一种大型还原炉底盘的制作方法

文档序号:20471102发布日期:2020-04-21 18:03阅读:346来源:国知局
一种大型还原炉底盘的制作方法

本实用新型涉及改良西门子法生产多晶硅领域,具体涉及一种大型还原炉底盘。



背景技术:

改良西门子法生产多晶硅是国内、国际上生产多晶硅的主流成熟工艺,其中还原炉是该工艺的核心设备,还原电耗占多晶硅生产电耗的65%左右,所以还原炉的性能往往决定了多晶硅生产工艺的先进性。目前国内主要采用36对棒、40对棒还原炉生产多晶硅,这些炉型的产量相对较低,且能耗也相对较高,而部分更为大型的还原炉在实际使用中,又因为炉内的热场、气场分布不均匀等,导致雾化严重,物耗能耗增加。

因此为解决上述问题,开发更大型,更节能、更合理的还原炉已经迫在眉睫,对还原反应过程中产生的各种热量进行整合,合理的进行底盘布置,进一步降低还原炉运行成本参数,提升国内多晶硅行业竞争力。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服上述不足,提供了一种大型还原炉底盘,以解决现有还原炉产量低,电耗高,热场不均匀,雾化严重等问题。

本实用新型的目的是这样实现的:

一种大型还原炉底盘,包括电极孔、进料喷嘴和尾气孔,所述电极孔、进料喷嘴和尾气孔与底盘法兰、底盘面板等共同组合成还原炉底盘,所述进料喷嘴包括一个内进料喷嘴和四圈进料喷嘴,所述内进料喷嘴位于底盘的中心,所述四圈进料喷嘴呈环形分布于底盘上面,所述电极孔沿底盘中心向外依次设有7圈电极孔,内4圈电极孔相互关系呈正六边形分布,外3圈电极孔相互关系呈同心圆,所述尾气孔位于底盘最外侧。

优选的,所述四圈进料喷嘴从内向外的次序为第一进料喷嘴、第二进料喷嘴、第三进料喷嘴和第四进料喷嘴,所述第一进料喷嘴数量为6个,所述第二进料喷嘴数量为6个,所述第三进料喷嘴数量为12个,所述第四进料喷嘴数量为12个。

优选的,所述7圈电极孔分别为第一电极孔、第二电极孔、第三电极孔、第四电极孔、第五电极孔、第六电极孔、第七电极孔,所述第一电极孔数量为6个,第二电极孔数量为6个,第三电极孔数量为12个,第四电极孔数量为12个,第五电极孔数量为28个,第六电极孔数量为36个,第七电极孔数量为44个。

优选的,内4圈的电极孔在安装硅芯横梁时,采用跨圈相邻的两个电极孔搭接,外3圈的电极孔采用同圈的相邻两个电极孔搭接。

优选的,相邻电极孔距离为200mm-250mm。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型对还原反应过程中产生的各种热量进行整合,合理利用硅棒间的热辐射,冷热物料的热传导,有效控制雾化,提升多晶硅一次转化率至11%~12%;提升多晶硅沉积速度至160~180kg/h,降低还原电耗至35kw/kg-si,大幅降低多晶硅生产成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

其中:底盘1;第七电极孔2;尾气孔3;第四进料喷嘴4;第六电极孔5;第五电极孔6;第三进料喷嘴7;第四电极孔8;第二进料喷嘴9;第三电极孔10;第二电极孔11;第一进料喷嘴12;内进料喷嘴13;第一电极孔14。

具体实施方式

参见图1,本实用新型涉及一种大型还原炉底盘,包括电极孔、进料喷嘴和尾气孔3,所述电极孔、进料喷嘴和尾气孔与底盘法兰、底盘面板等共同组合成还原炉底盘,所述进料喷嘴包括一个内进料喷嘴13和四圈进料喷嘴,所述内进料喷嘴13位于底盘1的中心,所述四圈进料喷嘴呈环形分布于底盘1上面,所述电极孔沿底盘1中心向外依次设有7圈电极孔,内4圈电极孔相互关系呈正六边形分布,外3圈电极孔相互关系呈同心圆,所述尾气孔3位于底盘1最外侧,环形均布有8个。

所述7圈电极孔分别为第一电极孔14、第二电极孔11、第三电极孔10、第四电极孔8、第五电极孔6、第六电极孔5、第七电极孔2。底盘1上的电极孔总数为144个,其中第一电极孔14数量为6个,第二电极孔11数量为6个,第三电极孔10数量为12个,第四电极孔8数量为12个,第五电极孔6数量为28个,第六电极孔5数量为36个,第七电极孔2数量为44个。

所述四圈进料喷嘴从内向外的次序为第一进料喷嘴12、第二进料喷嘴9、第三进料喷嘴7和第四进料喷嘴4,所述第一进料喷嘴12数量为6个,位于第一电极孔14、第二电极孔11、第三电极孔10组成的正六边形中心;所述第二进料喷嘴9数量为6个,位于第三电极孔10和第四电极孔8两圈电极孔中间;所述第三进料喷嘴7数量为12个,位于第五电极孔6和第六电极孔5两圈电极孔中间;所述第四进料喷嘴4数量为12个,位于第六电极孔5和第七电极孔2两圈电极孔中间。

内4圈的电极孔在安装硅芯横梁时,采用跨圈相邻的两个电极孔搭接,外3圈的电极孔采用同圈的相邻两个电极孔搭接。

相邻电极孔距离(电极间距)采用230mm,并可在200mm-250mm范围内调整。

除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。



技术特征:

1.一种大型还原炉底盘,包括电极孔、进料喷嘴和尾气孔(3),所述电极孔、进料喷嘴和尾气孔与底盘法兰、底盘面板等共同组合成还原炉底盘,其特征在于:所述进料喷嘴包括一个内进料喷嘴(13)和四圈进料喷嘴,所述内进料喷嘴(13)位于底盘(1)的中心,所述四圈进料喷嘴呈环形分布于底盘(1)上面,所述电极孔沿底盘(1)中心向外依次设有7圈电极孔,内4圈电极孔相互关系呈正六边形分布,外3圈电极孔相互关系呈同心圆,所述尾气孔(3)位于底盘(1)最外侧。

2.根据权利要求1所述的一种大型还原炉底盘,其特征在于:所述四圈进料喷嘴从内向外的次序为第一进料喷嘴(12)、第二进料喷嘴(9)、第三进料喷嘴(7)和第四进料喷嘴(4),所述第一进料喷嘴(12)数量为6个,所述第二进料喷嘴(9)数量为6个,所述第三进料喷嘴(7)数量为12个,所述第四进料喷嘴(4)数量为12个。

3.根据权利要求1所述的一种大型还原炉底盘,其特征在于:所述7圈电极孔分别为第一电极孔(14)、第二电极孔(11)、第三电极孔(10)、第四电极孔(8)、第五电极孔(6)、第六电极孔(5)、第七电极孔(2),所述第一电极孔(14)数量为6个,第二电极孔(11)数量为6个,第三电极孔(10)数量为12个,第四电极孔(8)数量为12个,第五电极孔(6)数量为28个,第六电极孔(5)数量为36个,第七电极孔(2)数量为44个。

4.根据权利要求1所述的一种大型还原炉底盘,其特征在于:内4圈的电极孔在安装硅芯横梁时,采用跨圈相邻的两个电极孔搭接,外3圈的电极孔采用同圈的相邻两个电极孔搭接。

5.根据权利要求4所述的一种大型还原炉底盘,其特征在于:相邻电极孔距离为200mm-250mm。


技术总结
本实用新型涉及一种大型还原炉底盘,包括电极孔、进料喷嘴和尾气孔,所述电极孔、进料喷嘴和尾气孔与底盘法兰、底盘面板等共同组合成还原炉底盘,所述进料喷嘴包括一个内进料喷嘴和四圈进料喷嘴,所述内进料喷嘴位于底盘的中心,所述四圈进料喷嘴呈环形分布于底盘上面,所述电极孔沿底盘中心向外依次设有7圈电极孔,内4圈电极孔相互关系呈正六边形分布,外3圈电极孔相互关系呈同心圆,所述尾气孔位于底盘最外侧。本实用新型对还原反应过程中产生的各种热量进行整合,合理利用硅棒间的热辐射,冷热物料的热传导,有效控制雾化,提升多晶硅一次转化率至11%~12%;提升多晶硅沉积速度至160~180kg/h,降低还原电耗至35kw/kg‑Si,大幅降低多晶硅生产成本。

技术研发人员:赵建;盛斌;朱敏
受保护的技术使用者:江苏双良新能源装备有限公司
技术研发日:2019.07.05
技术公布日:2020.04.21
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