一种晶体生长方法和装置与流程

本说明书涉及晶体生长领域，特别涉及一种晶体生长方法和装置。

背景技术：

1、半导体晶体(例如，碳化硅单晶)具有优异的物理化学性能，因此成为制造高频率和大功率器件的重要材料。物理气相传输法(physical vapor transport，pvt)是一种用于制备半导体晶体的方法。然而，在pvt法制备碳化硅晶体的过程中仍存在诸多技术难题，例如，原料组分纯度不高或籽晶表面未满足要求，影响晶体质量；籽晶粘接时易产生气泡，导致晶体生长过程产生平面六角缺陷；晶体生长过程中，难以控制温度情况或原料升华情况，导致晶体产生位错、微管、多型等缺陷；碳化硅粉料利用率低等。

2、因此，有必要提供一种晶体生长方法和装置，提高晶体制备质量和效率。

技术实现思路

1、本说明书实施例之一提供一种晶体生长方法。所述方法包括：将原料置于生长腔体的原料区；将籽晶置于所述生长腔体的生长区，其中，所述原料区和所述生长区通过隔板分隔，所述隔板包括至少一个出料口；基于所述籽晶和所述原料，通过物理气相传输法生长晶体；其中，在晶体生长过程中，监测晶体生长情况；基于所述晶体生长情况，调节加热组件的加热参数和/或所述至少一个出料口的位置、形状、分布或流通面积中的至少一种。

2、本说明书实施例之一提供一种晶体生长装置，所述装置包括：生长腔体，所述生长腔体包括原料区和生长区，其中，所述原料区用于放置原料，所述生长区用于放置籽晶，所述原料区和所述生长区通过隔板分隔，所述隔板包括至少一个出料口；监测组件，用于监测晶体生长情况；控制组件，用于基于所述晶体生长情况，调节加热组件的加热参数和/或所述至少一个出料口的位置、形状、分布或流通面积中的至少一种。

技术特征：

1.一种晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体生长情况包括生长中的晶体厚度、生长速率或缺陷中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶体生长过程中，监测晶体生长情况包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述生长腔体内的温度信息包括：

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热组件包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述晶体生长情况，调节加热组件的加热参数和/或所述至少一个出料口的位置、形状、分布或流通面积中的至少一种包括：

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述晶体生长情况，调节加热组件的加热参数和/或所述至少一个出料口的位置、形状、分布或流通面积中的至少一种包括：

8.一种晶体生长装置，其特征在于，所述装置包括：

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述加热组件包括：

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述至少一个出料口的位置、形状、分布或流通面积中的至少一种可调节。

技术总结
本说明书实施例提供一种晶体生长方法和装置，该方法包括：将原料置于生长腔体的原料区；将籽晶置于所述生长腔体的生长区，其中，所述原料区和所述生长区通过隔板分隔，所述隔板包括至少一个出料口；基于所述籽晶和所述原料，通过物理气相传输法生长晶体；其中，在晶体生长过程中，监测晶体生长情况；基于所述晶体生长情况，调节加热组件的加热参数和/或所述至少一个出料口的位置、形状、分布或流通面积中的至少一种。

技术研发人员：王宇,官伟明
受保护的技术使用者：眉山博雅新材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12