一种熔盐法制备Bi<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>粉体的方法

文档序号:3440927阅读:312来源:国知局
专利名称:一种熔盐法制备Bi<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>粉体的方法
技术领域
本发明涉及一种亚稳定相化合物粉体的制备方法,具体涉及一种熔盐法制备 Bi2Si05粉体的方法。
背景技术
Bi2Si05晶体属正交晶系,Cmc21空间群,点阵常数a=15.19A, b=5.468A,
c=5.314A,z = 4。它的结构可以看作是由[Bi2o2]2+层分隔开的改03]2_链所构成,因此 结构式写成Bi4
[Si206]。Bi2Si05晶体主要具有介电、热电以及非线性光学等性质,它的 非中心对称的晶体结构使其有可能具有铁电性质。在光电材料面有潜在的用途。由于晶体 生长方面的困难,有关Bi2Si05晶体各种性能应用的报道尚缺。目前,8125105粉体的制备方法有固相合成法、溶胶凝胶法和水热法。固相合成法 操作简单,但是由于氧化铋在高温下的挥发特性,在热处理后会导致偏离理想的化学计量 比的不合格产品的出现,因此固相法很难得到Bi2Si05为主晶相的粉体。王燕等人(王燕, 王秀峰,于成龙.无机盐工业,2007,39 (4) 38-40)将Bi203与Si02按物质的量比1 1混 合,在一定温度下处理一定时间获得生成产物,固相反应温度由700°C升高至900°C过程 中,亚稳态Bi2Si05逐渐转变为稳定态Bi12Si02Q和Bi4Si3012,反应温度对Bi2Si05的生成起决 定性作用。750°C保温不同时间所获试样的XRD谱表明,固相反应时间延长,反应物Bi203的 衍射峰减弱,稳定相Bi12Si02(l衍射峰增强,随着反应的进行,生成物亚稳相Bi2Si05的衍射 峰减弱,反应时间过长,不利于亚稳相Bi2Si05生成。柏朝辉等(柏朝晖,巴学巍,贾茹.无 机化学学报,2006,22 (7) 1327-1329)人利用溶胶凝胶法制备Bi4Si3012纳米粉体的过程 中,在550-650°C时得到了主晶相为Bi2Si05和Bi203的混合晶相,随着反应温度的升高, Bi2Si05和Bi203不断反应,在750°C生成了主晶相为立方晶相的目标产物Bi4Si3012。戴晓 军等(Xiao-Jun Dai, Yong-Song Luo, Shao-Yun Fu, et al. Solid State Sciences. 2010, 12 637-642)采用水热法制备三维层状花瓣状纳米结构的Bi2Si05,并对其发光性能进行了 研究。结果表明,花瓣状纳米结构的成核与成长由成核_分解_再结晶生长机制控制,同时 聚乙烯吡咯烷酮(缩写为PVP)和NaOH的浓度对花瓣状结构有着重要的影响。国内外与制备财25105粉体相关的专利很少。专利CN 101229510A中公开了一种 制备Bi2Si05粉体的方法。将铋源溶于酸性溶液中得到含铋溶液,按照硅源中的硅原子与铋 源中的铋原子的摩尔比为25 1-0.5 1,在5-80°C的条件下,将硅源溶液加入上述含铋 溶液中,根据需要加入一定量的载体;在10-70°C的条件下用碱性物质调节PH值至5-12,搅 拌0. 5-12小时后,陈化0. 5-72小时。经去离子水过滤或离心洗涤至中性,烘干,研磨后,在 400-700°C下空气中焙烧1-12小时,可得粉状硅酸铋(Bi2Si05)或含硅酸铋(Bi2Si05)的粉 状催化材料。专利CN101708863A公开了一种硅酸铋(Bi2Si05)微晶体的制备方法。由两个 步骤组成第一步为硅酸铋玻璃的制备和第二步为硅酸铋(Bi2Si05)微晶体的制备。主要以 石英玻璃粉和三氧化二铋为原料,将配合料加入事先放入马弗炉中的带盖高纯氧化铝坩埚 中熔融,然后将熔融的玻璃液倒入转动着地采用水冷却的铁棍中间,将玻璃液在冷却过程
3中制成厚度为l_5mm的玻璃片,最后,将玻璃片放入350-400°C马弗炉中保温l_4h后,随炉 冷却,得到硅酸铋玻璃;将装有硅酸铋玻璃的氧化铝坩埚放入马弗炉中加热、保温、迅速取 出冷却后即得硅酸铋(Bi2Si05)微晶体。综上所述,Bi2Si05晶体是一种介稳态物质,目前Bi2Si05的晶体生长和性质的报道 还不多见。自从1973年首先出现用熔盐法合成BaFe12019和SrFe12019以来,各国学者先后用熔 盐法制备出各种电子陶瓷。熔盐给反应体系提供液相环境,从而增加反应物的流动性和扩 散速率,有利于控制产物形貌并降低合成温度。相对于溶胶_凝胶法,水热法等化学工艺, 熔盐法工艺流程简单,与固相法相似,易于与工业接轨,且熔盐可以用水洗除去经重结晶后 循环使用,有利于环保。

发明内容
本发明的目的在于提供一种熔盐法制备高纯Bi2Si05粉体的方法。为达到上述目的,本发明采用的技术方案是1)首先,取分析纯的Bi203,Si02按照Bi203 Si02的摩尔比为1 1. 1混合得混 合物A ;2)其次,取NaCl与KC1按1 1摩尔比混合得混合物B ;3)然后,将混合物A与混合物B按7 3的质量比混合后以无水乙醇为介质湿法 球磨使其混合均勻干燥后过300目筛得混合粉体;4)最后,将混合粉体在650_850°C下煅烧0. 5-5小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘 干得到Bi2Si05粉体。本发明利用熔盐法制备Bi2Si05粉体,通过选择常规的熔盐NaCl和KC1,在不同的 反应温度和时间达到控制晶体形貌的目的。由于该方法在较低的合成温度与常压下进行, 因此可以实现大规模生产。


图1是本发明在650°C保温0. 5h的XRD图,其中横坐标为衍射角,纵坐标为衍射强度。图2是本发明在650°C保温0.5h的SEM图,其中(a)图为1000倍的放大倍数,(b) 图为5000倍的放大倍数。
具体实施例方式下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。实施例1 :1)首先,取分析纯的Bi203,Si02按照Bi203 Si02的摩尔比为1 1. 1 混合得混合物A ;2)其次,取NaCl与KC1按1 1摩尔比混合得混合物B ;3)然后,将混合物A与混合物B按7 3的质量比混合后以无水乙醇为介质湿法 球磨使其混合均勻干燥后过300目筛得混合粉体;4)最后,将混合粉体在650°C下煅烧0. 5小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘干得到
4Bi2Si05 粉体。由图1可以看出,实例1的条件下制备出纯度较高的Bi2Si05粉体。由图2(a)可以看出,样品的形貌主要以板状形式存在。由图2(b)可以看出,样品 中的板状相互连接组成较大的颗粒。实施例2 本实施例将混合粉体在800°C下煅烧2小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘 干得到Bi2Si05粉体,其它步骤同实施例1。实施例3 本实施例将混合粉体在600°C下煅烧5小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘 干得到Bi2Si05粉体,其它步骤同实施例1。实施例4 本实施例将混合粉体在850°C下煅烧1小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘 干得到Bi2Si05粉体,其它步骤同实施例1。实施例5 本实施例将混合粉体在750°C下煅烧3小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘 干得到Bi2Si05粉体,其它步骤同实施例1。实施例6 本实施例将混合粉体在700°C下煅烧4小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘 干得到Bi2Si05粉体,其它步骤同实施例1。本发明的优点在于,通过调整反应温度和时间达到控制晶体形貌的目的,促进 Bi2Si05粉体的合成以及晶体的制备,有助于探索其在各种未知行业领域的性能和潜在应 用;在较低的温度下合成了 Bi2Si05,合成周期短,最短只需要半小时,且熔盐可以用水洗除 去经重结晶后循环使用,环境友好,适合大规模生产。
权利要求
一种熔盐法制备Bi2SiO5粉体的方法,其特征在于包括以下步骤1)首先,取分析纯的Bi2O3,SiO2按照Bi2O3∶SiO2的摩尔比为1∶1.1混合得混合物A;2)其次,取NaCl与KCl按1∶1摩尔比混合得混合物B;3)然后,将混合物A与混合物B按7∶3的质量比混合后以无水乙醇为介质湿法球磨使其混合均匀干燥后过300目筛得混合粉体;4)最后,将混合粉体在650 850℃下煅烧0.5 5小时,煅烧后用去离子水洗盐,烘干得到Bi2SiO5粉体。
全文摘要
一种熔盐法制备Bi2SiO5粉体的方法,涉及闪烁晶体材料的制备。本方法采用分析纯的Bi2O3,SiO2和NaCl与KCl混合熔盐,按照Bi2O3∶SiO2的摩尔比为1∶1.1称取Bi2O3和SiO2,原料和盐的质量比为7∶3,NaCl与KCl的摩尔比为1∶1,将Bi2O3,SiO2粉末和盐在乙醇溶液中充分球磨,使其混合均匀,干燥后在650-850℃下煅烧。本方法可以通过选择不同的烧结温度和保温时间来实现形貌的控制,得到具有不同尺度和相对含量的Bi2SiO5粉体。本发明制备工艺简单,合成温度低,周期短,促进Bi2SiO5这一亚稳定的化合物晶体在晶体生长方面的研究以及其介电、热电以及非线性光学等性质的应用。
文档编号C01B33/20GK101979320SQ201010504849
公开日2011年2月23日 申请日期2010年10月12日 优先权日2010年10月12日
发明者江红涛, 王秀峰, 王莉丽, 穆金娥, 胡安平, 贺宝成 申请人:陕西科技大学
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