一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法与流程

文档序号:34239864发布日期:2023-05-25 00:31阅读:178来源:国知局

本发明属于ito靶材领域,具体涉及一种降低烧结后ito平面靶翘曲的方法。


背景技术:

1、ito靶材经过溅射成膜后,由于其独特的物理化学特性,如高的光透过率、高的导电性以及强的紫外光吸收性,因而被广泛应用在液晶显示、太阳能电池以及军事领域等。ito平面靶作为目前靶材应用行业的主流产品,其主要烧结方式为常压烧结,然而在烧结过程中,由于靶坯自身存在密度差、烧结炉内温度不均匀等因素,极易造成烧结后靶坯产生很大的翘曲,从而导致靶坯的预留量不够,只能报废或者降级处理,从而导致靶坯成品率低,大大提高了生产成本。

2、本案解决的技术问题在于:如何高精度、高合格率的对翘曲ito靶材进行校正。


技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,采用本发明的方法具有精度高、靶材受损小的优势。

2、本发明的技术方案为:

3、一种降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,在翘曲的ito平面靶的翘曲的位置的表面施加6-20n的力,然后升温至850-950℃,保温一段时间,最后升温至1500~1600℃,保温一段时间。

4、本发明适用的ito平面靶为:选用成分比为in2o3:sno2=90:10的ito靶材,靶材的长、宽、后分别为1000*250*12mm。

5、需要说明的是,本发明定义翘曲程度的方法为:

6、将尺寸为1000*250*12mm的靶材放到一个平面上,测量靶材的边缘和平面之间的最大间距,即可定义为翘曲程度。

7、在上述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法中,包括如下步骤:

8、步骤1:将ito平面靶放置在平面上;

9、步骤2:施加6-20n的力至翘曲的位置的表面,力的大小和翘曲程度呈正相关;

10、步骤3:升温至850-950℃,保温一段时间;

11、步骤4:升温至1500~1600℃,保温一段时间。

12、在上述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法中,还包括步骤5:降温至室温。

13、在上述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法中,ito平面靶的翘曲程度为3-10mm;

14、翘曲程度为3-5mm时,压力为6-7.5n;

15、翘曲程度为5-7mm时,压力为7.5-10n;

16、翘曲程度为7-10mm时,压力为10-20n。

17、在上述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法中,步骤2中,在ito平面靶的表面施加力的方式为:将与ito平面靶表面不反应、不粘结的块状材料放到ito平面靶的表面;

18、所述平面和ito平面靶之间铺设有与ito平面靶表面不反应、不粘结的耐高温粉末。

19、在上述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法中,所述块状材料为氧化铝块、氧化锆块或氧化镁块;所述耐高温粉末为氧化铝、氧化锡、氧化锆或氧化镁;所述平面为d承烧板。

20、在上述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法中,所述步骤3的升温速度为2~10℃/min,保温时间为5~10h;所述步骤4的升温速度为2~5℃/min,保温时间为5~50h。

21、在上述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法中,所述降温速度为5~10℃/min。

22、本发明的有益效果如下:

23、本发明利用ito靶材在高温下的可塑性,通过施加外力作用,减小烧结后靶坯的翘曲度,降低生产不良成本。

24、本发明的优势在于:通过本发明的方法校正后,平整度高、产品合格率高。

25、达到上述优势,必须采用以下手段:

26、1.较小且合适的压力;2.需要一个预热的平台温度段;3.需要一个接近于熔融温度的平台温度段。

27、其中,第一点和第二点尤为重要,压力过大的话,在高温下靶材的自身强度降低,无法承受大的压力而出现开裂的不良现象;如果没有预热阶段或预热时间过短,靶材表面吸收的热量会远大于内部吸收的热量,从而产生温度差,出现较大热应力导致靶材曲翘进一步加大;

28、当炉内温度达到1500~1600℃后,在高温作用下,靶材的可塑性增强,可在适当外力施加的作用发生变形而不会导致靶材开裂,从而达到校平靶材的目的;

29、基于以上三个手段,可以实现高精度、高合格率的校平。



技术特征:

1.一种降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,在翘曲的ito平面靶的翘曲的位置的表面施加6-20n的力,然后升温至850-950℃,保温一段时间,最后升温至1500~1600℃,保温一段时间。

2.根据权利要求1所述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,包括如下步骤:

3.根据权利要求2所述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,还包括步骤5:降温至室温。

4.根据权利要求2所述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,ito平面靶的翘曲程度为3-10mm;

5.根据权利要求2所述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,步骤2中,在ito平面靶的表面施加力的方式为:将与ito平面靶表面不反应、不粘结的块状材料放到ito平面靶的表面;

6.根据权利要求5所述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,所述块状材料为氧化铝块、氧化锆块或氧化镁块;所述耐高温粉末为氧化铝、氧化锡、氧化锆或氧化镁;所述平面为d承烧板。

7.根据权利要求2所述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,所述步骤3的升温速度为2~10℃/min,保温时间为5~10h;所述步骤4的升温速度为2~5℃/min,保温时间为5~50h。

8.根据权利要求3所述的降低烧结后ito平面靶翘曲的方法,其特征在于,所述降温速度为5~10℃/min。


技术总结
本发明属于ITO靶材领域,具体涉及一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法,在翘曲的ITO平面靶的翘曲的位置的表面施加6‑20N的力,然后升温至850‑950℃,保温一段时间,最后升温至1500~1600℃,保温一段时间。采用本发明的方法具有精度高、靶材受损小的优势。

技术研发人员:李帅,尹琳,曾光鹏,李明鸿,李叶
受保护的技术使用者:先导薄膜材料(广东)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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