本发明涉及一种抗紫外辐照低介电损耗al2o3陶瓷及其制造方法，是一种微波介质材料，可用于电子及微波通讯等领域。
背景技术：
al2o3陶瓷是一种重要的介质材料，具有电绝缘性能好、介电常数低、介电损耗低、导热率较高、机械强度较高，以及耐高温、耐磨及耐化学腐蚀等特点，且工艺成熟，成本低廉，在电子、通信、电真空等领域有着广泛的用途。通过适当的掺杂如mgo、tio2等，还可进一步降低其介电损耗、提高其q×f值，使其应用于要求更加苛刻的场合。但是，现在的al2o3陶瓷（包括mgo、tio2等掺杂的al2o3陶瓷）有一个缺点，就是受环境紫外线的影响较明显，在紫外线辐照后，其介电损耗往往大幅提高，q×f值下降，造成性能不稳定。由于紫外线辐照在电子产品制备时常常用到（比如用胶粘接或密封时会用到紫外固化工艺），而产品使用时也可能长期暴露在太阳光下，同样会有紫外线的辐照。因此，提高al2o3陶瓷的抗紫外辐照的能力，对于提高产品的性能的稳定性很有意义。但是到目前为止，还没有抗紫外辐照的al2o3陶瓷的相关文章、专利或产品出现。
技术实现要素：
本发明目的在于提供一种抗紫外辐照低介电损耗al2o3陶瓷及其制造方法，解决现有技术中al2o3陶瓷介电损耗较高同时抗紫外辐照性能差的问题。
为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：以高纯al2o3粉体（>99.95%）作为原料，选用ta2o5作为掺杂物，湿法球磨混合后，在一定温度下干燥，再经研磨、过筛得到混合粉料。将所得粉料干压成型后，放置于电炉中升温至预定温度保温一定的时间,冷却后就得到致密的al2o3陶瓷样品。
上述技术方案的配方：每100gal2o3粉体原料中ta2o5的掺杂量为0.5-1.0g。
上述技术方案的混合工艺参数：球磨时间为12-24h，球磨介质为去离子水和氧化锆球，料：水：球=1:2:3。
上述技术方案的干燥工艺参数：干燥温度为100-120oc。
上述技术方案中的成型和烧结的工艺参数：成型的压力为50-150mpa，烧结温度为1550-1650oc，保温时间为2-4h,升温速度为2-5oc/min，烧结完成后自然冷却，即可得到致密的ta2o5掺杂al2o3陶瓷样品。
按上述方式制备的al2o3陶瓷具有优良的微波介电性能，其介电常数为9.80-9.85，而q×f值可达184000-209000ghz，经紫外灯直接辐照一段时间后，其介电常数和q×f值都基本保持不变。
本发明操作方法简便，生产流程短，所需要的工艺设备也很简单，适合规模化生产。
具体实施方式
实施例1：一种纯al2o3陶瓷，它是通过以下方法制备而成的：取高纯al2o3粉体（>99.95%），加入适量pva粘结剂，在100mpa的压强下干压成直径约16mm、高度约12mm的柱状样品，置于硅钼棒电炉中1600℃下保温4h。
将烧制好的样品取出，洗净烘干后，进行介电性能测试，结果显示：所得的纯al2o3陶瓷样品介电常数为9.80，q×f值为126712ghz（f=10.02ghz)。将样品放置于紫外灯（1kw的碘镓灯）下辐照15min，取出后再进行介电性能测试，结果显示：所得的纯al2o3陶瓷样品介电常数为9.75，q×f值为94538ghz（f=9.95ghz)，q×f值比未辐照前下降约25%。
实施例2：一种抗紫外辐照低介电损耗al2o3陶瓷，它是通过以下方法制备而成的：称取高纯al2o3粉体（>99.95%）分成三份，每份100g，各加入ta2o5粉体0.50g、0.75g、1.00g作为原料，然后分别加入3个球磨罐中，加去离子水和氧化锆磨球进行湿法球磨混合（料：水：球=1:2:3），球磨时间为24h。之后将水抽滤掉，将混合料在100℃的烘箱中干燥后过筛，得到均匀的混合粉料。在混合粉料中加入适量粘结剂，在100mpa的压强下将粉末干压成直径约16mm、高度约12mm的柱状样品，置于硅钼棒电炉中1600℃下保温4h。
将烧制好的样品取出，洗净烘干后，进行介电性能测试，结果显示：所得的ta2o5掺杂al2o3陶瓷样品介电常数分别为9.80、9.82、9.85，q×f值分别为184191ghz（f=10.05ghz)、208905ghz（f=10.10ghz)、191506ghz（f=10.07ghz)。q×f值比纯al2o3样品明显提高（提高45%以上）。将样品放置于紫外灯（1kw的碘镓灯）下辐照15min，取出后再进行介电性能测试，结果显示：所得的ta2o5掺杂al2o3陶瓷样品介电常数为9.83、9.85、9.84，，q×f值分别为185608ghz（f=10.05ghz)、210307ghz（f=10.10ghz)、190301ghz（f=10.07ghz)。与紫外辐照前q×f值无明显变化。