技术领域：
本发明涉及半导体材料，具体涉及一种磷化铟多晶材料的清洗方法。
背景技术：
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磷化铟(inp)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(gaas)相比，其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此磷化铟晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。在军事上应用于电子对抗、电子战、精确制导、预警探测、卫星通讯、雷达领域。在民事上应用于是无线通讯、光通讯、光信息处理、工业自动控制、医疗器械、激光技术、电子计算机、电子通信、电视广播、红外线科技以及更为先进的微波传导，激光开关，医疗诊断和治疗，及航天事业，生物及数据处理及许多其它领域。
美国贝尔实验室的monberg等人在1980年代中期首先将vgf-垂直温度梯度结晶生长法(温梯法)技术应用于iii-v化合物半导体单晶的生长。该方法因为生长速度较慢，生长过程能保证inp单晶的化学配比，温度梯度很小，晶体所受应力较小，可以生长出位错密度非常低的单晶材料。
采用多温场加热控温技术，使得加热炉形成适合晶体生长的温度梯度，从而使得熔化在竖立坩埚中磷化铟多晶材料由经置于坩埚底部籽晶，缓慢地由下向上结晶放大成所需要的晶体尺寸，因而过程中需要加入磷化铟多晶碎料。但在空气中，磷化铟(inp)材料表面容易被氧化、又有碳等的沾污，这些直接影响由它制作的器件的寿命和其他特性。
技术实现要素：
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本发明的目的是提供一种磷化铟多晶材料的清洗方法。
本发明是通过以下技术方案予以实现的：
一种磷化铟多晶材料的清洗方法，该方法包括以下步骤：
1)先将磷化铟多晶晶锭放入乙醇中浸泡以清洗材料上的尘埃，然后放入温度为60℃丙酮中浸泡3-10分钟，用去离子水冲洗或者用小刷子刷洗去除表面黑胶；然后放入温度为70℃的醋酸中浸泡去除粘胶；接着用#100金钢沙纸去除所有痕迹，磨圆材料边得到粗产品；
2)将步骤1)得到的粗产品放入由氨水、过氧化氢和去离子水组成的混合溶剂中浸泡2小时，取出后用去离子水冲洗，超声波清洗20分钟，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放让甲醇蒸发得到清洗后的磷化铟多晶材料；所述混合溶剂中，氨水的质量分数为28％-35％，过氧化氢的质量分数为30-35％。
本发明的有益效果如下：本发明能在15小时内去除掉磷化铟多晶材料表面杂质，如铁、镁、钙、铜、胶质、涂料等。本发明得到的产品纯度：对重金属清洗洁净度≤10ppm。
具体实施方式：
以下是对本发明的进一步说明，而不是对本发明的限制。
实施例1：
本实施例磷化铟多晶晶锭购自英国厂家iqeeurope晶片公司，其在北京的代理商为北京东方佳气科技有限公司。
磷化铟多晶材料的清洗方法，包括以下步骤：
1)先将磷化铟多晶晶锭放入乙醇中浸泡以清洗材料上的尘埃，然后放入温度为60℃丙酮中浸泡3-10分钟，用去离子水冲洗或者用小刷子刷洗去除表面黑胶；然后放入温度为70℃的醋酸中浸泡去除粘胶；接着用#100金钢沙纸去除所有痕迹，磨圆材料边得到粗产品；
2)将步骤1)得到的粗产品放入由氨水、过氧化氢和去离子水组成的混合溶剂中浸泡2小时，取出后用去离子水冲洗，超声波清洗20分钟，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放让甲醇蒸发得到清洗后的磷化铟多晶材料；所述混合溶剂中，氨水的质量分数为28％-35％，过氧化氢的质量分数为30-35％。
本发明能在15小时内去除掉磷化铟多晶材料表面杂质，如铁、镁、钙、铜、胶质、涂料等。本发明得到的产品纯度：对重金属清洗洁净度≤10ppm。