一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构的制作方法

1.本实用新型涉及pvt法生长碳化硅晶体领域，具体涉及一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构。


背景技术：

2.碳化硅晶体生长方法是pvt法，高温状态下使碳化硅固体气化到气态，因为温度差，气态碳化硅会从下向上传输，气态碳化硅被传送到籽晶区域，就会以籽晶的生长点为基础，按照台阶的方式螺旋生长。
3.现有技术存在以下问题：
4.采用pvt法进行碳化硅晶体生长时，气体传送方式是从下方原材料加热处向上传送到籽晶区域，属于直接传送，而碳化硅的生长是沿着生长点螺旋方向生长的，气体不能顺着生长方向运动，会对生长速度产生不良影响。


技术实现要素：

5.(一)实用新型目的
6.为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，具有改进内部气体上升通道结构，改变气流方向的特点。
7.(二)技术方案
8.为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，包括同心设置的外环架和内环架，所述外环架和所述内环架的夹持区间内环形阵列安装有若干个石墨片，相邻的所述石墨片之间留置有通气槽；
9.挡片机构包括开设缺口的出气挡片和进气挡片，所述出气挡片和所述进气挡片分别贴附所述石墨片的上下表面，两者的中部连接有贯穿所述内环架的转轴，所述出气挡片和所述进气挡片与所述转轴同步转动。
10.优选的，所述转轴的另一端连接至伺服电机的输出端。
11.优选的，所述石墨片的侧壁为“倾斜”机构，通气槽两端开口沿气体流向逐渐缩小。
12.优选的，所述出气挡片上的缺口与通气槽顶部开口规格相匹配。
13.优选的，所述进气挡片上的缺口与通气槽底部开口规格相匹配。
14.优选的，所述外环架上设置有安装机构。
15.优选的，安装机构包括安装在所述外环架顶部的安装环，所述安装环的外周成型有开设螺孔的栓片。
16.本实用新型的上述技术方案具有如下有益的技术效果：通过挡片处的气流方式，使气体的传输方向得到改变，仅通过挡片缺口和通气槽的配合的通道处进行气体的流动，后续通过转轴带动两挡片旋转，使气体沿不同位置上浮，使碳化硅沿着生长点螺旋结晶，提升碳化硅生产速率。
附图说明
17.图1为本实用新型的结构示意图；
18.图2为本实用新型的环架和挡片分离结构示意图；
19.图3为本实用新型的石墨片底部结构示意图；
20.图4为本实用新型的安装机构结构示意图。
21.附图标记：
22.1、外环架；2、内环架；3、石墨片；4、转轴；5、出气挡片；6、进气挡片；7、伺服电机；81、安装环；82、栓片。
具体实施方式
23.为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本实用新型的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。
24.如图1-4所示，本实用新型提出的一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，包括同心设置的外环架1和内环架2，外环架1和内环架2的夹持区间内环形阵列安装有若干个石墨片3，相邻的石墨片3之间留置有通气槽；
25.挡片机构包括开设缺口的出气挡片5和进气挡片6，出气挡片5和进气挡片6分别贴附石墨片3的上下表面，两者的中部连接有贯穿内环架2的转轴4，出气挡片5和进气挡片6与转轴4同步转动。
26.需要说明的是：
27.1、出气挡片5上的缺口与通气槽顶部开口规格相匹配。
28.2、进气挡片6上的缺口与通气槽底部开口规格相匹配。
29.在本实施例中，通过挡片处的气流方式，使气体的传输方向得到改变，气体首先由下方的进气挡片6的缺口输入至通气槽内，后续通过顶部进气挡片6上的缺口向上浮动，此时其它石墨片3间夹持的通气槽受挡片遮挡处于封闭状态，仅有缺口和通气槽的配合的通道处进行气体的流动，后续通过转轴4带动两挡片旋转，使气体沿不同位置上浮，使碳化硅沿着生长点螺旋结晶，提升碳化硅生产速率。
30.为了辅助气体导向，进一步的是，石墨片3的侧壁为“倾斜”机构，通气槽两端开口沿气体流向逐渐缩小，气体在输入通气槽后，受倾斜侧壁的影响加速上浮。
31.如图1所示，转轴4的另一端连接至伺服电机7的输出端，伺服电机7可控制转轴4旋转角度，调整角度范围为80-100度。
32.如图4所示，外环架1上设置有安装机构。
33.在一个实施例中，安装机构包括安装在外环架1顶部的安装环81，安装环81的外周成型有开设螺孔的栓片82；通过栓片8搭配螺栓进行石墨片3外部结构的安装。
34.应当理解的是，本实用新型的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本实用新型的原理，而不构成对本实用新型的限制。因此，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。此外，本实用新型所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的
等同形式内的全部变化和修改例。


技术特征：
1.一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，其特征在于，包括同心设置的外环架(1)和内环架(2)，所述外环架(1)和所述内环架(2)的夹持区间内环形阵列安装有若干个石墨片(3)，相邻的所述石墨片(3)之间留置有通气槽；挡片机构包括开设缺口的出气挡片(5)和进气挡片(6)，所述出气挡片(5)和所述进气挡片(6)分别贴附所述石墨片(3)的上下表面，两者的中部连接有贯穿所述内环架(2)的转轴(4)，所述出气挡片(5)和所述进气挡片(6)与所述转轴(4)同步转动。2.根据权利要求1所述的一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，其特征在于，所述转轴(4)的另一端连接至伺服电机(7)的输出端。3.根据权利要求1所述的一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，其特征在于，所述石墨片(3)的侧壁为“倾斜”机构，通气槽两端开口沿气体流向逐渐缩小。4.根据权利要求3所述的一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，其特征在于，所述出气挡片(5)上的缺口与通气槽顶部开口规格相匹配。5.根据权利要求4所述的一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，其特征在于，所述进气挡片(6)上的缺口与通气槽底部开口规格相匹配。6.根据权利要求1所述的一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，其特征在于，所述外环架(1)上设置有安装机构。7.根据权利要求6所述的一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，其特征在于，安装机构包括安装在所述外环架(1)顶部的安装环(81)，所述安装环(81)的外周成型有开设螺孔的栓片(82)。

技术总结
本实用新型属于PVT法生长碳化硅晶体领域，具体涉及一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，包括同心设置的外环架和内环架，所述外环架和所述内环架的夹持区间内环形阵列安装有若干个石墨片，相邻的所述石墨片之间留置有通气槽；挡片机构包括开设缺口的出气挡片和进气挡片，所述出气挡片和所述进气挡片分别贴附所述石墨片的上下表面，两者的中部连接有贯穿所述内环架的转轴，所述出气挡片和所述进气挡片与所述转轴同步转动；通过挡片处的气流方式，使气体的传输方向得到改变，仅通过挡片缺口和通气槽的配合的通道处进行气体的流动，后续通过转轴带动两挡片旋转，使气体沿不同位置上浮，使碳化硅沿着生长点螺旋结晶，提升碳化硅生产速率。化硅生产速率。化硅生产速率。


技术研发人员：于文明 张小刚 王胜亚 何小三 王保生
受保护的技术使用者：江苏芯恒惟业电子科技有限公司
技术研发日：2022.08.05
技术公布日：2022/11/2