用联接器(未示出)附 连至软管98。内管100设置在通道86内并沿通道86的长度L的大部分延伸，以便使冷却 剂在电极52内循环。循环系统94内的冷却剂处于压力下，以迫使冷却剂通过内管100和外管102。典 型地，冷却剂离开内管100并被迫至电极52的内表面84的终端88上，随后经由软管98的 外管102离开通道86。应当理解，还可以使流动构型反向，以便使得冷却剂经由外管进入通 道86并经由内管100离开通道86。热传递领域的普通技术人员还应该理解，由于表面积以 及与电极52的头部72的接近度，终端88的构型影响热传递速率。如上文所述，对于相同 的循环流动速率而言，终端88的不同的几何构型在电极52与冷却剂之间产生不同的对流 传热系数。参看图2至图4，通道涂层104可设置在电极52的内表面84上，以便保持电极52 与冷却剂之间的热传导能力。通常，与电极52的抗腐蚀性相比，通道涂层104具有更高的抵 抗由冷却剂与内表面84的相互作用所引起的腐蚀的抗腐蚀性。通道涂层104典型地包括抵 抗腐蚀并且防止沉积物积累的金属。例如，通道涂层104可包括银、金、镍和铬中的至少一 种，例如镍/银合金。典型地，通道涂层104为镍。通道涂层104具有的热导率为70. 3至 427ff/mK,更典型地为70. 3至405W/mK，最典型地为70. 3至90. 5W/mK。通道涂层104还具有 0. 0025mm至0. 026mm的厚度，厚度更典型地为0. 0025mm至0. 0127mm，最典型地为0. 0051mm 至 0. 0127mm。另外，应当理解，电极52可进一步包括设置在通道涂层104上的抗锈蚀层。抗锈蚀 层为施涂在通道涂层104之上的保护性薄膜有机层。在形成电极52的通道涂层104之后， 可以使用保护系统，例如Techniclnc.的Tarniban ，以便减少电极52中的和通道涂层104 中的金属的氧化，而不导致过大的抗热性。例如，在一个实施例中，电极52可包括银而通道 涂层104可包括带有抗锈蚀层的银，与纯银相比，用于提供对沉积物形成的更大抵抗能力。 典型地，电极52包括铜，而通道涂层104包括镍，以便使热导率和对沉积物形成的抵抗能力 最大化，其中抗锈蚀层设置在通道涂层104上。在不受理论约束的情况下，通过由于通道涂层104的存在而延迟污染而延长了电 极52的寿命。由于电极52的寿命增加，就降低了生产成本，因为与不带通道涂层104的电 极52相比，电极52需要更换的频率减少。另外，因为与使用不带通道涂层104的电极52 时相比更换电极52的频率减少，还降低了在载体M上沉积材料22的生产时间。通道涂层 104导致制造设备20的停机时间减少。电极52可涂在除了内表面84以外的其它位置，以便延长电极52的寿命。参看图 5，在一个实施例中，电极52包括设置于轴58的外表面60上的轴涂层106。轴涂层106在 轴58上从头部72延伸到第一组螺纹78。轴涂层106可包括第二金属。例如，轴涂层106 可包括银、金、镍和铬中的至少一种。典型地，轴涂层106包括银。轴涂层106具有的厚度8典型地为0. 0254mm至0. 254mm,更典型地为0. 0508mm至0. 254mm,最典型地为0. 127mm至 0. 254mm。在一个实施例中，电极52包括设置在头部72的外表面74上的头部涂层108。头 部涂层108基本上包括金属。例如，头部涂层108可包括银、金、镍和铬中的至少一种。典 型地，头部涂层108包括镍。头部涂层108具有的厚度为0. 0254mm至0. 254mm,更典型地为 0. 0508mm 至 0. 254mm,最典型地为 0. 127mm 至 0. 254mm。头部涂层108可提供在获得多晶硅期间在氯化物环境中的抗腐蚀性并且可进一 步提供抵抗由于材料22沉积于载体M上而经由氯化和/或硅化的化学腐蚀的能力。在铜 电极上，Cu4Si和氯化铜形成，但是对于镍电极，硅化镍比硅化铜形成更慢。银更不倾向于形 成硅化物。在一个实施例中，电极52包括设置在接触区域76的外表面82上的接触区域涂 层110。接触区域涂层110基本上包括金属。例如，接触区域涂层110可包括银、金、镍和 铬中的至少一种。典型地，接触区域涂层110包括镍或银。接触区域涂层110具有的厚度 为 0. 00254 至 0. 254mm,更典型地为 0. 00508 至 0. 127mm,最典型地为 0. 00508 至 0. 0254mm。 金属的特定类型的选择可根据气体的化学性质而定，由于载体对的温度、通过电极52的电 流、冷却流体流动速率和冷却流体温度的组合引起的电极52附近的热状态可全都影响用 于电极的各个部分的金属的选择。例如，由于抗氯化性，头部涂层108可包括镍或铬，而接 触区域涂层110可选择使用银以在自然抵抗氯化物侵蚀之上获得抗硅化性。接触区域涂层110还提供了提高的导电性并且尽量减少了接触区域76内的硅化 铜积累。硅化铜积累阻止了设置在接触区域76内的插座57之间的正确适配，可能导致插 座57的点蚀。点蚀在接触区域76与插座57之间产生小的电弧，导致对多晶硅产品造成金 属污染。应当理解，除通道涂层104以外，电极52可按任意组合具有轴涂层106、头部涂层 108和接触区域涂层110中的至少一个。通道涂层104、轴涂层106、头部涂层108和接触 区域涂层110可通过电镀形成。然而，应当理解，每一个涂层都可通过不同的方法形成而不 背离本发明。另外，制造高纯度半导体材料例如多晶硅领域的普通技术人员应当理解，一些 镀敷工艺使用为搀杂物的材料，例如三族和五族元素(对于制造多晶硅的情况而言，氮除 外)，并且选择适当的涂敷方法可尽量减少对载体对的可能污染。例如，希望的是电极的通 常设置在腔室32内的区域，例如头部涂层108和接触区域涂层110，具有加入它们的相应电 极涂层中的极少的硼和磷。下文讨论一种在载体M上沉积材料22的典型方法，其参考图6。将载体M置于 腔室30内以便使得设置于载体M的第一端M和第二端56处的插座57被设置在电极52 的杯状部81内并且腔室30被密封。从电源装置90向电极52传输电流。基于要沉积的材 料22计算沉积温度。通过使电流直接通到载体M而增加载体M的操作温度，以便使得载 体M的操作温度超过沉积温度。一旦载体M达到沉积温度之后，将气体45引入腔室30。 在一个实施例中，被引入腔室30的气体45包括卤硅烷，例如氯硅烷或溴硅烷。气体可还包 括氢。然而，应当理解，本发明并不限于存在于气体中的这些组分，并且气体可包括其它沉 积前体，尤其是含例如硅烷、四氯化硅和三溴硅烷的分子的硅。在一个实施例中，载体M为 硅细长条，并且制造设备20可用于将硅沉积在其上。特别是，在本实施例中，气体通常包含三氯硅烷并且通过热分解三氯硅烷而将硅沉积在载体M上。使用冷却剂来预防电极52的 操作温度达到沉积温度，以保证硅并不沉积在电极52上。材料22被均勻地沉积在载体M 上，直到载体M上的材料22达到要求的直径。一旦载体M被处理之后，断开电流以便使得电极52和载体M停止接收电流。通 过壳体28的出口 46排出气体45，并且容许载体M和电极52冷却。一旦经处理的载体M 的操作温度已经被冷却，则可从腔室30移除经处理的载体对。于是移除经处理的载体24， 并且将新的载体M放置于制造设备20中。显然，可以根据上述教导做出本发明的许多改型和变型。以上已经根据相关法律 标准描述了上述发明；因此，这些说明为示例性而非限制性。对所公开的实施例所作的变 型和改型对于本发明所属领域的普通技术人员是显而易见的并且归入本发明范围之内。因 此，给予本发明的法律保护范围仅仅通过研究以下权利要求书来确定。
权利要求
1.一种用于在载体上沉积材料的制造设备，所述载体具有彼此隔开的第一端和第二 端，插座设置在载体的每端处，所述设备包括限定了腔室的壳体；穿过所述壳体限定的入口，用于将气体引入所述腔室中； 穿过所述壳体限定的出口，用于将气体从所述腔室排出；至少一个电极，所述电极穿过所述壳体设置，其中所述电极至少部分地设置在所述腔 室内以便接收插座，并且所述电极具有限定了通道的内表面；电源装置，所述电源装置联接至所述电极，用于向所述电极提供电流； 循环系统，所述循环系统设置在所述通道内，用于使冷却剂通过所述电极循环；和 通道涂层，所述通道涂层设置在所述内表面上，用于保持所述电极与冷却剂之间的热 传导性。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个电极包括第一电极和第二电极，第 一电极用于接收位于载体的第一端处的插座，第二电极用于接收位于载体的第二端处的插 座。
3.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述电极还包括轴和限定了接触区域 的头部，其中所述头部设置在所述轴上。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述轴具有第一端和第二端，并且所述通道具有 在所述电极的所述第一端与所述第二端之间延伸的长度。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述循环系统包括安装在所述电极的所述第一端 内的内部管，其中所述内部管设置在所述通道内并延伸过所述通道的所述长度的大部分。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述通道涂层包括银、金、镍和铬中的 至少一种。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述通道涂层包括镍。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述通道涂层还包括设置在所述通道 涂层上的抗锈蚀层。
9.一种用于制造设备的电极，所述制造设备用于在载体上沉积材料及使冷却剂通过所 述电极循环，所述电极包括具有彼此隔开的第一端和第二端的轴； 设置在所述轴的所述第二端上的头部； 所述轴和所述头部中的至少一个包括限定了通道的内表面；和 通道涂层，所述通道涂层设置在所述内表面上，用于保持所述电极与冷却剂之间的热 传导性。
10.根据权利要求9所述的电极，其中所述内表面包括与所述轴的所述第一端隔开的终端。
11.根据权利要求9或10所述的电极，其中所述轴限定了所述通道。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的电极，其中所述头部与所述轴形成一体并且所 述轴和所述头部包括铜。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的电极，其中所述头部与所述轴形成一体并且所 述轴和所述头部包括无氧的电解铜。
14.根据权利要求9-13中任一项所述的电极，其中所述通道涂层包括银、金、镍和铬中 的至少一种。
15.根据权利要求9-14中任一项所述的电极，其中所述通道涂层包括镍。
16.根据权利要求9-15中任一项所述的电极，还包括设置在所述通道涂层上的抗锈蚀层。
17.根据权利要求9-16中任一项所述的电极，其中所述轴具有设置在所述轴的所述第 一端与所述第二端之间的外表面。
18.根据权利要求17所述的电极，还包括设置在所述轴的所述外表面上的轴涂层。
19.根据权利要求18所述的电极，其中所述轴涂层包括银、金、镍和铬中的至少一种。
20.根据权利要求书18所述的电极，其中所述轴涂层包括银。
21.根据权利要求9-20中任一项所述的电极，其中所述头部具有外表面。
22.根据权利要求21所述的电极，还包括设置在所述头部的所述外表面上的头部涂层。
23.根据权利要求22所述的电极，其中所述头部涂层包括银、金、镍和铬中的至少一种。
24.根据权利要求22所述的电极，其中所述头部涂层包括镍。
25.根据权利要求9-M中任一项所述的电极，其中载体具有彼此隔开的第一端和第二 端，其中插座设置在载体的每端处。
26.根据权利要求9-25中任一项所述的电极，其中所述头部的所述外表面限定了用于 接收位于载体的端部处的插座的接触区域。
27.根据权利要求沈所述的电极，还包括设置在所述接触区域的所述外表面上的接触 区域涂层。
28.根据权利要求27所述的电极，其中所述接触区域涂层包括银、金和铬中的至少一种。
29.根据权利要求9- 中任一项所述的电极，其中所述通道涂层具有70.3至427W/mK 的热传导性。
30.根据权利要求9- 中任一项所述的电极，其中所述通道涂层具有0.0025mm至 0. 026mm的厚度。
全文摘要
本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种设备包括限定了腔室的壳体。至少一个电极穿过壳体设置，用于接收插座。电极包括限定了通道的内表面。电极通过使电流直接通到载体而将载体加热至所需沉积温度。冷却剂与电极的通道处于流体连通，用于降低电极的温度。通道涂层设置在电极的内表面中，用于防止冷却剂与内表面之间的热传递发生损失。
文档编号C01B33/035GK102047066SQ200980120116
公开日2011年5月4日 申请日期2009年4月13日 优先权日2008年4月14日
发明者D·希拉布兰德, K·麦科伊, M·德蒂亚, M·莫尔纳, T·纳普 申请人:赫姆洛克半导体公司