1.本发明属于硅单晶制备技术领域，尤其是涉及一种取段结晶工艺。
背景技术：
2.现有的技术只能实现一部分自动化功能，只能自动将单晶提升至副室中，并不能自动下降坩埚，不能自动设定晶转、埚转，不能预制结晶功率，这些都需要手动操作，如果操作人员技能不熟练，没有及时降晶转，单晶炉会以断苞时的大晶转提升单晶，取段过程中会增加绞钢缆掉单晶风险；如果操作人员没有及时下降坩埚，可能会出现喷硅，造成生产异常；如果操作人员没有及时给定结晶功率，会导致温度偏高，无法满足复投条件，出现工时浪费的情况。
技术实现要素：
3.鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种取段结晶工艺，应用于直拉单晶取段复投阶段结晶时，自动化进行坩埚的位置、坩埚的转速、单晶的转速和结晶功率的调节，自动化程度高，降低操作人员的劳动强度，提高生产效率。
4.为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种取段结晶工艺，包括以下步骤，
5.下降坩埚；
6.降低单晶转速与坩埚转速；
7.预制结晶功率，控制坩埚内硅溶液的温度，便于复投原料熔化结晶。
8.进一步的，下降坩埚步骤中坩埚的下降距离为30-50mm。
9.进一步的，降低单晶转速与坩埚转速步骤中单晶的转速为2-5rap/min。
10.进一步的，降低单晶转速与坩埚转速步骤中单晶的转速为3-8rap/min
11.进一步的，预制结晶功率包括分别预制主加热器功率和底部加热器功率。
12.进一步的，主加热器功率为50-60kw。
13.进一步的，底部加热器功率为0-10kw。
14.进一步的，在坩埚的自动下降之前，还进行单晶的提升。
15.由于采用上述技术方案，在直拉单晶过程中的取段复投时，控制坩埚的位置、单晶的转速、坩埚的转速和结晶功率，实现取段复投结晶过程中自动化程度高，降低人员劳动强度，提高生产效率，避免出现由于液口距过近，导致喷硅异常，降低绞钢缆和掉单晶的风险，及时结晶，保证满足复投条件，保证了拉晶过程工艺标准的统一。
附图说明
16.图1是本发明的一实施例的流程图。
具体实施方式
17.下面结合附图和具体实施例对本实施例进行说明。
18.图1示出了本发明一实施例的工艺流程图，本实施例涉及一种取段结晶工艺，用于在直拉单晶过程中取段复投时使用，在取段复投时，进行自动控制坩埚的位置、单晶的转速和结晶功率，控制坩埚内的硅溶液的温度，控制取段结晶，避免出现由于液口距过近，导致喷硅异常，降低绞钢缆和掉单晶的风险，及时结晶，保证满足复投条件。
19.一种取段结晶工艺，应用于直拉单晶取段复投时，包括以下步骤：
20.下降坩埚，调节坩埚的位置，控制坩埚进行下降，避免出现由于液口距过近，导致喷硅异常；
21.降低单晶转速与坩埚转速，调节单晶的转速和坩埚的转速，降低单晶的转速和坩埚的转速，便于对坩埚内硅溶液加热，降低绞钢缆和掉单晶的风险；
22.预制结晶功率，调节加热器的功率，对坩埚内硅溶液进行加热，便于复投原料熔化结晶，及时结晶，保证满足复投条件，进而控制坩埚内硅溶液的温度，便于复投原料的熔化，进行再次拉晶。
23.在下降坩埚步骤之前，还进行单晶的提升。也就是，在取段复投时，首先提升单晶，将单晶提升至单晶炉副室内，便于进行取段复投。
24.上述的下降坩埚步骤中，坩埚的自动下降中坩埚的下降距离为30-50mm，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。
25.上述的降低单晶转速和坩埚转速的步骤中，单晶的转速为2-5rap/min，坩埚的转速为3-8rap/min，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。
26.上述的预制结晶功率包括分别预制主加热器功率和底部加热器功率，其中，主加热器功率为50-60kw，底部加热器功率为0-10kw，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。
27.实施例一
28.在取段复投时，将单晶提升至单晶炉的单晶副室内，下降坩埚，降低坩埚的位置，将坩埚下降30mm，同时，调节坩埚的转速和单晶的转速，降低坩埚转速和单晶转速，单晶的转速下降至2rap/min，坩埚的转速下降至3rap/min，预制结晶功率，将主加热器功率设定为50kw，将底部加热器功率设定为0kw，进行取段复投、结晶。
29.实施例二
30.在取段复投时，将单晶提升至单晶炉的单晶副室内，下降坩埚，降低坩埚的位置，将坩埚下降50mm，同时，调节坩埚的转速和单晶的转速，降低坩埚转速和单晶转速，单晶的转速下降至5rap/min，坩埚的转速下降至8rap/min，预制结晶功率，将主加热器功率设定为60kw，将底部加热器功率设定为10kw，进行取段复投、结晶。
31.实施例三
32.在取段复投时，将单晶提升至单晶炉的单晶副室内，下降坩埚，降低坩埚的位置，将坩埚下降40mm，同时，调节坩埚的转速和单晶的转速，降低坩埚转速和单晶转速，单晶的转速下降至4rap/min，坩埚的转速下降至6rap/min，预制结晶功率，将主加热器功率设定为55kw，将底部加热器功率设定为5kw，进行取段复投、结晶。
33.由于采用上述技术方案，在直拉单晶过程中的取段复投时，控制坩埚的位置、单晶
的转速、坩埚的转速和结晶功率，实现取段复投结晶过程中自动化程度高，降低人员劳动强度，提高生产效率，避免出现由于液口距过近，导致喷硅异常，降低绞钢缆和掉单晶的风险，及时结晶，保证满足复投条件，保证了拉晶过程工艺标准的统一。
34.以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
技术特征：
1.一种取段结晶工艺，其特征在于：包括以下步骤，下降坩埚；降低单晶转速与坩埚转速；预制结晶功率，控制坩埚内硅溶液的温度，便于复投原料熔化结晶。2.根据权利要求1所述的取段结晶工艺，其特征在于：所述下降坩埚步骤中坩埚的下降距离为30-50mm。3.根据权利要求1或2所述的取段结晶工艺，其特征在于：所述降低单晶转速与坩埚转速步骤中单晶的转速为2-5rap/min。4.根据权利要求3所述的取段结晶工艺，其特征在于：所述降低单晶转速与坩埚转速步骤中单晶的转速为3-8rap/min。5.根据权利要求1或2或4所述的取段结晶工艺，其特征在于：所述预制结晶功率包括分别预制主加热器功率和底部加热器功率。6.根据权利要求5所述的取段结晶工艺，其特征在于：所述主加热器功率为50-60kw。7.根据权利要求6所述的取段结晶工艺，其特征在于：所述底部加热器功率为0-10kw。8.根据权利要求1所述的取段结晶工艺，其特征在于：在坩埚的自动下降之前，还进行单晶的提升。
技术总结
本发明提供一种取段结晶工艺，包括以下步骤，下降坩埚；降低单晶转速与坩埚转速；预制结晶功率，控制坩埚内硅溶液的温度，便于复投原料熔化结晶。本发明的有益效果是控制坩埚的位置、单晶的转速、坩埚的转速和结晶功率，实现取段复投结晶过程中自动化程度高，降低人员劳动强度，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。
技术研发人员：赵国伟 徐强 高润飞 王林 谷守伟 王建平 周泽 杨志 吴树飞 刘振宇 刘学 刘有益 皇甫亚楠 杨瑞峰 郭志荣
受保护的技术使用者：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
技术研发日：2020.02.25
技术公布日：2021/9/9