一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构的制作方法

本实用新型属于单晶炉技术领域，具体涉及一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构。

背景技术：

准单晶铸锭炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,是基于准单晶铸锭炉的工艺生长无错位单晶的设备，准单晶（Mono Like）是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片，这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术，其功耗只比普通多晶硅多，所生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅，简单地说，这种技术就是用多晶硅的成本，生产单晶硅的技术，当下量产的准单晶技术大部分为有籽晶铸锭，这种技术先把籽晶、硅料掺杂元素放置在坩埚中，籽晶一般位于坩埚底部，再加热融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降温，调节固液相的温度梯度，确保单晶从籽晶位置开始生长，这种技术的难点在于确保在熔化硅料阶段，籽晶不被完全融化，还有控制好温度梯度的分布，这个是提高晶体生长速度和晶体质量的关键，为了满足准单晶对于温度梯度的工艺要求，需要在炉内达到1450摄氏度的情况下打开风门，来进行逐渐降温的过程，而准单晶铸锭炉在运行时，石墨坩埚可能会出现意外破裂，发生硅液溢流事故，硅液溢流会对准单晶铸锭炉内部结构造成腐蚀污染，破坏下炉体内相应的装配支撑部件，给炉体的使用带来安全隐患。

技术实现要素：

本实用新型为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构。

本实用新型是通过如下技术方案实现的：

一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构，包括下炉底外壳、支撑座和支撑柱，所述下炉底外壳内装配水冷盘的支撑座和用于支撑DS块的各支撑柱分别置于下炉底外壳底部的防护套座内，下炉底外壳底部和防护套座内分别铺设填充有溢流棉。

进一步，所述支撑柱为石墨支柱。

进一步，所述下炉底外壳内相邻的支撑座和支撑柱位于同一防护套座内。

本实用新型的有益效果是：结构简单，使用方便，防护套座对溢流至下炉底外壳底部硅液起到防护作用，避免溢流液对下炉底外壳内底部的各支撑装配件造成腐蚀，且下炉底外壳铺设的溢流棉能够防止溢流液对炉体底部造成污染。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

附图1为本实用新型的结构示意图。

图中，1下炉底外壳，2水冷盘，3 DS块，4支撑座，5支撑柱，6溢流棉，7防护套座。

具体实施方式

附图1为本实用新型的一种具体实施例。该实用新型一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构，包括下炉底外壳1、支撑座4和支撑柱5，所述下炉底外壳1内装配水冷盘2的支撑座4和用于支撑DS块3的各支撑柱5分别置于下炉底外壳1底部的防护套座7内，下炉底外壳1底部和防护套座7内分别铺设填充有溢流棉6。

进一步，所述支撑柱5为石墨支柱。

进一步，所述下炉底外壳1内相邻的支撑座4和支撑柱5位于同一防护套座7内。

该实用新型一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构，使用发生溢流时，当溢流液流至下炉底外壳1底部时，防护套座7对溢流至下炉底外壳1底部硅液起到防护作用，避免溢流液对下炉底外壳1内底部的各支撑装配件造成腐蚀，且下炉底外壳1铺设的溢流棉6能够防止溢流液对炉体底部造成污染。

本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应得知在本实用新型的启示下作出的与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。

本实用新型未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。