一种晶体生长坩埚的制作方法

本实用新型涉及一种晶体生长坩埚。

背景技术：

铌酸锂(linbo3，简称ln)晶体生长一般采用提拉法生长。在单晶炉膛中间放置生长坩埚，坩埚内装有铌酸锂原料，盖上炉盖，升温将铌酸锂原料熔化，再将溶体温度降至凝固点，在溶体液面上方徐徐降下一颗旋转着的铌酸锂籽晶，直至接触到液面，继续降低溶体温度同时慢慢提拉（0.5-5mm/hr）铌酸锂籽晶，溶体原料不断地在籽晶上结晶长大，一段时间后，可生长出大块单晶体。由于温场限制以及考虑晶体质量，一般情况下不让坩埚中所有的溶体原料全部结晶，剩留一部分熔体原料，快速提升籽晶杆，将大块单晶体与熔体脱离开，结束晶体生长过程，开始缓慢降低单晶炉的温度至常温。

由于生长铌酸锂单晶用铂坩埚，为了减少资金占用比较大的问题，尽量采用薄壁坩埚。但在单晶炉降温过程，过薄的坩埚会受到熔体剩料无规则结晶的挤压而形变，从而导致下一炉温场改变，甚至无法生长合格晶体。

技术实现要素：

本实用新型其目的就在于提供一种晶体生长坩埚，解决了现有坩埚在单晶炉降温过程中，过薄的坩埚会受到熔体剩料无规则结晶的挤压而形变，从而导致下一炉温场改变，甚至无法生长合格晶体的问题。

为实现上述目的而采取的技术方案是，一种晶体生长坩埚，包括外层坩埚，所述外层坩埚内同心设置有一个或多个内层坩埚，所述外层坩埚包括坩埚壁和坩埚底，所述内层坩埚为圆筒形或波浪圆筒形结构，所述内层坩埚的外侧均匀设有多个定位卡，内层坩埚焊接于坩埚底上端。

有益效果

与现有技术相比本实用新型具有以下优点。

本实用新型的优点是，解决了现有坩埚在单晶炉降温过程中，过薄的坩埚会受到熔体剩料无规则结晶的挤压而形变，从而导致下一炉温场改变，甚至无法生长合格晶体的问题，具有节约资金占用，且外层坩埚变形小，使用寿命长的特点。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的结构俯视图；

图3为本实用新型中内层坩埚为2个的结构俯视图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进行详细说明。

一种晶体生长坩埚，包括外层坩埚1，如图1-3所示，所述外层坩埚1内同心设置有一个或多个内层坩埚2，所述外层坩埚1包括坩埚壁11和坩埚底12，所述内层坩埚2为圆筒形或波浪圆筒形结构，所述内层坩埚2的外侧均匀设有多个定位卡3，内层坩埚2焊接于坩埚底12上端。

所述内层坩埚2的高度小于外层坩埚1的高度，以外层坩埚1高度的1/10~1/4为佳。

本实用新型中，包括外层坩埚1、以及一个或多个内层坩埚2，外层坩埚1和内层坩埚2均采用铂材质，外层坩埚1包括坩埚壁11和坩埚底12，外层坩埚1内同心设置内层坩埚2，内层坩埚2置于外层坩埚1的坩埚底12上，内层坩埚2为圆筒形或波浪圆筒形结构，内层坩埚2的高度小于外层坩埚1的高度，以外层坩埚1高度的1/10~1/4为佳，内层坩埚2可以焊接于坩埚底12上，内层坩埚2的圆筒外沿设置有多个定位卡3。

技术特征：

1.一种晶体生长坩埚，包括外层坩埚（1），其特征在于，所述外层坩埚（1）内同心设置有一个或多个内层坩埚（2），所述外层坩埚（1）包括坩埚壁（11）和坩埚底（12），所述内层坩埚（2）为圆筒形或波浪圆筒形结构，所述内层坩埚（2）的外侧均匀设有多个定位卡（3），内层坩埚（2）焊接于坩埚底（12）上端。

2.根据权利要求1所述的一种晶体生长坩埚，其特征在于，所述内层坩埚（2）的高度小于外层坩埚（1）的高度，以外层坩埚（1）高度的1/10~1/4为佳。

技术总结
一种晶体生长坩埚，包括外层坩埚，所述外层坩埚内同心设置有一个或多个内层坩埚，所述外层坩埚包括坩埚壁和坩埚底，所述内层坩埚为圆筒形或波浪圆筒形结构，所述内层坩埚的外侧均匀设有多个定位卡，内层坩埚焊接于坩埚底上端。该坩埚的优点是外层坩埚可以为薄壁坩埚，节约资金占用，且外层坩埚变形小，使用寿命长。

技术研发人员：夏钰坤;夏宗仁
受保护的技术使用者：江西匀晶光电技术有限公司
技术研发日：2019.05.13
技术公布日：2020.04.07