本技术：
涉及材料技术领域，特别是涉及一种多壁碳纳米管阵列的制备方法。
背景技术：
碳纳米管的发现，引领人们打开了纳米世界的大门，由于其特殊的结构以及优异的力、热、电性能，在材料科学、纳米电子学、生物学等方面有着十分广泛的应用前景，引起了广泛的科学研究。而垂直排列的碳纳米管阵列由于其高度取向、一致的长径比等优势，更有利于某些性能的发挥，在导热、导电、超强纤维、场发射等方面有着十分重要的工程意义。
现有工艺制备的碳纳米管阵列，通常存在定向性差的技术问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种多壁碳纳米管阵列的制备方法，以克服现有技术中的不足。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本申请实施例公开一种多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：
(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀，制备浓度为0.03～0.04g/ml的混合溶液；
(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面；
(3)、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至800～950℃；
(4)、通入流量为150～200sccm的氢气，保温20～40分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底表面；
(5)、停止通入氢气，炉冷，取出样品。
优选的，在上述的多壁碳纳米管阵列的制备方法中，所述催化剂为铁、钴、镍或其任意组合的合金之一。
优选的，在上述的多壁碳纳米管阵列的制备方法中，所述碳源为二甲苯溶液。
优选的，在上述的多壁碳纳米管阵列的制备方法中，所述衬底为p型或n型硅基底，或选用形成有氧化层的硅基底。
优选的，在上述的多壁碳纳米管阵列的制备方法中，所述保护气体为氩气或氮气。
优选的，在上述的多壁碳纳米管阵列的制备方法中，所述步骤(3)中，在保护气体下，升温至900℃。
与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明所获得的多壁碳纳米管长度在毫米级别，定向性良好，管径平均在80纳米左右，管径分布均匀。
具体实施方式
本发明通过下列实施例作进一步说明：根据下述实施例，可以更好地理解本发明。然而，本领域的技术人员容易理解，实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明，而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
实施例1
1、将二茂铁和二甲苯溶液搅拌均匀，制备浓度为0.035g/ml的混合溶液；
2、将混合溶液涂覆在衬底表面，衬底为p型硅基底；
3、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至900℃；
4、通入流量为150sccm的氢气，保温30分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底表面；
5、停止通入氢气，炉冷，取出样品。
所获得的多壁碳纳米管长度在毫米级别，定向性良好，管径平均在80纳米左右，管径分布均匀。
实施例2
1、将钴和二甲苯溶液搅拌均匀，制备浓度为0.04g/ml的混合溶液；
2、将混合溶液涂覆在衬底表面，衬底为n型硅基底；
3、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至800℃；
4、通入流量为200sccm的氢气，保温30分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底表面；
5、停止通入氢气，炉冷，取出样品。
所获得的多壁碳纳米管长度在毫米级别，定向性良好，管径平均在84纳米左右，管径分布均匀。
实施例3
1、将镍和二甲苯溶液搅拌均匀，制备浓度为0.03g/ml的混合溶液；
2、将混合溶液涂覆在衬底表面，衬底为形成有氧化层的硅基底；
3、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至950℃；
4、通入流量为180sccm的氢气，保温40分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底表面；
5、停止通入氢气，炉冷，取出样品。
所获得的多壁碳纳米管长度在毫米级别，定向性良好，管径平均在78纳米左右，管径分布均匀。
最后，还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。