本技术：
涉及微波介质陶瓷的制备方法，特别是一种中介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法。
背景技术：
现有的制作的微波介质陶瓷无法同时满足中介电常数与超高q值两个条件，无法满足现有生产的需求。
技术实现要素：
本发明是为了克服现有技术的不足，提供一种中介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本申请实施例公开了中介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法，包括如下步骤，
s1按照如下摩尔比备料：0.3～0.4碳酸锶、0.05～0.15三氧化二铝、0.28～0.36三氧化二镧、0.15～0.25二氧化钛；
s2将步骤s1中原料混合形成第一微波材料，在所述第一微波材料中加入去离子水与二氧化锆球进行球磨，所述第一微波材料、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.2∶2.5，球磨结束后烘干，然后经过钢丝网筛得到第一粉体；
s3将所述第一粉体煅烧；
s4将煅烧后的第一粉体放入聚酯胺桶，加入去离子水与二氧化锆球，加入聚乙烯醇水溶液作为粘结剂，加入分散剂和脱模剂球磨24h后，进行造粒；
s5把造粒粉体压制成半径13.85mm、厚度6.2mm的小圆片；
s6把压制好的小圆片在1500～1600℃的温度下烧结4～8h得到产品。
优选的，在上述的中介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法中，所述步骤s2中，烘干温度为150±5℃，所述钢丝网筛为200目。
优选的，在上述的中介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法中，所述步骤s3中，煅烧温度为1350～1400℃，煅烧时间为5h。
优选的，在上述的中介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法中，所述步骤s4中，煅烧后的第一粉体、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.0∶2.5。
优选的，在上述的中介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法中，所述步骤s5中，所述小圆片的成型密度为3.30±0.10g/cm3。
本发明的有益效果是得到的微波介质陶瓷介电常数40.0±1.0，且品质因数≥100000ghz。
具体实施方式
下面将详细阐述本发明优选的实施方式。
前期准备原料：碳酸锶、三氧化二铝、三氧化二镧、二氧化钛的纯度均为99.99％以上，纳米级。
实施例1
s1按照如下摩尔比备料：0.35碳酸锶、0.08三氧化二铝、0.32三氧化二镧、0.16二氧化钛；
s2将步骤s1中原料混合形成第一微波材料，在第一微波材料中加入去离子水与二氧化锆球进行球磨，第一微波材料、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.2∶2.5，球磨结束后烘干，烘干温度为150℃，然后经过200目钢丝网筛得到第一粉体；
s3将第一粉体煅烧，煅烧温度为1380℃，煅烧时间为5h；
s4将煅烧后的第一粉体放入聚酯胺桶，加入去离子水与二氧化锆球，煅烧后的第一粉体、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.0∶2.5，加入聚乙烯醇水溶液作为粘结剂，加入分散剂和脱模剂球磨24h后，进行造粒；
s5把造粒粉体压制成半径13.85mm、厚度6.2mm、成型密度为3.33g/cm3的小圆片；
s6把压制好的小圆片在1550℃的温度下烧结7h得到产品。
实施例2
s1按照如下摩尔比备料：0.38碳酸锶、0.12三氧化二铝、0.29三氧化二镧、0.20二氧化钛；
s2将步骤s1中原料混合形成第一微波材料，在第一微波材料中加入去离子水与二氧化锆球进行球磨，第一微波材料、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.2∶2.5，球磨结束后烘干，烘干温度为155℃，然后经过200目钢丝网筛得到第一粉体；
s3将第一粉体煅烧，煅烧温度为1400℃，煅烧时间为5h；
s4将煅烧后的第一粉体放入聚酯胺桶，加入去离子水与二氧化锆球，煅烧后的第一粉体、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.0∶2.5，加入聚乙烯醇水溶液作为粘结剂，加入分散剂和脱模剂球磨24h后，进行造粒；
s5把造粒粉体压制成半径13.85mm、厚度6.2mm、成型密度为3.38g/cm3的小圆片；
s6把压制好的小圆片在1600℃的温度下烧结8h得到产品。
实施例3
s1按照如下摩尔比备料：0.32碳酸锶、0.06三氧化二铝、0.35三氧化二镧、0.16二氧化钛；
s2将步骤s1中原料混合形成第一微波材料，在第一微波材料中加入去离子水与二氧化锆球进行球磨，第一微波材料、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.2∶2.5，球磨结束后烘干，烘干温度为146℃，然后经过200目钢丝网筛得到第一粉体；
s3将第一粉体煅烧，煅烧温度为1360℃，煅烧时间为5h；
s4将煅烧后的第一粉体放入聚酯胺桶，加入去离子水与二氧化锆球，煅烧后的第一粉体、去离子水、二氧化锆球的质量比为1∶1.0∶2.5，加入聚乙烯醇水溶液作为粘结剂，加入分散剂和脱模剂球磨24h后，进行造粒；
s5把造粒粉体压制成半径13.85mm、厚度6.2mm、成型密度为3.22g/cm3的小圆片；
s6把压制好的小圆片在1520℃的温度下烧结5h得到产品。
将实施例1-3进行性能测试，所用仪器型号为e5071c，测试腔体为φ30×t28mm的镀银铝腔，其各项数据如下：
本实施方式只是对本专利的示例性说明而并不限定它的保护范围，本领域人员还可以对其进行局部改变，只要没有超出本专利的精神实质，都视为对本专利的等同替换，都在本专利的保护范围之内。