本发明属于蓝宝石制备领域，具体涉及一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法及蓝宝石。
背景技术：
1、蓝宝石晶体具有高硬度、高强度及优异的光学特性，是轻质复合透明装甲材料的主要候选材料之一。蓝宝石晶体的熔化温度约为2050℃，泡生法是目前蓝宝石衬底片来源的主流生长方法。
2、国际上主要有俄罗斯monocrystal、美国rubicon等公司采用泡生法生产蓝宝石晶体。
3、一般泡生法蓝宝石生长过程主要包括：1.原料装炉。2.抽真空，升温化料。3.缩颈及引晶。4.放肩。5.等径生长阶段。6.降温退火。
4、在高功率激光中蓝宝石吸收系数对器件(器件为如窗口(光学元件和红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光)、衬底(蓝光半导体二极管led、二极管ld)等)的使用寿命，使用阈值都有直接的影响，现有的泡生法生长的蓝宝石吸收系数较高，不能满足器件的需要。
5、现有的由al2o3料经泡生法制备的蓝宝石的吸收系数2.07±0.13*10-4/cm较高，不能满足器件的需要。
技术实现思路
1、针对上述缺陷，本发明的提供一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，通过对泡生法工艺地改进，降低了蓝宝石的吸收系数。
2、一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：
3、⑴取al2o3和降低蓝宝石吸收系数的物质，将降低蓝宝石吸收系数的物质掺杂入al2o3形成混合料；
4、⑵将⑴的混合料装入坩埚中；
5、⑶抽真空，升温化料；
6、⑷缩颈及引晶；
7、⑸放肩；
8、⑹等径生长阶段；
9、⑺降温退火取蓝宝石晶体。
10、作为优选，⑴中，降低蓝宝石吸收系数的物质为石墨烯、si、na、li中的一种或多种。
11、作为优选，所述石墨烯的掺杂量为0.5-3ppm，si的掺杂量为0.5-3ppm，na的掺杂量为0.5-3ppm，li的掺杂量为0.5-3ppm。
12、作为优选，⑷中，缩颈距离在10-15mm；引晶阶段籽晶提拉速度在5-15mm/h，籽晶在本步骤的整个过程中处于旋转状态，转速在1-5rpm，引晶总高度约30-80mm。
13、作为优选，⑸中，生长速度为：60-120g/h。
14、作为优选，⑸中，提拉速度在0.1-0.6mm/h。
15、作为优选，⑹中，生长速率恒定为600-800g/h。
16、作为优选，⑺中，降温退火为自然降温退火直至室温，降至室温后30-60h后充2-3h氩气，充气结束后30-50h开炉取蓝宝石。
17、本发明还提供一种超低吸收蓝宝石。
18、一种超低吸收蓝宝石，该超低吸收蓝宝石由al2o3和降低蓝宝石吸收系数的物质制成。
19、作为优选，降低蓝宝石吸收系数的物质石墨烯、si、na、li中的一种或多种。
20、作为优选，石墨烯的掺杂量为0.5-3ppm，si的掺杂量为0.5-3ppm，na的掺杂量为0.5-3ppm，li的掺杂量为0.5-3ppm。
21、一种超低吸收蓝宝石，该超低吸收蓝宝石由上述的方法制备而成。
1.一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，其特征在于，⑴中，降低蓝宝石吸收系数的物质为石墨烯、si、na、li中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，其特征在于，所述石墨烯的掺杂量为0.5-3ppm，si的掺杂量为0.5-3ppm，na的掺杂量为0.5-3ppm，li的掺杂量为0.5-3ppm。
4.根据权利要求1-3任一所述的泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，其特征在于，⑷中，缩颈距离在10-15mm；引晶阶段籽晶提拉速度在5-15mm/h，籽晶在本步骤的整个过程中处于旋转状态，转速在1-5rpm，引晶总高度约30-80mm。
5.根据权利要求1-4任一所述的泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，其特征在于,⑸中，生长速度为：60-120g/h。
6.根据权利要求1-5任一所述的泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，其特征在于，⑸中，提拉速度在0.1-0.6mm/h。
7.根据权利要求2-6任一所述的泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，其特征在于，⑹中，生长速率恒定为600-800g/h。
8.根据权利要求2-7任一所述的泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，其特征在于，⑺中，降温退火为自然降温退火直至室温，降至室温后30-60h后充2-3h氩气，充气结束后30-50h开炉取蓝宝石。
9.一种超低吸收蓝宝石，其特征在于，该超低吸收蓝宝石由al2o3和降低蓝宝石吸收系数的物质制成；优选地，降低蓝宝石吸收系数的物质石墨烯、si、na、li中的一种或多种；优选地，石墨烯的掺杂量为0.5-3ppm，si的掺杂量为0.5-3ppm，na的掺杂量为0.5-3ppm，li的掺杂量为0.5-3ppm。
10.一种超低吸收蓝宝石，其特征在于，该超低吸收蓝宝石由权利要求1-8任一所述的方法制备而成。