专利名称：一种氯化氢合成炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种化工反应设备，具体涉及一种氯化氢合成炉。
背景技术：
氯化氢是一种重要的化工原料，是三氯氢硅合成反应中必不可少的原料。现有的氯化氢合成炉主要有两种形式金属合成炉和石墨合成炉。金属合成炉因为能承受较高的压力，因此在需要有一定的压力条件的氯化氢合成炉通常采用金属合成炉。传统的氯化氢合成炉是使氯气和氢气在炉体底部的灯头处燃烧，反应生成氯化氢气体。由于高温的作用， 虽然传统的氯化氢合成炉在炉体的底部也衬有石墨，但由于结构的不合理，容易引起石墨层开裂，使得反应中生成的水(因反应的主产物为氯化氢，所以此时的水已变成盐酸，具有强腐蚀性)直接透过石墨层，与设备主体接触，引起设备本体的早期损坏。
实用新型内容实用新型目的本实用新型的目的在于针对现有氯化氢合成炉结构的不合理之处，提供一种底部石墨层不易开裂的氯化氢合成炉，从而大大提高设备的使用寿命。技术方案本实用新型所述的氯化氢合成炉，包括炉体和设置在炉体底部的石墨层，所述石墨层上设置有石墨层限位圈，所述石墨层限位圈设置在所述石墨层的上端部，所述石墨层限位圈向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状。本实用新型与现有技术相比，其有益效果是本实用新型通过在石墨层的上端部设置一个限位圈，挡住石墨层的端部，能够有效地防止石墨层因受热开裂，大大提高了设备的使用寿命。
图1为现有的氯化氢合成炉结构示意图。图2为本实用新型氯化氢合成炉的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。实施例如图2所示，本实用新型所述氯化氢合成炉，包括炉体3和设置在炉体底部的石墨层1，所述石墨层1上设置有石墨层限位圈2 ；所述石墨层限位圈2设置在所述石墨层1的上端部，所述石墨层限位圈2向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状。斜向下的石墨层限位圈2挡住石墨层的端部，防止石墨层1因受热开裂，可大大提高设备的使用寿命。如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
权利要求1.一种氯化氢合成炉，包括炉体(3)和设置在炉体底部的石墨层(1)，其特征在于所述石墨层(1)上设置有石墨层限位圈O)。
2.根据权利要求1所述的氯化氢合成炉，其特征在于所述石墨层限位圈(2)设置在所述石墨层(1)的上端部。
3.根据权利要求2所述的氯化氢合成炉，其特征在于所述石墨层限位圈O)向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状。
专利摘要本实用新型公开一种氯化氢合成炉，包括炉体(3)和设置在炉体底部的石墨层(1)，所述石墨层(1)上设置有石墨层限位圈(2)。本实用新型通过在石墨层的上端部设置一个限位圈，挡住石墨层的端部，能够有效地防止石墨层因受热开裂，大大提高了设备的使用寿命。
文档编号C01B7/01GK201980998SQ201120128369
公开日2011年9月21日 申请日期2011年4月27日 优先权日2011年4月27日
发明者王国林, 申长吉, 范爱军, 顾宏祥, 黄志亮 申请人:江苏福斯特石化装备有限公司