一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷及其制作工艺的制作方法

文档序号:16641220发布日期:2019-01-16 07:34阅读:277来源:国知局

本发明属于长余辉瓷器制备领域,具体涉及一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷及其制作工艺。



背景技术:

长余辉材料俗称夜光粉,属于光致发光材料的一种,是指经日光和长波紫外线等光源的段时间照射,关闭光源后,仍可在很长一段时间内持续发光的材料,长余辉材料作为一种储能、节能的“绿色光源材料”,在能源日益短缺的今天越来越受到人们的重视,目前,长余辉材料制品由发光涂料、油漆、发光油墨、发光釉料、发光塑料、发光橡胶、发光皮革、发光玻璃、发光陶瓷、发光装饰、发光工艺品等。

由长余辉材料制成的发光陶瓷是当下流行的一种陶瓷制品,将长余辉材料与其他原料制成釉水,涂覆于陶瓷坯体上,再进行烧制,即可制成发光陶瓷,通过长余辉材料制成的釉水,其烧结温度必须低于820℃才能达到长余辉材料的发光效果,但是降低烧结温度,容易导致烧制的发光陶瓷的釉面龟裂,降低发光陶瓷的美观性,影响其销售,有待进一步改进。



技术实现要素:

本发明的目的是克服现有技术的缺点,提供一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷,另一目的是提供一种制作上述长余辉陶瓷的方法。

本发明采用如下技术方案:

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷,包括坯体和釉料;

所述釉料包括以下重量份的原料:低温釉水1份、铝酸盐长余辉材料22-28份;

所述低温釉水包括以下重量份的原料:澳大利亚锂辉石18-22份、滑石9-13份、石灰石5-7份、硼砂10-15份、硼酸28-32份、德化石英15-20份、夕线石8-12份、高岭土1-5份、氧化锌1-3份;

且低温釉水的化学组成如下:li2o:1.4-1.6%、na2o:1.9-2.4%、cao:4.1-4.9%、mgo:4.3-5.3%、zno:2.1-2.5%、al2o3:5.6-6.9%、sio2:45.9-53.1%、b2o3:26.1-31.9%。

进一步的,所述铝酸盐长余辉材料的化学式为:sral2o4:eu,dy。

进一步的,所述坯体包括以下重量份的原料:德化粘土30-35份、德化紫木节土6-10份、德化低温石28-32份、福建永安钠长石25-35份、紫苏辉石20-25份、海泡石12-15份、角闪岩10-15份、变粒岩6-10份。

进一步的,所述低温釉水的化学组成如下:li2o:1.5%、na2o:2.2%、cao:4.5%、mgo:4.8%、zno:2.3%、al2o3:6.3%、sio2:49.4%、b2o3:29%。

以上任一项所述的一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷的制作工艺,包括如下步骤:

(1)按坯体的原料配方称重配料,原料粉碎、过筛、混合、湿法球磨,制得坯浆;

(2)将低温釉水配方中的澳大利亚锂辉石、滑石、石灰石、硼砂、硼酸、德化石英、夕线石、氧化锌投入熔炼炉中,在1180-1220℃下熔炼成熔块,熔块淬水后与高岭土湿法球磨,制得低温釉水;

(3)往步骤(2)制得的低温釉水中加入铝酸盐长余辉材料,搅拌均匀,制得釉料;

(4)使用步骤(1)制得的坯浆制成陶瓷坯体;

(5)将陶瓷坯体放入窑炉中,在1180-1220℃下素烧7-9h,获得陶瓷素坯;

(6)在陶瓷素坯表面施步骤(3)制得的釉料;

(7)待陶瓷素坯表面的釉料干燥后放入窑炉中,在氧化气氛中烧制成型,烧成温度为790-810℃,烧成时间5.5-6.5h。

进一步的,所述步骤(6)中,釉料的施釉方式为喷釉。

进一步的,所述釉料的浓度为45-55be。

进一步的,所述步骤(1)中坯浆湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨20-24小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.2-1.5:0.8-1。

进一步的,所述步骤(2)中低温釉水湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨42-48小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.5-1.8:1.8-2。

进一步的,所述釉料的厚度为0.3-0.5mm。

由上述对本发明的描述可知,与现有技术相比,本发明的有益效果是:低温釉水的原料组成的澳大利亚锂辉石、夕线石的热膨胀系数极小,通过二者的配合可降低釉料的热膨胀系数,使其热膨胀系数小于坯体的热膨胀系数,同时制作低温釉水时,先将澳大利亚锂辉石、夕线石、滑石、石灰石、硼酸、硼砂、石英和氧化锌先煅烧制成熔块,再制成低温釉水与铝酸盐长余辉材料配合使用,煅烧制成的熔块可有效降低釉料的烧成温度,保证釉料的烧结温度在790-810℃之间,保证釉料中的长余辉材料的发光效果;

陶瓷坯体先在1200℃左右进行素烧,使烧成的陶瓷素坯的吸水率在0.5-1%、热膨胀系数在3.2*10-6-3.4*10-6之间,而釉料的热膨胀系数在1.6*10-6-1.8*10-6之间,即坯体热膨胀系数大于釉料热膨胀系数的1*10-6左右,有效保证了釉料在陶瓷素坯表面结合良好,保证制得的长余辉瓷器的釉面不龟裂;

长余辉陶瓷的发光原理:当陶瓷受到可见光或紫外线照射时,eu2+可获得电子变为eu+,dy3+生成dy4+,停止激发后,则发生与上述相反的过程,电子跃迁导致eu特征发光。

具体实施方式

以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷,包括坯体和釉料;

釉料包括以下重量份的原料:低温釉水1份、铝酸盐长余辉材料22-28份。

坯体包括以下重量份的原料:德化粘土30-35份、德化紫木节土6-10份、德化低温石28-32份、福建永安钠长石25-35份、紫苏辉石20-25份、海泡石12-15份、角闪岩10-15份、变粒岩6-10份。

低温釉水包括以下重量份的原料:澳大利亚锂辉石18-22份、滑石9-13份、石灰石5-7份、硼砂10-15份、硼酸28-32份、德化石英15-20份、夕线石8-12份、高岭土1-5份、氧化锌1-3份。

且低温釉水的化学组成如下:li2o:1.4-1.6%、na2o:1.9-2.4%、cao:4.1-4.9%、mgo:4.3-5.3%、zno:2.1-2.5%、al2o3:5.6-6.9%、sio2:45.9-53.1%、b2o3:26.1-31.9%。

具体的,铝酸盐长余辉材料的化学式为:sral2o4:eu,dy。

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷的制作工艺,包括如下步骤:

(1)按坯体的原料配方称重配料,原料粉碎、过筛、混合、湿法球磨,制得坯浆;

(2)将低温釉水配方中的澳大利亚锂辉石、滑石、石灰石、硼砂、硼酸、德化石英、夕线石、氧化锌投入熔炼炉中,在1180-1220℃下熔炼成熔块,熔块淬水后与高岭土湿法球磨,制得低温釉水;

(3)往步骤(2)制得的低温釉水中加入铝酸盐长余辉材料,搅拌均匀,制得釉料;

(4)使用步骤(1)制得的坯浆制成陶瓷坯体;

(5)将陶瓷坯体放入窑炉中,在1180-1220℃下素烧7-9h,获得陶瓷素坯;

(6)在陶瓷素坯表面施步骤(3)制得的釉料;

(7)待陶瓷素坯表面的釉料干燥后放入窑炉中,在氧化气氛中烧制成型,烧成温度为790-810℃,烧成时间5.5-6.5h。

其中,步骤(6)中,釉料的施釉方式为喷釉。

釉料的浓度为45-55be。

釉料的厚度为0.3-0.5mm。

步骤(1)中坯浆湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨20-24小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.2-1.5:0.8-1。

步骤(2)中低温釉水湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨42-48小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.5-1.8:1.8-2。

实施例1

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷,包括坯体和釉料;

釉料包括以下重量份的原料:低温釉水1份、铝酸盐长余辉材料22份。

坯体包括以下重量份的原料:德化粘土35份、德化紫木节土6份、德化低温石32份、福建永安钠长石25份、紫苏辉石20份、海泡石15份、角闪岩10份、变粒岩10份。

低温釉水包括以下重量份的原料:澳大利亚锂辉石18份、滑石13份、石灰石7份、硼砂10份、硼酸32份、德化石英15份、夕线石12份、高岭土1份、氧化锌3份。

且低温釉水的化学组成如下:li2o:1.4%、na2o:1.9%、cao:4.1%、mgo:5.3%、zno:2.5%、al2o3:5.6%、sio2:53.1%、b2o3:26.1%。

具体的,铝酸盐长余辉材料的化学式为:sral2o4:eu,dy。

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷的制作工艺,包括如下步骤:

(1)按坯体的原料配方称重配料,原料粉碎、过筛、混合、湿法球磨,制得坯浆;

(2)将低温釉水配方中的澳大利亚锂辉石、滑石、石灰石、硼砂、硼酸、德化石英、夕线石、氧化锌投入熔炼炉中,在1180℃下熔炼成熔块,熔块淬水后与高岭土湿法球磨,制得低温釉水;

(3)往步骤(2)制得的低温釉水中加入铝酸盐长余辉材料,搅拌均匀,制得釉料;

(4)使用步骤(1)制得的坯浆制成陶瓷坯体;

(5)将陶瓷坯体放入窑炉中,在1180℃下素烧9h,获得陶瓷素坯;

(6)在陶瓷素坯表面施步骤(3)制得的釉料;

(7)待陶瓷素坯表面的釉料干燥后放入窑炉中,在氧化气氛中烧制成型,烧成温度为810℃,烧成时间5.5h。

其中,步骤(6)中,釉料的施釉方式为喷釉。

釉料的浓度为45be。

釉料的厚度为0.5mm。

步骤(1)中坯浆湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨24小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.2:1。

步骤(2)中低温釉水湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨42小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.8:2。

实施例2

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷,包括坯体和釉料;

釉料包括以下重量份的原料:低温釉水1份、铝酸盐长余辉材料28份。

坯体包括以下重量份的原料:德化粘土30份、德化紫木节土10份、德化低温石28份、福建永安钠长石35份、紫苏辉石25份、海泡石12份、角闪岩15份、变粒岩6份。

低温釉水包括以下重量份的原料:澳大利亚锂辉石22份、滑石9份、石灰石5份、硼砂15份、硼酸28份、德化石英20份、夕线石8份、高岭土5份、氧化锌1份。

且低温釉水的化学组成如下:li2o:1.6%、na2o:2.4%、cao:4.9%、mgo:4.3%、zno:2.1%、al2o3:6.9%、sio2:45.9%、b2o3:31.9%。

具体的,铝酸盐长余辉材料的化学式为:sral2o4:eu,dy。

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷的制作工艺,包括如下步骤:

(1)按坯体的原料配方称重配料,原料粉碎、过筛、混合、湿法球磨,制得坯浆;

(2)将低温釉水配方中的澳大利亚锂辉石、滑石、石灰石、硼砂、硼酸、德化石英、夕线石、氧化锌投入熔炼炉中,在1220℃下熔炼成熔块,熔块淬水后与高岭土湿法球磨,制得低温釉水;

(3)往步骤(2)制得的低温釉水中加入铝酸盐长余辉材料,搅拌均匀,制得釉料;

(4)使用步骤(1)制得的坯浆制成陶瓷坯体;

(5)将陶瓷坯体放入窑炉中,在1220℃下素烧7h,获得陶瓷素坯;

(6)在陶瓷素坯表面施步骤(3)制得的釉料;

(7)待陶瓷素坯表面的釉料干燥后放入窑炉中,在氧化气氛中烧制成型,烧成温度为790℃,烧成时间6.5h。

其中,步骤(6)中,釉料的施釉方式为喷釉。

釉料的浓度为55be。

釉料的厚度为0.3mm。

步骤(1)中坯浆湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨20小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.5:0.8。

步骤(2)中低温釉水湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨48小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.5:1.8。

实施例3

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷,包括坯体和釉料;

釉料包括以下重量份的原料:低温釉水1份、铝酸盐长余辉材料25份。

坯体包括以下重量份的原料:德化粘土32份、德化紫木节土8份、德化低温石30份、福建永安钠长石30份、紫苏辉石22份、海泡石13份、角闪岩12份、变粒岩8份。

低温釉水包括以下重量份的原料:澳大利亚锂辉石20份、滑石11份、石灰石6份、硼砂13份、硼酸30份、德化石英18份、夕线石10份、高岭土3份、氧化锌2份。

且低温釉水的化学组成如下:li2o:1.5%、na2o:2.2%、cao:4.5%、mgo:4.8%、zno:2.3%、al2o3:6.3%、sio2:49.4%、b2o3:29%。

具体的,铝酸盐长余辉材料的化学式为:sral2o4:eu,dy。

一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷的制作工艺,包括如下步骤:

(1)按坯体的原料配方称重配料,原料粉碎、过筛、混合、湿法球磨,制得坯浆;

(2)将低温釉水配方中的澳大利亚锂辉石、滑石、石灰石、硼砂、硼酸、德化石英、夕线石、氧化锌投入熔炼炉中,在1200℃下熔炼成熔块,熔块淬水后与高岭土湿法球磨,制得低温釉水;

(3)往步骤(2)制得的低温釉水中加入铝酸盐长余辉材料,搅拌均匀,制得釉料;

(4)使用步骤(1)制得的坯浆制成陶瓷坯体;

(5)将陶瓷坯体放入窑炉中,在1200℃下素烧8h,获得陶瓷素坯;

(6)在陶瓷素坯表面施步骤(3)制得的釉料;

(7)待陶瓷素坯表面的釉料干燥后放入窑炉中,在氧化气氛中烧制成型,烧成温度为800℃,烧成时间6h。

其中,步骤(6)中,釉料的施釉方式为喷釉。

釉料的浓度为50be。

釉料的厚度为0.4mm。

步骤(1)中坯浆湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨22小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.3:0.9。

步骤(2)中低温釉水湿法球磨时,原料在球磨机中湿法研磨45小时,研磨介质为水,原料:球:水=1:1.6:1.9。

对三个实施例在同一条件下进行试验,获得如下的性能参数:

表1各实施例的性能参数表

综上所述:陶瓷坯体先在1200℃左右进行素烧,使烧成的陶瓷素坯的吸水率在0.5-1%、热膨胀系数在3.2*10-6-3.4*10-6之间,而釉料的热膨胀系数在1.6*10-6-1.8*10-6之间,即坯体热膨胀系数大于釉料热膨胀系数的1*10-6左右,有效保证了釉料在陶瓷素坯表面结合良好,保证制得的长余辉瓷器的釉面不龟裂。

低温釉水的原料组成的澳大利亚锂辉石、夕线石的热膨胀系数极小,通过二者的配合可降低釉料的热膨胀系数,使其热膨胀系数小于坯体的热膨胀系数,同时制作低温釉水时,先将澳大利亚锂辉石、夕线石、滑石、石灰石、硼砂、硼砂、石英和氧化锌先煅烧制成熔块,再制成低温釉水与铝酸盐长余辉材料配合使用,煅烧制成的熔块可有效降低釉料的烧成温度,保证釉料的烧结温度在790-810℃之间,保证釉料中的长余辉材料的发光效果。

以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,故不能以此限定本发明实施的范围,即依本发明申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰,皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。

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