电子束熔炼液态硅除氧的装置制造方法
【专利摘要】本实用新型属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束熔炼液态硅除氧的装置，本实用新型打破了传统的除氧模式，首先在中频感应装置中进行待除氧硅料熔化，能够有效降低熔化所需能耗，借用导流槽进行电子束除氧熔炼，由于硅液能够在导流区域内铺散，比表面积增大，因此电子束熔炼效果更好，由于导流区域是向下倾斜的构造，经熔炼提纯后的硅液流入凝固坩埚内，在凝固坩埚内进行堆积，一般选用较大尺寸的凝固坩埚，方便一次电子束熔炼工艺达到更大的单炉产量。本实用新型的优点在于提出了电子束除氧的工艺方法和用途，解决了多晶硅中杂质氧去除的难题，氧含量可以降低于0.0571ppmw以下，满足太阳能电池对多晶硅铸锭含氧量的要求。
【专利说明】电子束熔炼液态硅除氧的装置
【技术领域】
[0001]本实用新型属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束熔炼液态硅除氧的装置。【背景技术】
[0002]目前，我国已成为世界能源生产和消费大国，但人均能源消费水平还很低。随着经济和社会的不断发展，我国能源需求将持续增长，针对目前的能源紧张状况，世界各国都在进行深刻的思考，并努力提高能源利用效率，促进可再生能源的开发和应用，减少对进口石油的依赖，加强能源安全。
[0003]作为可再生能源的重要发展方向之一的太阳能光伏发电近年来发展迅猛，其所占比重越来越大。根据《可再生能源中长期发展规划》，到2020年，中国力争使太阳能发电装机容量达到1.8GW (百万千瓦)，到2050年将达到600GW。预计到2050年，中国可再生能源的电力装机将占全国电力装机的25%，其中光伏发电装机将占到5%。预计2030年之前，中国太阳能装机容量的复合增长率将高达25%以上。
[0004]太阳能光伏产业的发展依赖于对多晶硅原料的提纯。多晶硅原料的提纯工艺目前主要依赖以下几种工艺:西门子法、硅烷法、气体流化床法和冶金法。冶金法制备太阳能级多晶硅技术作为发展低成本、环境友好的太阳能级多晶硅制备技术的必经之路，目前已经取得了长足发展，并实现了工业化生产。冶金法提纯多晶硅是指采用物理冶金手段，在硅不参与发生化学反应的情况下，依次去除硅中的各种杂质元素(磷、硼及金属)的方法，它不是单一的制备方法，而是一种集成法，主要利用饱和蒸汽压原理、偏析原理及氧化性差异原理，分别采用不同的工艺方法，来去除硅中的杂质元素，从而得到满足太阳能多晶硅纯度要求的娃料。
[0005]在冶金法工艺中，硅料的磷、硼、金属等杂质均可通过有效的工艺手段去除，达到了较理想的效果。但是，近年来，在对多晶硅太阳能电池片光电转化效率的研究中发现，氧元素的含量对电池片的光电转化效率与产生重要影响。但是，现有技术中，对氧元素的去除效果不佳。
[0006]在冶金法的定向凝固、铸锭等工艺中，坩埚中的氧元素或通入气体中的氧元素不可避免地会进入到硅料中，是氧杂质产生的主要原因。传统的测试硅中氧含量的普遍方法为红外光谱，用红外光谱分别对高纯硅料与混料(铸铸后的边角料与高纯料混合)进行检测，两种料中氧的含量相关不大。这也导致了冶金法工艺中引入的氧杂质未受到重视。
[0007]实际上，在硅中，氧元素有两种状态:替代位，即氧代替了硅的位置；间歇位，即氧在硅原子的间隙中。传统的测试硅中氧含量的红外光谱只能检测间歇位的氧含量，不能真实反映两种硅料中的氧含量水平。经 申请人:的实验测试，替代位的氧会释放电子，与硅中杂质磷产生的作用相似，能够影响多晶硅电池片光电转化效率。 申请人:通过二次离子质谱仪多次检测，在上述两种硅料中，氧元素含量相差很大，主要是替代位的氧元素含量的差别。
[0008]因此，对于铸锭等工艺中引入的杂质氧不能忽视，必需寻求有效的手段降低硅中杂质氧的含量。[0009]对于氧杂质的去除方法，检索到实用新型专利CN200810070925 —种降低金属硅中氧、碳含量的方法，该实用新型采用在硅液中吹入氧气、氢气和水蒸气，使氢气和氧气在硅液中反应产生局部高温，使硅液中的氧、碳元素随气体排放而去除，但是该方法需要在硅熔融状态下通入氧气和氢气，操作难度大，危险性高，氧的去除效果不佳。
实用新型内容
[0010]根据以上现有技术的不足，本实用新型提出一种电子束熔炼液态硅除氧的装置，通过电子束熔炼的方式有效的去除多晶硅中杂质氧，以此提高电池片的光电转换效率。
[0011]本实用新型所述的一种电子束熔炼液态硅除氧的装置，包括炉体，炉体内设置有中频感应装置，中频感应装置底部安装有与下炉盖通连的翻转机构，中频感应装置一侧设置带有水冷的导流槽，该导流槽自上向下倾斜；位于导流槽上方的炉体顶部通连有电子枪；导流槽的倾泻口下方的炉体内底部设置有凝固坩埚。
[0012]其中，中频感应装置优选包括由内向外的石墨坩埚、感应线圈和保温层。
[0013]导流槽与水平面之间的倾斜角度优选为5?15度。较小的倾斜角度能够保证硅液在导流槽内得到充分熔炼，保证除氧的效果。
[0014]凝固坩埚优选为水冷铜坩埚。对于凝固坩埚本身来说，既可以采用石墨坩埚，也可以采用石英坩埚，但是在硅液向下浇铸时，容易破碎，且容易带来其它元素杂质的污染；利用带有水冷的铜坩埚，其冷却能力较强，冷却时间较短，无污染，同时能够反复使用，整体成本较低，而且不易损坏。
[0015]采用以上装置进行电子束熔炼液态硅除氧，对电子束熔炼炉进行抽真空，在电子束熔炼炉内，通过中频感应装置对待除氧硅料进行熔化成硅液，然后利用翻转机构将中频感应装置中的硅液持续倾倒至带有水冷的导流槽内，通过电子枪对导流槽区域内的硅液进行熔炼除氧，硅液沿导流槽向下运动流到电子束熔炼炉内的凝固坩埚，当凝固坩埚达到承载量之后，停止送料机构送料，关闭电子枪，经冷却后将凝固坩埚中的硅锭取出即可。
[0016]优选按照以下步骤进行:
[0017](I)备料:将待除氧硅料粒径小于IOOmm的块体，清洗烘干后装入中频感应装置内；
[0018](2)预处理:对电子束熔炼炉及导流槽开启冷却水循环，对电子束熔炼炉内进行抽真空处理，抽至0.05Pa以下；并对电子枪抽真空处理，抽至0.005Pa以下，然后进行预热，设置电子枪束流为70?200mA，预热电子枪10?15min后，关闭预热；
[0019](3)熔炼提纯:开启中频感应装置，功率调至150?250KW，使待除氧硅料全部熔化成娃液；关闭中频感应装置，启动翻转机构，倾斜中频感应装置，使娃液持续的倾倒至导流槽内，与此同时打开电子枪，设定电子束束流为200?1200mA，控制电子枪的电子束能量分布在导流槽的导流区域内，对向下流动的硅液进行熔炼除氧，最后经导流后流入凝固坩埚内，当中频感应装置中的硅液全部流至凝固坩埚后，关闭电子枪，电子束熔炼炉内部经冷却降温至200°C以下，关闭真空系统，向电子束熔炼炉内充气后开炉取出凝固坩埚中的硅锭。
[0020]其中，待除氧硅料的氧含量为4?20ppmw。
[0021 ] 在本实用新型中，打破了传统的除氧模式，首先在中频感应装置中进行待除氧硅料熔化，能够有效降低熔化所需能耗，借用导流槽进行电子束除氧熔炼，由于硅液能够在导流区域内铺散，比表面积增大，因此电子束熔炼效果更好，由于导流区域是向下倾斜的构造，经熔炼提纯后的硅液流入凝固坩埚内，在凝固坩埚内进行堆积，一般选用较大尺寸的凝固坩埚，方便一次电子束熔炼工艺达到更大的单炉产量。
[0022]本实用新型的优点在于:(I)提出了电子束除氧的工艺方法和用途，解决了多晶硅中杂质氧去除的难题，除氧后的多晶硅经二次离子质谱(SIMS)检测，其氧含量低于二次离子质谱检测极限，即低于0.0571ppmw，满足太阳能电池对多晶硅铸锭含氧量的要求；(2)多晶硅料高效带状除氧技术可增大硅液表面积30%以上，缩短除氧时间20%以上；(3)可实现连续化生产，提高生产效率35%以上；(4)中频感应装置的加入，可节约电能10%以上，缩短熔化时间20%以上。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为本实用新型的结构示意图；
[0024]图中:1、炉体2、石墨坩埚3、感应线圈4、保温层5、翻转机构6、导流槽7、电子枪8、凝固坩埚。
【具体实施方式】
[0025]以下结合和附图对本实用新型做进一步说明。
[0026]实施例1:
[0027]如图1所示，一种电子束熔炼液态硅除氧的装置，包括炉体1，炉体I内设置有中频感应装置，中频感应装置底部安装有与下炉盖通连的翻转机构5，中频感应装置一侧设置带有水冷的导流槽6，该导流槽6自上向下倾斜；位于导流槽6上方的炉体I顶部通连有电子枪7 ;导流槽6的倾泻口下方的炉体I内底部设置有凝固坩埚8。
[0028]其中，中频感应装置包括由内向外的石墨坩埚2、感应线圈3和保温层4。
[0029]导流槽6与水平面之间的倾斜角度为15度。较小的倾斜角度能够保证硅液在导流槽6内得到充分熔炼，保证除氧的效果。
[0030]凝固坩埚8为水冷铜坩埚。对于凝固坩埚8本身来说，既可以采用石墨坩埚，也可以采用石英坩埚，但是在硅液向下浇铸时，容易破碎，且容易带来其它元素杂质的污染；利用带有水冷的铜坩埚，其冷却能力较强，冷却时间较短，无污染，同时能够反复使用，整体成本较低，而且不易损坏。
[0031]实施例2:
[0032]采用实施例1所述的装置，进行电子束熔炼液态硅除氧，按照以下步骤进行:
[0033](I)备料:将氧含量为IOppmw待除氧硅料破碎成粒径小于IOOmm的块体，清洗烘干后装入中频感应装置内；
[0034](2)预处理:对电子束熔炼炉及导流槽6开启冷却水循环，对电子束熔炼炉内进行抽真空处理，抽至0.05Pa以下；并对电子枪7抽真空处理，抽至0.005Pa以下，然后进行预热，设置电子枪7束流为70mA，预热IOmin后，关闭预热；
[0035](3)熔炼提纯:开启中频感应装置，功率调至150KW，使待除氧硅料全部熔化成硅液；关闭中频感应装置，启动翻转机构5，倾斜中频感应装置，使硅液持续的倾倒至导流槽6内，与此同时打开电子枪7，设定电子束束流为800mA，控制电子枪7的电子束能量分布在导流槽6的导流区域内，对向下流动的硅液进行熔炼除氧，最后经导流后流入凝固坩埚8内，当中频感应装置中的硅液全部流至凝固坩埚8后，关闭电子枪7，电子束熔炼炉内部经冷却降温至200°C以下，关闭真空系统，向电子束熔炼炉内充气后开炉取出凝固坩埚8中的硅锭。除氧后的多晶硅经二次离子质谱(SIMS)检测，其氧含量低于二次离子质谱检测极限，即低于 0.0571ppmwo
[0036]实施例3:
[0037]采用实施例1所述的装置，进行电子束熔炼液态硅除氧，按照以下步骤进行:
[0038](I)备料:将氧含量为20ppmw待除氧硅料破碎成粒径小于IOOmm的块体，清洗烘干后装入中频感应装置内；
[0039](2)预处理:对电子束熔炼炉及导流槽6开启冷却水循环，对电子束熔炼炉内进行抽真空处理，抽至0.05Pa以下；并对电子枪7抽真空处理，抽至0.005Pa以下，然后进行预热，设置电子枪7束流为200mA，预热15min后，关闭预热；
[0040](3)熔炼提纯:开启中频感应装置，功率调至250KW，使待除氧硅料全部熔化成硅液；关闭中频感应装置，启动翻转机构5，倾斜中频感应装置，使硅液持续的倾倒至导流槽6内，与此同时打开电子枪7，设定电子束束流为1200mA，控制电子枪7的电子束能量分布在导流槽6的导流区域内，对向下流动的硅液进行熔炼除氧，最后经导流后流入凝固坩埚8内，当中频感应装置中的硅液全部流至凝固坩埚8后，关闭电子枪7，电子束熔炼炉内部经冷却降温至200°C以下，关闭真空系统，向电子束熔炼炉内充气后开炉取出凝固坩埚8中的硅锭。除氧后的多晶硅经二次离子质谱(SIMS)检测，其氧含量低于二次离子质谱检测极限，即低于 0.0571ppmwo
【权利要求】
1.一种电子束熔炼液态硅除氧的装置，包括炉体，其特征在于炉体内设置有中频感应装置，中频感应装置底部安装有与下炉盖通连的翻转机构，中频感应装置一侧设置带有水冷的导流槽，该导流槽自上向下倾斜；位于导流槽上方的炉体顶部通连有电子枪；导流槽的倾泻口下方的炉体内底部设置有凝固坩埚。
2.根据权利要求1所述的电子束熔炼液态硅除氧的装置，其特征在于中频感应装置包括由内向外的石墨坩埚、感应线圈和保温层。
3.根据权利要求1所述的电子束熔炼液态硅除氧的装置，其特征在于导流槽与水平面之间的倾斜角度为5?15度。
4.根据权利要求1所述的电子束熔炼液态硅除氧的装置，其特征在于凝固坩埚为水冷铜坩埚。
【文档编号】C01B33/037GK203699923SQ201320746348
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2013年11月22日 优先权日:2013年11月22日
【发明者】王登科, 安广野, 郭校亮, 姜大川, 谭毅 申请人:青岛隆盛晶硅科技有限公司