技术特征：
1.一种用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，包括：盘体，所述盘体具有第一进气孔组，所述第一进气孔组包括至少一个第一进气孔，每个所述第一进气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体；电极孔组，所述电极孔组包括沿所述盘体的周向间隔设置的多个电极孔，每个所述电极孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体；多个出气孔，每个所述出气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，多个所述出气孔沿所述盘体的周向间隔设置，其中所述电极孔组为一个，多个所述出气孔在内外方向上位于所述第一进气孔组和所述电极孔组之间；或者，所述电极孔组为多个，多个所述电极孔组沿所述内外方向间隔设置，多个所述出气孔在内外方向上位于所述第一进气孔组和至少一个所述电极孔组之间。2.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述电极孔组为多个，多个所述出气孔在内外方向上位于多个所述电极孔组的内侧；所述盘体还具有至少一个第二进气孔组，每个所述第二进气孔组包括多个第二进气孔，每个所述第二进气孔组沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，多个所述第二进气孔组沿所述盘体的周向间隔设置，每个所述第二进气孔组在所述内外方向上位于相邻的两个所述电极孔组之间。3.根据权利要求2所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述第一进气孔组包括一个第一进气孔，所述第一进气孔位于所述盘体的轴心位置；所述电极孔组为两个，所述电极孔组包括第一电极孔组和第二电极孔组，所述第一电极孔组在所述内外方向上位于所述第二电极孔组的内侧；所述第二进气孔组为一个，所述第二进气孔组在所述内外方向上位于所述第一电极孔组和所述第二电极孔组之间。4.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，多个所述第二进气孔和所述第一电极孔组的多个所述电极孔在内外方向上一一相对，所述第二电极孔组包括多个第二电极孔子组，每个所述第二电极孔子组包括多个电极孔，多个第二电极孔子组和多个所述第二进气孔在所述盘体的周向上一一交替设置。5.根据权利要求2所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，多个所述出气孔均匀地分布在以所述盘体的轴心为圆心的第一圆周上，所述第一圆周的直径在150mm至400mm之间；每个所述电极孔组中相邻两个所述电极孔的圆心之间的距离在230mm至280mm之间；每个所述电极孔组中的多个所述电极孔均匀地在以所述盘体的中心位置为圆心的一个圆周上，相邻两个所述电极孔组中的一者的多个所述电极孔所分布的圆周与相邻两个所述电极孔组中的另一者的多个所述电极孔所分布的圆周的直径之差为600mm，位于最内侧的所述电极孔组中的多个所述电极孔所分布的圆周的直径在600mm至800mm之间。6.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述出气孔的数量为3个、4个或6个；所述第一电极孔组的所述电极孔的数量为8个；所述第二电极孔组的所述电极孔的数量为16个；
所述第二进气孔组的所述第二进气孔的数量为4个、6个或8个。7.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，每个所述第一进气孔和每个第二进气孔内均设有进气喷嘴，所述进气喷嘴的上表面位于所述盘体的上表面的上方；每个所述出气孔内均设有出气喷嘴，所述出气喷嘴的上表面与所述盘体的上表面在同一水平面上。8.一种底盘组件，其特征在于，包括：上述权利要求1-7中任一项所述用于多晶硅还原炉的底盘和电极端子组，每个所述电极孔组具有与其配合的所述电极端子组。9.一种还原炉，其特征在于，包括：炉体和上述权利要求7所述底盘组件，所述炉体设在所述底盘组件的所述用于多晶硅还原炉的底盘上。10.根据权利要求9所述的还原炉，其特征在于，所述盘体具有第一冷却腔，所述盘体上设有与所述第一冷却腔连通的第一冷却进口和第一冷却出口；所述还原炉进一步包括：出气气包，所述出气气包包括内壳体和外壳体，所述内壳体位于所述外壳体内，所述内壳体与所述外壳体限定出第二冷却腔，所述外壳体上设有与所述第二冷却腔连通的第二冷却进口和第二冷却出口，所述第二冷却出口与所述第一冷却进口连通，所述内壳体的内壁面限定出出气腔，所述内壳体的底部设有与所述出气腔连通的出气口；和多个出气管，多个出气管的上端一一对应地与多个所述出气孔连通，每个所述出气管的下端穿过所述外壳体和所述内壳体并伸入到所述出气腔内。
技术总结
本发明提出一种用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉。本发明的用于多晶硅还原炉的底盘包括：盘体，盘体具有第一进气孔组，第一进气孔组包括至少一个第一进气孔，每个第一进气孔沿盘体的轴向贯穿盘体；电极孔组，电极孔组包括沿盘体的周向间隔设置的多个电极孔，每个电极孔沿盘体的轴向贯穿盘体；多个出气孔，每个出气孔沿盘体的轴向贯穿盘体，多个出气孔沿盘体的周向间隔设置，多个出气孔在内外方向上位于第一进气孔组和电极孔组之间。因此，根据本发明的用于多晶硅还原炉的底盘具有可使得还原炉内的气体反应更加充分、节省物料和提高硅棒质量的优点。高硅棒质量的优点。高硅棒质量的优点。
技术研发人员：石何武 汪绍芬 杨永亮 万烨 张升学 陈辉 汤传斌 严大洲
受保护的技术使用者：中国恩菲工程技术有限公司
技术研发日：2022.03.18
技术公布日：2022/4/15