一种单晶炉保温室保温机构的制作方法

本技术涉及单晶炉领域，更具体地说，涉及一种单晶炉保温室保温机构。

背景技术：

1、单晶炉在对硅材料加热进行直拉法生长制备过程中，对于单晶炉内保温室的保温效果控制尤为重要，保温室可在硅材料进行生长时提供稳定的高温环境，避免因阶梯温差或热应力等因素影响硅材料的制备。

2、经专利检索发现，公开号：cn216129703u的中国专利公开了一种直拉单晶炉保温装置，该专利通过设置多层真空玻璃形成的真空腔既可承受导流筒组件的热胀压力，还可承受热场中加热器发出的高温辐射，从而可提高保温效果；

3、但在实际应用中，由于单晶炉内的温度最高可达到上千摄氏度，而真空玻璃所能承受的温度普遍在一千摄氏度以下，在长期使用过程中，真空玻璃还会存在爆裂的可能，影响硅材料的加热和制备，而且硅材料在通过直拉法生长完毕后，不便于控制单晶炉内温度，对其进行适量降温，促使其表面更加光滑，进而降低在实际中的使用寿命。

技术实现思路

1、1.要解决的技术问题

2、针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种单晶炉保温室保温机构，它可以实现，通过设置导流机构可在硅材料生长完毕后，对其表面进行适量降温处理，一方面促进其表面光滑度和成型质量，另一方面方便外部吊装机构将其取出。

3、2.技术方案

4、为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。

5、一种单晶炉保温室保温机构，包括炉体，所述炉体内壁靠近顶面处固定连接有安装板，所述安装板底面固定连接有保温桶，所述保温桶侧壁上设置有导热机构，所述保温桶内壁上下对称固定连接有两个固定板，所述固定板之间固定连接有加热圈，所述加热圈内侧设置有坩埚。

6、进一步的，所述导热机构包括若干个通槽，所述通槽开设在保温桶内壁上，所述通槽侧壁靠近底面处开设有通孔，所述保温桶外壁位于通孔处固定连接有导流管，所述炉体侧壁开设有若干个进气孔，所述导流管与进气孔相连通，所述进气孔内均螺纹连接有螺栓。

7、进一步的，所述保温桶内壁靠近加热圈处固定连接有保温层。

8、进一步的，所述炉体内壁固定连接有环形隔热垫。

9、进一步的，所述炉体内腔顶面固定连接有导流筒，所述导流筒呈向下倾斜设置，所述导流筒与安装板固定连接。

10、进一步的，所述通槽截面呈u形设置，所述通槽侧壁靠近底面处与通孔均呈弧形设置，所述通槽侧壁靠近底面处与通孔交汇处呈人字形设置。

11、3.有益效果

12、相比于现有技术，本实用新型的优点在于：

13、(1)本方案通过保温桶、加热圈和导流机构等之间的相互配合，当硅材料在直拉生长过程中，加热圈产生的高温除了直接加热坩埚外，还可通过通槽将部分热量传递在坩埚上侧，对直拉时的硅材料进行加热保温，减少因阶梯温度变化所造成的直拉不良，另外，当硅材料直拉完毕后，可通过通孔进入的气流降低炉体内局部高温，对硅材料表面进行适量降温，促进硅材料的成型质量。

技术特征：

1.一种单晶炉保温室保温机构，包括炉体(1)，其特征在于：所述炉体(1)内壁靠近顶面处固定连接有安装板(2)，所述安装板(2)底面固定连接有保温桶(3)，所述保温桶(3)侧壁上设置有导热机构，所述保温桶(3)内壁上下对称固定连接有两个固定板(8)，所述固定板(8)之间固定连接有加热圈(9)，所述加热圈(9)内侧设置有坩埚(10)。

2.根据权利要求1所述的一种单晶炉保温室保温机构，其特征在于：所述导热机构包括若干个通槽(4)，所述通槽(4)开设在保温桶(3)内壁上，所述通槽(4)侧壁靠近底面处开设有通孔(14)，所述保温桶(3)外壁位于通孔(14)处固定连接有导流管(5)，所述炉体(1)侧壁开设有若干个进气孔(6)，所述导流管(5)与进气孔(6)相连通，所述进气孔(6)内均螺纹连接有螺栓(7)。

3.根据权利要求1所述的一种单晶炉保温室保温机构，其特征在于：所述保温桶(3)内壁靠近加热圈(9)处固定连接有保温层(11)。

4.根据权利要求1所述的一种单晶炉保温室保温机构，其特征在于：所述炉体(1)内壁固定连接有环形隔热垫(12)。

5.根据权利要求1所述的一种单晶炉保温室保温机构，其特征在于：所述炉体(1)内腔顶面固定连接有导流筒(13)，所述导流筒(13)呈向下倾斜设置，所述导流筒(13)与安装板(2)固定连接。

6.根据权利要求2所述的一种单晶炉保温室保温机构，其特征在于：所述通槽(4)截面呈u形设置，所述通槽(4)侧壁靠近底面处与通孔(14)均呈弧形设置，所述通槽(4)侧壁靠近底面处与通孔(14)交汇处呈人字形设置。

技术总结
本技术公开了一种单晶炉保温室保温机构，属于单晶炉领域，一种单晶炉保温室保温机构，包括炉体，所述炉体内壁靠近顶面处固定连接有安装板，所述安装板底面固定连接有保温桶，所述保温桶侧壁上设置有导热机构，所述保温桶内壁上下对称固定连接有两个固定板，所述固定板之间固定连接有加热圈，所述加热圈内侧设置有坩埚，所述导热机构包括若干个通槽，所述通槽开设在保温桶内壁上，所述通槽侧壁靠近底面处开设有通孔，所述保温桶外壁位于通孔处固定连接有导流管，它可以实现，通过设置导流机构可在硅材料生长完毕后，对其表面进行适量降温处理，一方面促进其表面光滑度和成型质量，另一方面方便外部吊装机构将其取出。

技术研发人员：蔡璋榕,郑珠兰
受保护的技术使用者：福建鑫睿晶学科技有限公司
技术研发日：20221104
技术公布日：2024/1/12